三星電子今天宣布,，已經(jīng)完成了歷史上第一款DDR4 DRAM規(guī)格內(nèi)存條的開(kāi)發(fā),，并采用30nm級(jí)工藝制造了首批樣品,。
時(shí)至今日,，DDR4內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范仍未最終定奪,。三星這條樣品屬于UDIMM類(lèi)型,，容量為2GB,，運(yùn)行電壓只有1.2V,，工作頻率為2133MHz,，而且憑借新的電路架構(gòu)最高可以達(dá)到3200MHz,。相比之下，DDR3內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)頻率最高僅為1600MHz,，運(yùn)行電壓一般為1.5V,，節(jié)能版也有1.35V。僅此一點(diǎn),，DDR4內(nèi)存就可以節(jié)能最多40％,。
根據(jù)此前的規(guī)劃，DDR4內(nèi)存頻率最高有可能高達(dá)4266MHz,，電壓則有可能降至1.1V乃至1.05V,。
三星表示，這條DDR4內(nèi)存使用了曾出現(xiàn)在高端顯存顆粒上的“Pseudo Open Drain”(虛擬開(kāi)漏極)技術(shù),，在讀取,、寫(xiě)入數(shù)據(jù)的時(shí)候漏電率只有DDR3內(nèi)存的一半。
三星稱(chēng)，上月底已經(jīng)向一家控制器制造商提供了這種DDR4內(nèi)存條的樣品進(jìn)行測(cè)試,，并計(jì)劃與多家內(nèi)存廠(chǎng)商密切合作,，幫助JEDEC組織在今年下半年完成DDR4標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范的制定工作，預(yù)計(jì)2012年開(kāi)始投入商用,。
回顧歷史，三星曾于1997年,、2001年,、2005年三次分別率先造出第一條DDR、DDR2,、DDR3內(nèi)存條,，如今又在DDR4上繼續(xù)保持了領(lǐng)先地位。
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