瑞薩電子基于SOTB工藝的嵌入式閃存低功耗技術(shù)刷新讀取能耗新極限
發(fā)表于:6/15/2019
拓墣產(chǎn)業(yè)研究院表示:美中貿(mào)易戰(zhàn)升溫,,全球晶圓代工業(yè)產(chǎn)值恐將衰退近3%
發(fā)表于:6/14/2019
NAND閃存的價(jià)格一跌再跌,,該出手時(shí)就出手
發(fā)表于:6/14/2019
三星已成功研發(fā)8nm LPDDR5內(nèi)存,提速至7.3Gbps
發(fā)表于:6/14/2019