在三電平NPC的拓?fù)渲校恳粋€(gè)橋臂由四個(gè)帶反并二極管的IGBT以串聯(lián)的方式連接,，另外再配上兩個(gè)二極管DH和DL,，將它們中間節(jié)點(diǎn)連接到直流母線的中性點(diǎn)。其中所采用的所有功率半導(dǎo)體都具備相同的擊穿電壓,。根據(jù)輸出電壓和電流的特點(diǎn),，一個(gè)周期的基頻輸出有四個(gè)不同續(xù)流工作狀態(tài)。

　　圖1. 三電平NPC中某一個(gè)橋臂的換流回路。a） 短換流回路,； b） 長換流回路

　　從圖1a可以看出,，電壓和電流處于正方向，T1和DH組成了BUCK電路的工作方式,，而T2則以常通的方式輸出電流,。而電壓和電流處于負(fù)向期間，T4與DB 組成了BOOST電路的工作方式,，T3以常通方式輸出電流,。在上述兩種情況下，換流只有發(fā)生在兩個(gè)器件中,，我們稱之為短續(xù)流,。然而當(dāng)輸出電流為負(fù)向而電壓為正向的情況下，流過T3和DB的電流必須如圖1b）所示換相至D2和D1。這種換流涉及到四個(gè)器件,，因此稱之為長換流回路,。在其它情況下，會(huì)存在另一個(gè)長換流路徑,。在設(shè)計(jì)三電平變換器時(shí),，如何控制好長換流回路的雜散電感和過壓問題，是設(shè)計(jì)人員所要面臨的又一挑戰(zhàn),。

　　圖2 EasyPACK 2B封裝

　　針對三電平NPC拓?fù)涞淖钚翴GBT模塊

　　雖然總共集成4個(gè)IGBT和6個(gè)二極管的IGBT模塊并不適用于高功率產(chǎn)品,，但是只要功率范圍一定，并且控制管腳數(shù)允許采用標(biāo)準(zhǔn)封裝,，它是可以適用于中,、小功率產(chǎn)品的。

　　圖3 EconoPACK 4 封裝

　　對于小功率產(chǎn)品而言,，如圖3所示的EasyPACK 2B封裝具備足夠的DBC面積來集成一個(gè)完整的150A三電平模塊橋臂,。由于可在給定的柵格內(nèi)任意布置管腳，這些管腳即可以作為功率端子也可作為控制端子,，因此這個(gè)封裝可提供非常理想的連接方式,。這種封裝可提供輔助發(fā)射極端子，可確保IGBT的高速開關(guān),。對于電源端子而言,，最多可采用8個(gè)端子并聯(lián)，確保獲得所需的額定電流以及降低雜散電感和PCB熱量,。

　　對于中功率的產(chǎn)品,，全新推出的EconoPACK 4封裝提供了一種理想選擇，它可集成三電平中所有功率器件,。右邊的三個(gè)功率端子用來把直流母線分開，為三電平逆變器帶來極低的寄生電感,，與它相對的兩個(gè)功率端子并聯(lián)起來作為每一個(gè)橋臂的輸出端子,。在模塊封裝的兩側(cè)是控制引腳，PCB驅(qū)動(dòng)板可以通過這些端子直接連接,。這種封裝的三電平模塊中的橋臂的最高電流高達(dá)300A,。

　　就降低雜散電感而言，將一個(gè)三電平相橋臂的所有器件集成至一個(gè)模塊,，是一種很有前景的解決方案,。然而，很明顯僅600V的器件耐壓使它很難滿足典型應(yīng)用,，原因在于：母線電壓的均壓不理想,，而且600 V器件開關(guān)速度太快。

　　為了使設(shè)計(jì)更加容易并且確保器件在應(yīng)用中具有更高的裕量，這些模塊采用了增強(qiáng)型IGBT和二極管芯片,，耐壓達(dá)到650V,。這些新的芯片與眾所周知的600V IGBT3器件一樣，具有相同的導(dǎo)通特性和開關(guān)特性,；而且可靠性也沒有發(fā)生改變（如SOA,、RBSOA、SCSOA）,。這些通過最新的IGBT和二極管終端結(jié)構(gòu)的開發(fā)得以實(shí)現(xiàn),，并確保了超薄的70？m芯片厚度不發(fā)生改變,。因此,，650V IGBT的集電極－發(fā)射極飽和電壓VCE_SAT在25°C仍然保持在極低的1.45V水平（150°C時(shí)為1.70V）。器件的開關(guān)損耗較低,，當(dāng)開關(guān)頻率為16kHz時(shí),，損耗僅占逆變器總損耗的三分之一。此外,，該IGBT還具備非常平滑的電流拖尾特性,，即使在惡劣的條件下，也不會(huì)造成電壓過沖,。二極管的VF-Qrr 關(guān)系也作了優(yōu)化,，正向壓降極在25°C條件下為1.55V（（150°C時(shí)為1.45V），并保持器軟關(guān)斷特性,。

　　設(shè)計(jì)三電平拓?fù)涞腎GBT驅(qū)動(dòng)所面臨的挑戰(zhàn)

