1 TNY256的性能特點
　　·內(nèi)置自動重啟電路,，不需外接元件,，一旦發(fā)生輸出短路或控制環(huán)開路故障，可將占空比降低以保護芯片,。
·在輸入直流高壓電路中,，不需要使用瞬態(tài)電壓抑制器構(gòu)成的鉗位保護電路，僅用簡單的RC吸收回路即可衰減視頻噪聲,。
　　·輸入欠壓檢測電路僅需外接1只電阻,，目的是在上電時將片內(nèi)的功率MOSFET關(guān)斷,，直到直流輸入電壓VI達到欠壓保護門限電壓（100V）為止；正常工作后若VI突然降低,，對芯片也能起到保護作用,。
　　·開關(guān)頻率抖動可降低電磁輻射。
　　·輸入電壓范圍寬（85～265VAC或120～375VDC）且交,、直流兩用,。效率高，265VAC輸入時的空載功耗低于100mW,。
　　·控制方式簡單,。采用開/關(guān)控制器來代替?zhèn)鹘y(tǒng)的PWM脈寬調(diào)制器對輸出電壓進行調(diào)節(jié)，開關(guān)控制器可等效為脈沖頻率調(diào)制器（PFM）,，其調(diào)節(jié)速度更快,，對紋波的抑制能力也更強。
　　·外圍電路簡單,，可選用低成本的外圍元件,。無論在啟動時還是正常工作時，芯片所消耗的能量均由漏極電源提供,，無需再加反饋繞組及相關(guān)電路,，也不用回路補償。
　　·利用使能端可從部關(guān)斷功率MOSFET,，采用跳過時鐘周期的方式來調(diào)節(jié)負載電壓,，并且在快速上電時輸出電壓無過沖現(xiàn)象，掉電時,，功率MOSFET也不會出現(xiàn)頻率倍增現(xiàn)象,。
　　·高效、小功率輸出,，適合構(gòu)成0～16W的小功率,、低成本開關(guān)電源。
　　
2 TNY256的封裝及引腳功能
　　TNY256的三種封裝形式如圖1所示,。該器件實際上只有4個有效引腳,，D、S分別為功率MOSFET的漏極和源極,；同時S也是控制電路的公共端,。BP（BYPASS）為旁路端，該端與地（S極）間需接一只0.1μF的旁路電容器,，通過漏極和內(nèi)部電路產(chǎn)生5.8V的電源電壓給該芯片供電,。EN/UV為使能/欠壓端，正常工作時由此端控制內(nèi)部功率MOS管的通斷,，當(dāng)IEN≥50μA時,，MOSFET關(guān)斷,，該端還可用于輸入欠壓檢測，具體方法是將EN/UV端經(jīng)一只2MΩ的電阻器接VI,。

3 TNY256的工作原理
　　TNY256內(nèi)含一個700V功率MOSFET開關(guān)管和一個電源控制器,，與傳統(tǒng)的PWM脈寬調(diào)制控制方式不同，該器件采用簡單的開/關(guān)控制來調(diào)節(jié)輸出電壓使之穩(wěn)定,。TNY256的內(nèi)部結(jié)構(gòu)如圖2所示,，主要包括振蕩器、使能輸入,、5.8V穩(wěn)壓器,、BP腳欠壓保護電路、過熱保護電路,、過流保護電路,、自動重啟動計數(shù)器、輸入欠壓檢測電路,、700V功率MOSFET,。

