電子元件-AET-電子技術應用

Cambridge GaN Devices 推出第二代 ICeGaN ICs，在同類產品中擁有出色的穩(wěn)健性、易用性和高效率

　　英國劍橋 - Cambridge GaN Devices （CGD）是一家無晶圓廠環(huán)保科技半導體公司，開發(fā)了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更環(huán)保的電子器件。CGD 今日宣布推出其 ICeGaN? 650 V 氮化鎵 HEMT H2 系列產品，該器件具備業(yè)界領先的穩(wěn)健性、易用性，可實現(xiàn)歷史最高效率。H2 系列 ICeGaN HEMT 采用 CGD 智能柵極接口，該接口幾乎消除了典型 e-mode GaN 的弱點，過壓穩(wěn)健性顯著提高，可提供更高的噪聲抗擾閾值，實現(xiàn) dV/dt 抑制和 ESD 保護。與上一代器件相同，新型 650 V H2 ICeGaN 晶體管的驅動方式與 Si MOSFET 類似，無需復雜低效的電路，而是采用商用工業(yè)柵極驅動器。最后，與硅器件相比，H2 ICeGaN HEMT 的 QG 低 10 倍，QOSS 低 5 倍，這使得 H2 ICeGaN HEMT 在高開關頻率下能大幅降低開關損耗，并縮小尺寸，減輕重量。基于這些優(yōu)勢，該產品在同類產品中具備領先的效率性能，并且與 SMPS 應用中業(yè)界出色的 Si MOSFET 相比，其性能提升了 2%。

發(fā)表于：5/16/2023

王化：小米武漢總部超35歲員工裁員90%的消息皆為謠言

5月14日，小米集團公關部總經理 @王化發(fā)表聲明，對于網(wǎng)傳小米武漢第二總部對 35 歲以上員工裁員 90% 的消息進行了回應。

發(fā)表于：5/15/2023

英飛凌推出面向汽車應用的新型 OptiMOS? 7 40V MOSFET系列，改進導通電阻、提升開關效率和設計魯棒性

　　【2023 年 5 月 12 日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE 代碼：IFX / OTCQX 代碼：IFNNY）推出 OptiMOS? 7 40V MOSFET 系列。作為英飛凌最新一代面向汽車應用的功率 MOSFET，OptiMOS? 7 40V MOSFET提供多種無引腳、堅固的功率封裝。該系列產品采用了 300 毫米薄晶圓技術和創(chuàng)新的封裝，相比于其它采用微型封裝的器件，具有顯著的性能優(yōu)勢。這使得全新 MOSFET 成為所有的標準和未來車用 40V MOSFET 應用的理想選擇，如電動助力轉向系統(tǒng)、制動系統(tǒng)、斷開開關和新區(qū)域架構。OptiMOS 7 系列產品還可用于電池管理、電子保險絲盒以及 DC-DC 和 BLDC 驅動器。

發(fā)表于：5/15/2023

英飛凌的 CoolSiC? XHP? 2高功率模塊助力推動節(jié)能電氣化列車低碳化

　　【2023 年 5 月 12 日，德國慕尼黑訊】為了實現(xiàn)全球氣候目標，交通運輸必須轉用更加環(huán)保的車輛，比如節(jié)能的電氣化列車。然而，列車運行有苛刻的運行條件，需要頻繁加速和制動，且要在相當長的使用壽命內可靠運行。因此，它們需要采用具備高功率密度、高可靠性和高質量的節(jié)能牽引應用。

發(fā)表于：5/15/2023

貿澤開售面向工業(yè)和IoT應用的STMicroelectronics ISM330IS和ISN330ISN iNEMO慣性模塊

　　2023年5月12日 –專注于引入新品推動行業(yè)創(chuàng)新?的電子元器件代理商貿澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開始供貨STMicroelectronics的ISM330IS和ISN330ISN iNEMO慣性模塊。這些模塊結合了三軸數(shù)字加速度計和三軸數(shù)字陀螺儀，是集成式系統(tǒng)級封裝解決方案。始終開啟的低功耗特性使得這些慣性模塊可在工業(yè)和物聯(lián)網(wǎng) (IoT) 應用中實現(xiàn)出色的性能，包括工業(yè)機器人、資產跟蹤、狀態(tài)監(jiān)測和復雜運動檢測。

發(fā)表于：5/15/2023

貿澤開售面向安全應用的英飛凌OPTIGA Trust M物聯(lián)網(wǎng)安全開發(fā)套件

　　2023年5月11日 – 專注于引入新品的全球半導體和電子元器件授權代理商貿澤電子（Mouser Electronics）即日起供貨英飛凌的OPTIGA? Trust M物聯(lián)網(wǎng)安全開發(fā)套件。OPTIGA? Trust M物聯(lián)網(wǎng)安全開發(fā)套件用于為智能家居、工業(yè)自動化和企業(yè)設備等開發(fā)和評估端到端安全用例。

發(fā)表于：5/14/2023

共同推進電動汽車發(fā)展英飛凌與鴻海簽訂合作備忘錄，將在臺灣地區(qū)設立車用系統(tǒng)應用中心

　　2023 年 5 月 10 日，德國慕尼黑訊】全球車用半導體領導廠商英飛凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）與全球最大的科技制造與服務商鴻海科技集團（TWSE:2317）近日宣布已簽訂一份合作備忘錄，雙方將在電動汽車領域建立長期的合作關系，共同致力于開發(fā)具備高能效與先進智能功能的電動汽車。

