2011年1月19日,，英飛凌位于奧地利菲拉赫工廠生產(chǎn)的第35億顆CoolMOS™ 高壓MOSFET順利下線,。這使英飛凌成為全球最成功的500V至900V晶體管供應(yīng)商,。通過不斷改進芯片架構(gòu),，使得CoolMOS™ 晶體管技術(shù)不斷優(yōu)化,，這為取得成功奠定了堅實基礎(chǔ),。
　
　　在晶體管問世55年后，英飛凌于2002年憑借突破性的CoolMOS™ 晶體管技術(shù),，喜獲“德國工業(yè)創(chuàng)新獎”,。這種高壓功率晶體管提升了一系列產(chǎn)品的能效，例如PC電源,、服務(wù)器,、太陽能逆變器,、照明設(shè)備與通信電源設(shè)備等。而且這些節(jié)能晶體管如今還是各種消費類電子產(chǎn)品的核心器件,，例如平板電視和游戲機等,。當前所有電力工業(yè)設(shè)備和家用電器的都將高能效和節(jié)能做為主要性能指標。采用英飛凌的高能效半導(dǎo)體解決方案可使全球節(jié)省25%的能耗,。例如,，通過選用CoolMOS™產(chǎn)品，服務(wù)器電路板的功耗可減少約30W,。全球服務(wù)器若按約6,000萬臺計算,，共計可節(jié)電18億瓦，這相當于一座核電站的發(fā)電量,。
　
　　英飛凌副總裁兼電源管理與供應(yīng)分立式器件業(yè)務(wù)總經(jīng)理Andreas Urschitz指出：“我們堅持不懈地提升CoolMOS™ 晶體管技術(shù),，確保能效達到最優(yōu)，使客戶具備強有力的競爭優(yōu)勢,。我們?yōu)閷崿F(xiàn)資源利用可持續(xù)利用做出了巨大的貢獻,，此舉造福子孫后代。臺灣高雄足球場的太陽能發(fā)電系統(tǒng)就是采用我們CoolMOS™ 技術(shù)的很成功例子,。太陽能逆變器選用CoolMOS™芯片,，可確保最高的能效。該太陽能發(fā)電站的年發(fā)電量可達110萬千瓦小時,，并年均減少約660噸的碳排放,。”
　
代表最新技術(shù)的650V CoolMOS™ CFD2
　　英飛凌目前正推出另一項重要的創(chuàng)新型高壓CoolMOS™ MOSFET。這種全新的650V CoolMOS™ CFD2是全球首款具備650V漏源電壓并集成快速體二極管的高壓晶體管,。較軟的換向性能帶來更出色的抗電磁干擾特性,，從而使該器件競爭力首屈一指。CoolMOS™ CFD 2 650V產(chǎn)品具備快速開關(guān)超結(jié)結(jié)構(gòu)MOSFET的所有優(yōu)點,，例如更高的輕載效率,、更低的柵極電荷、方便的使用和出色的可靠性,。英飛凌預(yù)計這種晶體管的最大潛在市場主要集中在太陽能逆變器,、電腦服務(wù)器、LED照明和通信設(shè)備等領(lǐng)域,。有關(guān)全新CFD2產(chǎn)品系列的更多信息可查詢以下網(wǎng)站：www.infineon.com/cfd2,。
　
英飛凌的CoolMOS™ 技術(shù)
　　革命性的CoolMOS™ 功率晶體管系列在能效方面樹立了行業(yè)新標桿。作為高壓MOSFET技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者,，CoolMOS™ 可大幅降低導(dǎo)通和開關(guān)損耗,，確保高端電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)實現(xiàn)高功率密度和高能效。針對應(yīng)用專門優(yōu)化的CoolMOS™器件適用于消費類產(chǎn)品,、可再生能源,、通信電源,、適配器和其他產(chǎn)品。憑借其出類拔萃的性價比,，CoolMOS™ 成為滿足目前不斷攀升的能源需求的理想之選,。尤其是最新的，代表最高技術(shù)含量的高壓功率MOSFET使交流/直流電源系統(tǒng)更高效,、更緊湊,、更輕更涼。這種高壓MOSFET之所以取得這樣的成功,，得益于其每種封裝上具備最低的通態(tài)電阻,、最快的開關(guān)速度和最低的柵極驅(qū)動需求。更多信息可查詢以下網(wǎng)站：www.infineon.com/CoolMOS,。