　　在中,、小功率的三電平NPC拓?fù)鋺?yīng)用中，為了使系統(tǒng)性能發(fā)揮到最佳,，對IGBT的驅(qū)動(dòng)提出了一些具體要求,。

　　較高的開關(guān)頻率 由于開關(guān)頻率范圍從16kHz到30kHz，驅(qū)動(dòng)器必須為每個(gè)IGBT提供一致并且較小的傳輸延遲時(shí)間,，以便減小死區(qū)時(shí)間,。由于650V器件具備快速的開關(guān)速度，因此死區(qū)時(shí)間主要取決于驅(qū)動(dòng)器的傳輸延遲時(shí)間的變化,。如果死區(qū)時(shí)間相對于開關(guān)周期過長,，會(huì)導(dǎo)致逆變器的輸出非線性，從而為控制算法帶來多個(gè)更多的挑戰(zhàn),。

　　拓?fù)潆娐方Y(jié)構(gòu) 盡管這些器件的耐壓電壓僅為600V或650V,，但驅(qū)動(dòng)器的隔離要求卻與1200V相同。由于驅(qū)動(dòng)電路數(shù)量增加一倍,，因此必須采用適用于該驅(qū)動(dòng)器的設(shè)計(jì),，并且要求其電源具備數(shù)量較少的組件和較小的PCB空間,。驅(qū)動(dòng)電路的保護(hù)特性如短路檢測和欠壓鎖定等必須與三電平NPC拓?fù)淦ヅ洹Ｊ紫汝P(guān)斷一個(gè)內(nèi)部的IGBT（圖1中的T2,、T3）,，會(huì)使得母線電壓完全施加到這個(gè)器件上，由于超過了器件SCSOA或RBSOA區(qū)域,，將導(dǎo)致器件立即失效,。

　　運(yùn)用EiceDRIVER系列全新的集成IGBT驅(qū)動(dòng)技術(shù)，可輕松地滿足這些要求：

　　* 集成的微變壓器技術(shù)提供基本的絕緣功能,，其絕緣電壓高達(dá)1420 Vpeak,。

　　* 集成的有源米勒箝位功能可以采用單電源來實(shí)現(xiàn)，這種驅(qū)動(dòng)器在即便在較高開關(guān)速度條件下也不會(huì)有寄生導(dǎo)通風(fēng)險(xiǎn)［8］,。

　　* 相對于傳統(tǒng)采用光電耦合的驅(qū)動(dòng)器技術(shù),，這種微型變壓器技術(shù)，可大幅降低傳輸延遲的時(shí)間和相互之間的偏差,。

　　* 集成的Vcesat保護(hù)功能也可用于外側(cè)開關(guān),，但對于內(nèi)側(cè)的IGBT該功能需要屏蔽掉。

　　實(shí)驗(yàn)試驗(yàn)結(jié)果

　　這部分將介紹采用EasyPACK 2B 三電平模塊的開關(guān)波形,。在這個(gè)電路中,，IGBT的IGBT柵極驅(qū)動(dòng)了1ED020I12-F的驅(qū)動(dòng)芯片。采用電流互感器在直流母線的正端DC+或DC-來進(jìn)行測量電流,。

　　圖4. 短換流的開關(guān)波形（峰值電壓為550 V,，電壓仍在允許范圍之內(nèi),。）

　　短換流回路 圖4 顯示的是，在標(biāo)稱電流,、400V直流母線電壓和25°C結(jié)溫條件下的短換流情況的開關(guān)波形,。

　　圖5 長換流的開關(guān)波形（峰值電壓為580V。該電壓僅比短換流的峰值電壓高30V,，仍然不超過650 V的擊穿電壓。）

　　長換流回路 圖5 顯示了在相同條件下的長換流的開關(guān)波形

　　首次試驗(yàn)結(jié)果表明,，由于將一個(gè)完整的三電平橋臂集成在一個(gè)模塊中,，長換流幾乎可實(shí)現(xiàn)與短換流相同的開關(guān)性能。不過,，要想在更大電流條件下,，獲得足夠的裕量，仍需要進(jìn)一步降低電路的雜散電感。通過將多個(gè)電容器并聯(lián),，并采用多層電路板來減小模塊和電容器之間的電流回路,，可有效減小寄生電感。此外,，必須要考慮的是,，實(shí)際的應(yīng)用中在直流母線上是不會(huì)采用電流互感器的。在這里采用電流互感器會(huì)產(chǎn)生15nH的雜散電感,，從而導(dǎo)致45V的過壓,。

　　結(jié)論

　　通過將一個(gè)完整的三電平橋臂集成在一個(gè)模塊內(nèi)部，把器件耐壓從600V提高到650V,，然后配上較高集成度的驅(qū)動(dòng)解決方案,，這種三電平NPC拓?fù)錇橹小⑿」β誓孀兤魅绺咝У腢PS,、PV等需要工作在較高開關(guān)頻率和配置有濾波器的應(yīng)用帶來非常具有吸引力的解決方案,。