在中國,，時(shí)分同步碼分多址存?。?a class="innerlink" href="http://forexkbc.com/tags/TD-SCDMA" title="TD-SCDMA" target="_blank">TD-SCDMA）無線網(wǎng)絡(luò)被廣泛應(yīng)用,，而這些射頻功率晶體管已經(jīng)專為服務(wù)于上述網(wǎng)絡(luò)的基站中所使用的功率放大器進(jìn)行了優(yōu)化。這些先進(jìn)的器件是專為TD-SCDMA設(shè)計(jì)的飛思卡爾LDMOS功率晶體管系列中的最新產(chǎn)品,，而TD-SCDMA在業(yè)界被廣泛部署,。
    TD-SCDMA是在中國開發(fā)的第三代無線標(biāo)準(zhǔn),，由中國最大的無線通信運(yùn)營商使用,。根據(jù)TD-SCDMA論壇,，將近770萬用戶(約為全國3G用戶的43%)通過TD-SCDMA網(wǎng)絡(luò)接受服務(wù)。
    最新推出兩款LDMOS射頻功率晶體管
    MRF8P20160HSR3晶體管和MRF8P20100HSR3器件均采用飛思卡爾最新的高壓第八代（HV8）LDMOS技術(shù),，它提供的性能水平位居業(yè)界最高行列。兩個(gè)器件都提供對(duì)寬帶的固有支持,，所以能夠在專為TD-SCDMA的運(yùn)行而分配的兩個(gè)頻帶(1 880 MHz～1 920 MHz 及 2 010 MHz～2 025 MHz）上提供它們的額定性能,，這讓一個(gè)單獨(dú)的器件能夠?yàn)閮蓚€(gè)頻帶提供服務(wù)。
    TD-SCDMA基站中的放大器均采用Doherty架構(gòu),，該架構(gòu)包含兩個(gè)放大器,，它們共同提供所有的運(yùn)行條件。這通常要求在載波以及功率放大器的末級(jí)功峰值路徑中配置單獨(dú)的RF功率晶體管,。然而,，飛思卡爾的LDMOS晶體管均采用“雙路徑”設(shè)計(jì)，其中,，Doherty末級(jí)放大器的實(shí)施所要求的兩個(gè)放大器被集成在一個(gè)單獨(dú)的封裝內(nèi),。這將把所需設(shè)備的數(shù)量減少一半。這些優(yōu)勢(shì),，加上高增益,、高效率及低功耗,，能夠降低TD-SCDMA放大器的生產(chǎn)成本、減少所需的組件并降低放大器的復(fù)雜度,。
    MRF8P20160HSR3產(chǎn)品特性
    · 37 W的平均射頻輸出功率(P3 dB壓縮下的連續(xù)波(CW)功率為160 W）,；
    · 45.8%的能量轉(zhuǎn)換效率；
    · 16.5 dB的增益,；
    · 在輸入信號(hào)峰均比為9.9 dB的狀態(tài)下測(cè)量,，ACPR為-30.6 dB（±5 MHz偏移下的通道帶寬為3.84 MHz）。
    MRF8P20100HSR3產(chǎn)品特性
    · 20 W的平均射頻輸出功率(P3 dB壓縮下的連續(xù)波(CW)功率為126 W),；
    · 44.3%的能量轉(zhuǎn)換效率,；
    · 16 dB的增益；
    · 在輸入信號(hào)峰均比為9.9 dB的狀態(tài)下測(cè)量,，相鄰信道功率比(ACPR)為-33.5 dB（±5 MHz偏移下的通道帶寬3.84 MHz）,。
    兩款器件的工作電壓均為26 V～32 V，能在32 V直流電源下處理的電壓駐波比為10:1,，它們?cè)谠O(shè)計(jì)上是為了與數(shù)字預(yù)失真誤差校正電路一起使用,。它們?cè)趦?nèi)部構(gòu)造上互相匹配，采用氣腔陶瓷封裝,，也可提供膠帶和卷軸式封裝,。這些器件還包含保護(hù)措施，防止在裝配線上遇到靜電釋放影響,。靜電釋放保護(hù)也使門電壓在-6 V～
+10 V之間寬幅波動(dòng),，從而提高了高效模式（如C級(jí)模式）下運(yùn)行的性能。
    這些先進(jìn)的器件已成為飛思卡爾現(xiàn)有的LDMOS射頻功率放大器陣營中的成員,，用于支持TD-SCDMA的運(yùn)行,，其中包括MRF7P20040H LDMOS FET和MD7IC2050N多級(jí)集成功率放大器集成電路，每個(gè)器件均可在兩個(gè)TD-SCDMA頻帶上交付10 W的平均功率,。