日前,，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新款8V P溝道TrenchFET® 功率MOSFET---SiA427DJ,。新器件采用2mm x 2mm占位面積的熱增強型PowerPAK® SC-70封裝,，具有迄今為止P溝道器件所能達到的最低導通電阻。
　
　　SiA427DJ在4.5V,、1.8V,、1.5V和1.2V下分別具有16mΩ、26mΩ,、32mΩ和95mΩ的超低導通電阻,。最接近的競爭器件是具有8V柵源電壓等級的20V P溝道功率MOSFET，在4.5V,、1.8V和1.5V柵極驅(qū)動下的導通電阻分別為25.8mΩ,、41.1mΩ和63.2mΩ，分別比SiA427DJ高36%,、37%和47%,。與采用標準SC-70封裝的典型器件相比，在占用相同PCB面積的情況下，PowerPAK SC 70在相同環(huán)境條件下可處理的功率耗散多40%,。
　
　　SiA427DJ所采用的超小尺寸PowerPAK SC-70封裝為小型手持式電子設備進行了優(yōu)化,。新器件可用做手機、智能手機,、MP3播放器,、數(shù)碼相機、電子書和平板電腦等便攜式設備中的負載開關(guān),。
　
　　對于這些設備而言,，SiA427DJ更低的導通電阻意味著可實現(xiàn)更低的導通損耗，從而延長兩次充電之間的電池壽命,。器件在1.2V下的低導通電阻非常適合低總線電壓,。當電源線電壓波動時，使用1.2V電源總線的應用也能夠享受到MOSFET在1.5V和1.8V下低導通電阻的好處,，讓SiA427DJ能夠發(fā)揮最佳的整體節(jié)能效果,。
　
　　MOSFET經(jīng)過了100%的Rg測試，符合IEC 61249-2-21的無鹵素規(guī)定和RoHS指令2002/95/EC,。
　
　　新款SiA427DJ TrenchFET功率MOSFET現(xiàn)可提供樣品,，并已實現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為十二周到十四周,。