3．1 振蕩器
　　TNY256內(nèi)部有完整的振蕩電路，無需外接阻容元件,。內(nèi)部振蕩器的典型頻率設(shè)為130kHz,，振蕩器將產(chǎn)生兩個信號：一個是最大占空比信號DCMAX，另一個是時鐘信號CLOCK,，作為每個周期的起始信號。振蕩器還具有頻率抖動功能,，頻率抖動的典型值為5kHz,，頻率抖動的調(diào)制頻率設(shè)為1kHz，以便最大限度地降低EMI,。
　　3．2 使能輸入
　　和EN/UV相連的使能輸入電路包含一個低阻抗的源極輸出器,，設(shè)定其輸出為1.5V。流過源極輸出器的電流被限制為50μA,，并有10μA的滯后特性,。當(dāng)從EN/UV引腳流出的電流超過50μA時，使能電路的輸出端產(chǎn)生一個低電平將功率MOSFET關(guān)斷,。在每個時鐘信號的上升沿（即每個周期的開始時刻）,，要對使能檢測電路的輸出進行取樣，如為高電平,，則功率MOSFET導(dǎo)通,，如為低電平，則功率MOSFET截止,。
　　3．3 5.8V穩(wěn)壓器
　　該穩(wěn)壓器的輸入端接MOSFET的漏極,，輸出端接0.1μF的旁路電容器CBP,。當(dāng)MOSFET截止時，5.8V穩(wěn)壓器對CBP充電,使VBP=5.8V,，當(dāng)MOSFET導(dǎo)通時,，改由CBP上儲存的電能向芯片供電，CBP除用來存儲電能外,，還兼有高頻退耦的作用,。
　　3．4 BP腳欠壓保護電路
　　當(dāng)VI下降而導(dǎo)致BP腳電壓低于5.1V時，功率MOSFET將被關(guān)斷,，起到輸入欠壓保護的作用,。直到BP腳電壓恢復(fù)到5.8V，MOSFET才能正常工作,。
　　3．5 過熱保護電路
　　芯片閾值結(jié)溫設(shè)定為135℃,，并有70℃的滯回特性，一旦芯片結(jié)溫超過135℃,，立即關(guān)斷功率MOSFET,，使芯片溫度降低。
　　3．6 過流保護電路
　　當(dāng)流過功率MOSFET中的電流超過極限電流ILIMTT時,，該電路將關(guān)斷功率MOSFET,。
　　為了防止因初級電容器或次級超快恢復(fù)二極管在反向恢復(fù)時間內(nèi)產(chǎn)生類峰電壓，而造成功率MOSFET誤關(guān)斷,，專門設(shè)置了前沿閉鎖電路,。它能在功率MOSFET則導(dǎo)通的短時間（tLED）內(nèi)將過流比較器輸出的尖峰電壓封鎖掉，可避免功率MOSFET在剛導(dǎo)通后又被類峰電壓關(guān)斷而產(chǎn)生誤動作,。
　　3．7 自動重啟計數(shù)據(jù)
　　當(dāng)電路發(fā)生輸出過載,、輸出短路或控制環(huán)開路等故障時，TNY256進入自動重啟工作狀態(tài),。當(dāng)EN/UV腳變?yōu)榈碗娖綍r,，內(nèi)部計數(shù)器被復(fù)位。如在32ms內(nèi)EN/UV腳沒有變?yōu)榈碗娖?，在正常情況下功率MOSFET將會停止工作128ms（如在欠壓情況下,，它會一直停止工作直到欠壓消除）。在故障沒有排除之前,，自動重啟計數(shù)器將交替代功率MOSFET工作和不工作,。
　　3．8 輸入欠壓檢測電路
　　將一外接電阻器（2MΩ）連接在VI和EN/UV腳即可監(jiān)視輸入電壓，在上電時將功率MOSFET關(guān)斷,，直到直流輸入電壓V1達到欠壓保護閾值（100V）為止,；正常工作后如VI突然降低，也會將功率MOSFET關(guān)斷，起到保護作用,。在自動重啟狀態(tài)下功率MOSFET將停止工作,，此時哪存在欠壓條件，自動重啟動計數(shù)器將停止計數(shù),。如EN/UV腳未接外部電阻器,，則輸入欠壓檢測功能將被禁止。
　　
4 TNY256的典型應(yīng)用
　　由TNY256組成的5.5W,、9VDC電源適配器電路如圖3所示,，交流輸入電壓范圍為85～265V。圖中U2為光磁耦合器SFH615-2,，U3為可調(diào)式并聯(lián)精密穩(wěn)壓器TL431CLP,，F(xiàn)1為保險絲電阻器。85～265V交流電經(jīng)過D1～D4橋式整流和C1,、C2濾波后,，得到約300V的直流高壓VI。鑒于在功率MOSFET關(guān)斷瞬間,，脈沖變壓器的漏感會產(chǎn)生尖峰電壓,，因此，由電阻器R3,、C3和超快恢復(fù)二極管D5（1N4937）組成的功率MOSFET漏極鉗位保護電路,，可有效抑制漏極上的反向峰值電壓，從而保護TNY256內(nèi)的功率MOSFET不受損壞,。C3選用10000pF/1kV的高壓陶瓷電容器,。

　　次級電壓通過D6、C6,、C7,、L3和C8整充濾波后，得到9V,、0.6A的直流輸出。D4采用MBR360的肖特基二極管,。為了抑制初,、次級之間的共模干擾，在初,、次級的同名端還并聯(lián)一只2200pF/2kV的高壓陶瓷電容C5,。輸出電壓由精密電阻R7、R8決定,，電阻R9為TL431的限流電阻,。
　　
5 TNY256的使用注意事項
　　TNY256在中等負載或輕負載下工作時會跳過一些時鐘周期，這容易使高頻變壓器產(chǎn)生音頻噪聲干擾,。為減小此干擾,，宜選磁通密度小于0.3T的磁芯材料,。此外，最好用TVS二極管和陶瓷電容構(gòu)成的漏極箝位保護電路來衰減視頻噪聲,。
　　使用TNY256系列時推薦的一種印制板設(shè)計如圖4所示,。

　 設(shè)計時需注意以下幾點：
　　·連接輸入濾波電容器、高頻變壓器初級如TNY256回路的覆銅面積應(yīng)盡量小,。
　　·DIP-8封裝的TNY256系列電路是靠覆銅接地來散熱的,，圖中打斜線的面積要足夠大，確保散熱良好,。
　　·安全電容器要直接焊接在初級接地端和次級返回端之間,。
　　·連接次級線圈、輸出級整流管和濾波電容器的回路面積應(yīng)盡量小,，但整流管焊盤附近的覆銅要足夠大,，以確保散熱良好。
　　·為減小耦合噪聲,，光耦晶體管到EN/UV腳和源極S腳的布線要盡可能短,。欠壓檢測電阻器要盡可能靠近EN/UV腳。