電子元件-AET-電子技術(shù)應(yīng)用

Transphorm發(fā)布業(yè)界首款1200伏GaN-on-Sapphire器件的仿真模型

　　加州戈利塔--（2023年5月31日）-- 高可靠性、高性能氮化鎵（GaN）電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的先鋒企業(yè)和全球供應(yīng)商Transphorm, Inc. （Nasdaq: TGAN）宣布推出其1200伏功率管仿真模型及初始規(guī)格書。TP120H070WS功率管是迄今為止推出的唯一一款1200伏GaN-on-Sapphire功率半導(dǎo)體，領(lǐng)先同類產(chǎn)品。這款產(chǎn)品的發(fā)布展現(xiàn)Transphorm有能力支持未來的汽車電力系統(tǒng)，以及已普遍用于工業(yè)、數(shù)據(jù)通信和可再生能源市場的三相電力系統(tǒng)。與替代技術(shù)相比，這些應(yīng)用可受益于1200伏氮化鎵器件更高的功率密度及更優(yōu)異的可靠性、同等或更優(yōu)越的性能，以及更為合理的成本。Transphorm近期已驗證了氮化鎵器件在100kHz開關(guān)頻率的5kW 900伏降壓轉(zhuǎn)換器中更高的性能。1200伏氮化鎵器件實現(xiàn)了98.7%的效率，超過了具有類似額定值的量產(chǎn)SiC MOSFET。

發(fā)表于：6/1/2023

Vishay推出厚膜功率電阻器

　　美國賓夕法尼亞 MALVERN、中國上海 — 2023年5月31日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出一款通過AEC-Q200認(rèn)證，采用SOT-227小型封裝，可直接安裝在散熱器上的全新厚膜功率電阻---ISOA。Vishay MCB ISOA具有高脈沖處理能力，在85 °C底殼溫度下，功率耗散達(dá)120 W，可選配NTC熱敏電阻用于內(nèi)部溫度監(jiān)控，預(yù)涂相變熱界面材料（PC-TIM）提高貼裝效率。

發(fā)表于：6/1/2023

風(fēng)口將至：LTPO技術(shù)能否成為高端智能手機(jī)標(biāo)配？

自2021年蘋果將LTPO技術(shù)引入iPhone以來，高刷及可變刷新率的特性有效提升產(chǎn)品續(xù)航的同時，也為智能手機(jī)屏幕技術(shù)的演進(jìn)開辟了新方向。

發(fā)表于：6/1/2023

TI降價埋伏筆，本土模擬芯片公司面臨的黎明殺機(jī)

經(jīng)歷了營收和凈利潤兩季連降之后，德州儀器（TI）今年5月全面下調(diào)了中國市場的芯片價格，試圖在行業(yè)復(fù)蘇前的至暗時刻，通過降維打擊搶占更多的市場份額。

發(fā)表于：5/31/2023

英偉達(dá)市值破萬億美元，GPU龍頭的稱霸之路

對于英偉達(dá)乃至整個芯片產(chǎn)業(yè)來說，昨天晚上都是一個值得被銘記的日子。因為乘著這波ChatGPT帶來的芯片熱潮，英偉達(dá)市值首度突破一萬億美元（隨后又跌了下來）。

發(fā)表于：5/31/2023

Vishay推出新型第三代650 V SiC肖特基二極管，提升開關(guān)電源設(shè)計能效和可靠性

　　美國賓夕法尼亞 MALVERN、中國上海 - 2023年5月23日 - 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出17款新型第三代650 V 碳化硅（SiC）肖特基二極管。Vishay Semiconductors器件采用混合PIN Schottky（MPS）結(jié)構(gòu)設(shè)計，具有高浪涌電流保護(hù)能力，正向壓降、電容電荷和反向漏電流低，有助于提升開關(guān)電源設(shè)計能效和可靠性。

發(fā)表于：5/31/2023

東芝推出有助于降低設(shè)備待機(jī)功耗的高電壓、低電流消耗LDO穩(wěn)壓器

　　中國上海，2023年5月23日--東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出新TCR1HF系列LDO穩(wěn)壓器的前三款產(chǎn)品--“TCR1HF18B”、“TCR1HF33B”和“TCR1HF50B”，分別提供1.8V、3.3V和5.0V的輸出電壓。該系列穩(wěn)壓器可提供高電壓、寬輸入電壓范圍及業(yè)界最低[1]的待機(jī)電流消耗。三款器件于今日開始支持批量出貨。