發(fā)表于：5/14/2023

Diodes 公司高效率降壓轉換器提供各種 POL 設計多樣性

　　【2023 年 5 月 11 日美國德州普拉諾訊】Diodes 公司（Diodes）（Nasdaq：DIOD）宣布推出同步降壓轉換器產品組合的新產品。AP62500 和 AP62800 的連續(xù)輸出電流額定值分別為 5A 和 8A，讓工程師在開發(fā)針對效率或尺寸進行優(yōu)化的負載點（POL）解決方案時，更具彈性。這些裝置能夠以最少的組件數(shù)量達成小巧緊湊的實作，主要運用于大眾市場消費性產品，例如 5V 和 12V 分布式電源總線供應器、電視機和顯示器、白色家電和小型家電、FPGA、DSP 和 ASIC 電源、家庭音響、網(wǎng)絡系統(tǒng)、游戲機、消費電子產品和通用負載點。

發(fā)表于：5/14/2023

突發(fā)！OPPO終止芯片自研業(yè)務！

5月12日消息，OPPO宣布終止旗下主打芯片設計能力ZEKU（哲庫）的業(yè)務！

發(fā)表于：5/12/2023

Q1美國芯片進口額增長13% 從印度進口暴增近38倍

集微網(wǎng)消息，今年第一季度，美國芯片進口額增長13%至154億美元。其中中國大陸對美國的芯片出口同比減少10.8%至7.1億美元

發(fā)表于：5/12/2023

聯(lián)動車業(yè)、攜手芯企、共贏四化——大聯(lián)大及伙伴共推車用技術創(chuàng)新和高效供應

中國，深圳 - 2023年5月11日 – 由致力于亞太地區(qū)市場的國際領先半導體元器件分銷商大聯(lián)大控股主辦的、以 “駛向未來：預約下一個十五?五馳騁世界”為主題的汽車技術應用路演深圳站今日圓滿落幕。大聯(lián)大代理的近20條中外產線，以及大聯(lián)大自身強大的車用技術團隊為本次活動帶來精彩的演講和現(xiàn)場演示，在本次路演上海站之后再次吸引了眾多專業(yè)人士的參與。

發(fā)表于：5/11/2023

智慧醫(yī)療市場背后，元器件廠商的核心價值在哪里？

如今的傳統(tǒng)醫(yī)療行業(yè)正面臨著資源分配不均、人工供給不足、協(xié)作效率低等痛點，加速了醫(yī)療行業(yè)的深度變革。同時，疊加底層技術升級和政策牽引的雙重buff，讓智慧醫(yī)療站在了風口上。然而，不同于消費領域，醫(yī)療產業(yè)對包括芯片和元器件在內的核心技術擁有極其嚴苛的標準。對元器件廠商而言，如何憑借自身硬實力，打通上下游產業(yè)鏈將成為其在智慧醫(yī)療革新中出奇制勝的關鍵因素。

發(fā)表于：5/11/2023

EIE組合磁材磁集成變壓器的設計與研究

針對帶有功率因素校正功能的LLC諧振變換器，提出了一種新型EIE組合磁材磁集成變壓器，采用解耦集成的方式將PFC電感、LLC諧振電感以及LLC高頻變壓器這三個獨立的磁性元件集成到一起。詳細介紹了磁集成變壓器設計方法，并利用ANSYS Maxwell仿真軟件對EIE組合磁材磁集成變壓器進行建模仿真。比較錳鋅鐵氧體材料與鐵硅鋁磁粉芯材料的特點后，為了提高變壓器的抗飽和能力，選用I型磁芯材質為鐵硅鋁磁粉芯。最后，搭建了一臺輸出功率為100 W的實驗樣機證實了EIE組合磁材磁集成變壓器設計方法的可行性。

發(fā)表于：5/11/2023

反激變換器開關噪聲抑制策略

多用于小功率輔助電源的反激變換器拓撲，功率器件的導通及關斷噪聲在高壓輸入的情況下更加嚴重，甚至導致芯片無法正常工作。首先分析了反激變換器噪聲的產生機理，通過控制變壓器漏感，結合變換器負載條件以抑制輸出導通噪聲；其次，利用TL431及光耦變換器特性，設計可變補償網(wǎng)絡，從環(huán)路控制方面補償漏感變化造成的系統(tǒng)性能降低；最后，搭建輸入430 V~650 V，多路輸出共10 W的反激輔助電源，實驗結果驗證了設計的可行性與正確性。

發(fā)表于：5/11/2023

Nexperia首創(chuàng)交互式數(shù)據(jù)手冊，助力工程師隨時隨地分析MOSFET行為

Nexperia今天宣布推出與功率MOSFET配套使用的新一代交互式數(shù)據(jù)手冊，大幅提升了對半導體工程師的設計支持標準。通過操作數(shù)據(jù)手冊中的交互式滑塊，用戶可以手動調整其電路應用的電壓、電流、溫度和其他條件，并觀察器件的工作點如何動態(tài)響應這些變化。

發(fā)表于：5/11/2023