三星電子今天宣布,，已經(jīng)完成了歷史上第一款DDR4 DRAM規(guī)格內(nèi)存條的開發(fā),，并采用30nm級工藝制造了首批樣品,。
時至今日，DDR4內(nèi)存的標準規(guī)范仍未最終定奪,。三星這條樣品屬于UDIMM類型,，容量為2GB,，運行電壓只有1.2V,，工作頻率為2133MHz，而且憑借新的電路架構(gòu)最高可以達到3200MHz,。相比之下,，DDR3內(nèi)存的標準頻率最高僅為1600MHz，運行電壓一般為1.5V,，節(jié)能版也有1.35V,。僅此一點，DDR4內(nèi)存就可以節(jié)能最多40％,。
根據(jù)此前的規(guī)劃,，DDR4內(nèi)存頻率最高有可能高達4266MHz，電壓則有可能降至1.1V乃至1.05V,。
三星表示,，這條DDR4內(nèi)存使用了曾出現(xiàn)在高端顯存顆粒上的“Pseudo Open Drain”(虛擬開漏極)技術(shù)，在讀取,、寫入數(shù)據(jù)的時候漏電率只有DDR3內(nèi)存的一半,。
三星稱，上月底已經(jīng)向一家控制器制造商提供了這種DDR4內(nèi)存條的樣品進行測試,，并計劃與多家內(nèi)存廠商密切合作,，幫助JEDEC組織在今年下半年完成DDR4標準規(guī)范的制定工作，預計2012年開始投入商用,。
回顧歷史,，三星曾于1997年、2001年,、2005年三次分別率先造出第一條DDR,、DDR2、DDR3內(nèi)存條,，如今又在DDR4上繼續(xù)保持了領(lǐng)先地位,。
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