發(fā)表于：5/30/2023

未來十年的芯片路線圖

Imec 是世界上最先進(jìn)的半導(dǎo)體研究公司，最近在比利時安特衛(wèi)普舉行的 ITF 世界活動上分享了其亞 1 納米硅和晶體管路線圖。該路線圖讓我們了解了到 2036 年公司將在其實驗室與臺積電、英特爾、Nvidia、AMD、三星和 ASML 等行業(yè)巨頭合作研發(fā)下一個主要工藝節(jié)點和晶體管架構(gòu)的時間表，在許多其他人中。該公司還概述了向其所謂的 CMOS 2.0 的轉(zhuǎn)變，這將涉及將芯片的功能單元（如 L1 和 L2 緩存）分解為比當(dāng)今基于小芯片的方法更先進(jìn)的 3D 設(shè)計。

發(fā)表于：5/30/2023

美日荷半導(dǎo)體管控對我國有何影響？

美日半導(dǎo)體管控已經(jīng)落實，荷蘭的半導(dǎo)體設(shè)備管制政策也在醞釀中，綜合這三大國家的半導(dǎo)體設(shè)備出口管制政策來看，管制清單中的半導(dǎo)體設(shè)備種類如何界定，對國內(nèi)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展又有哪些影響？本文將探討。

發(fā)表于：5/25/2023

貿(mào)澤電子第九次榮獲TE Connectivity年度全球卓越服務(wù)代理商獎

　　2023年5月19日 – 提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入（NPI）代理商貿(mào)澤電子（Mouser Electronics）宣布第九次榮獲全球連接器和傳感器知名供應(yīng)商TE Connectivity （TE）頒發(fā)的年度全球卓越服務(wù)代理商獎。此項大獎肯定了貿(mào)澤電子2022年在銷量增長、市場份額增長、客戶增長以及在商業(yè)推廣計劃方面的杰出表現(xiàn)。

發(fā)表于：5/24/2023

e絡(luò)盟開售TE Connectivity最新系列連接和傳感器解決方案

　　中國上海，2023年5月19日 – 安富利旗下全球電子元器件產(chǎn)品與解決方案分銷商e絡(luò)盟新增來自TE Connectivity的最新系列連接器和傳感器解決方案，進(jìn)一步擴(kuò)充其TE Connectivity產(chǎn)品陣容。新增系列產(chǎn)品將助力客戶在電動汽車、電源、飛機(jī)、數(shù)字工廠、智能家居、救生醫(yī)療服務(wù)、高效公用事業(yè)網(wǎng)絡(luò)及全球通信基礎(chǔ)設(shè)施等領(lǐng)域快速實現(xiàn)創(chuàng)新應(yīng)用開發(fā)。

發(fā)表于：5/24/2023

轉(zhuǎn)化4億塑料瓶，SABIC再推出全新可持續(xù)LNP?改性料

　　LNP? ELCRIN? WF0051iQ。作為不斷壯大的可持續(xù)iQ樹脂家族的最新成員，該產(chǎn)品是電氣類應(yīng)用的優(yōu)異可選材料。這款新牌號材料能夠助力SABIC進(jìn)一步對消費(fèi)后聚對苯二甲酸乙二醇酯（PET）瓶進(jìn)行轉(zhuǎn)化，通過化學(xué)方法將其升級回收為聚對苯二甲酸丁二醇酯（PBT）樹脂。截止2022年底，SABIC已通過其iQ升級回收技術(shù)轉(zhuǎn)化了4億個0.5升的PET瓶。

發(fā)表于：5/24/2023

“美光被限”后，再看我國存儲IC

“網(wǎng)信中國”5月21日宣布，美光公司未能通過網(wǎng)絡(luò)安全審查，按照《網(wǎng)絡(luò)安全法》等法律法規(guī)，我國內(nèi)關(guān)鍵信息基礎(chǔ)設(shè)施的運(yùn)營者應(yīng)停止采購美光公司產(chǎn)品。

發(fā)表于：5/24/2023

日本將從7月23日起限制尖端半導(dǎo)體制造設(shè)備出口

據(jù)日本經(jīng)濟(jì)新聞報道，日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省今日（5月23日）公布了外匯法法令修正案，將先進(jìn)芯片制造設(shè)備等23個品類追加列入出口管理的管制對象，上述修正案在經(jīng)過2個月的公告期后，將在7月23日實行。

發(fā)表于：5/24/2023

納芯微的十年“芯”路歷程

2013年05月17日，年輕的王升楊和盛云創(chuàng)辦了蘇州納芯微電子股份有限公司，隨著王一峰加盟成為共同創(chuàng)始人，管理、技術(shù)和市場三架馬車?yán){芯微駛?cè)肓税l(fā)展的快車道。日前，在“納芯微十周年暨2023媒體溝通會”上，納芯微CEO王升楊、CTO盛云和CTO王一峰講述了納芯微的十年創(chuàng)業(yè)史。納芯微“一帆風(fēng)順”發(fā)展的十年可以歸結(jié)為兩個關(guān)鍵詞，“兩次抉擇”和“兩次機(jī)遇”。

發(fā)表于：5/23/2023