微波射頻-AET-電子技術(shù)應用

Vishay發(fā)布2011年“Super 12”特色產(chǎn)品

賓夕法尼亞、MALVERN — 2011 年 5 月 18 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，Vishay發(fā)布2011年的“Super 12”特色產(chǎn)品。這些元器件具有業(yè)界領先的規(guī)格標準，如導通電阻、導通電阻與柵極電荷乘積(FOM)、溫度范圍和電流等級。這些創(chuàng)新產(chǎn)品在 http://www.vishay.com/landingpage/super12/ver3/ 進行展示，是許多關(guān)鍵應用的上佳之選，也充分反映出Vishay產(chǎn)品線之豐富。

發(fā)表于：5/18/2011

IR為節(jié)能照明應用推出業(yè)界首款采用8引腳SO-8封裝的功率因數(shù)校正和鎮(zhèn)流器控制IC

全球功率半導體和管理方案領導廠商國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 今天推出業(yè)界首款集成在單個緊湊型8引腳SO-8封裝的功率因數(shù)校正(PFC) 和鎮(zhèn)流器控制IC ——IRS2580DS Combo8 IC。新器件除了能夠簡化設計，更可以減少整體組件數(shù)量，從而能加快節(jié)能照明應用的設計過程。

發(fā)表于：5/18/2011

一場基于對象的存儲新技術(shù)的變革正在發(fā)生

存儲世界正在發(fā)生一場基于對象的存儲新技術(shù)的變革。

發(fā)表于：5/18/2011

Vishay推出應用于航空、航天領域的新款液鉭電容器

Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出采用鉭外殼和glass-to-tantalum密封的新系列液鉭電容器——T16，該器件特別適用于航空、航天領域。T16電解電容器具有Vishay SuperTan®系列器件的所有優(yōu)點，同時還具有更好的反向電壓和高耐震性能。 T16的性能有很大提高，在+85℃下的反向電壓為1.5V；采用高可靠性設計提高了產(chǎn)品的抗震動（正弦：20g；隨機：27.7g）、抗熱沖擊和機械沖擊的能力。初步發(fā)布的產(chǎn)品采用D尺寸編碼，150µF～680µF的高容值，在120Hz和+25℃的標準容差為±20%，也提供±10%和±5%的容差。

發(fā)表于：5/17/2011

汽車安全系統(tǒng)中的攝像頭技術(shù)

在上世紀60年代，汽車業(yè)將注意力轉(zhuǎn)向?qū)ふ夷軌虮ＷC駕駛者和乘客安全的創(chuàng)新方法。結(jié)果如何呢？出現(xiàn)了緩沖方向盤和儀表板、座椅安全帶，以及其后的安全氣囊和電子穩(wěn)定性控制系統(tǒng)。自那時起，汽車工程師便一直在探索保護行人、駕駛者和乘客安全的方法。因此，汽車業(yè)在提高安全性方面取得了巨大進步，從制動防抱死和多個安全氣囊，以至后視攝像系統(tǒng)和先進的導航系統(tǒng)。

發(fā)表于：5/17/2011

導電聚合物薄膜電阻率測量系統(tǒng)的設計

目前，進行較高電阻率測量時可以按照國標(GB3048.3—83)方法搭建測量電路。但是，該方法對樣品的外形有嚴格要求，電路搭建費時、耗力；激勵電壓大小難于掌控，電壓過小影響測量精度，電壓過大會導致較大的電流，可能影響樣品特性，且過高的電壓危險性很大。為了避免壓片、塑型等前處理過程，也為了在寬范圍內(nèi)準確、安全地測量，這里進行了必要的改進。

發(fā)表于：5/16/2011

硬件設計中電容電感磁珠總結(jié)

為了濾除電源電路對系統(tǒng)的噪聲干擾，往往在電源輸出增加一個電感或磁珠，以濾除電源電路帶來的噪聲。電感的濾波是反射式濾波，對各種頻率的信號都有衰減，磁珠則是吸收式濾波，只對1KHz信號有大的衰減，對其他信號衰減較小。磁珠有時需要考慮其散熱，否則會影響其導磁性能。

發(fā)表于：5/13/2011

電阻電位器：傳統(tǒng)與新型產(chǎn)品并行發(fā)展

我國電阻電位器企業(yè)通過引進和自主創(chuàng)新，核心競爭力不斷提升，20年來，總產(chǎn)量增長了近80倍，片式化小型化是電阻電位器未來的發(fā)展趨勢。

發(fā)表于：5/13/2011

四個獨立電阻器的網(wǎng)絡在 -40ºC 至 125ºC 溫度范圍具有 0.005% 的保證 CMRR 匹配準確度

凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出公司第一個精確匹配的電阻器網(wǎng)絡器件系列 LT5400，該系列器件為差分放大器、精準分壓器、基準和橋式電路中的高性能信號調(diào)理應用而設計。三款可選版本已全面投產(chǎn)，分別是電阻比率為 1:1 和 10:1 的四個 10K 電阻、四個 100K 電阻和兩個 10K / 兩個 100K 電阻。每款 LT5400 系列器件在 -40°C 至 85°C 的溫度范圍內(nèi)提供了 0.01% 的保證匹配準確度，而在 -40°C 至 125°C 則提供 0.0125%。LT5400 的匹配性能利用“CMRR 匹配”得以增強，這是在采用差分放大器電路配置時用于保證 CMRR 性能的一種新度量標準。LT5400 的 CMRR 匹配誤差僅為 0.005%，比采用獨立電阻器時的 0.01% 匹配誤差改進了 2 倍。

發(fā)表于：5/12/2011

Diodes全新DFN3020封裝MOSFET節(jié)省七成空間

Diodes公司推出旗下有助節(jié)省空間的DFN3020封裝分立式產(chǎn)品系列的首批MOSFET。這三款雙MOSFET組合包含了20V和30V N溝道及30V互補器件。這些雙DFN3020 MOSFET的電學性能與較大的SOT23封裝器件不相上下，可以替代兩個獨立的SOT23封裝MOSFET，節(jié)省七成的電路板空間。

發(fā)表于：5/12/2011

低抖動Q開關(guān)光電轉(zhuǎn)換及觸發(fā)系統(tǒng)

為了實現(xiàn)在Z箍縮負載上大于8 MA的電流輸出，一個由24路模塊組成的Z裝置被提出。因此功率合成技術(shù)成為了Z箍縮裝置的核心技術(shù)之一，而功率合成的關(guān)鍵在于實現(xiàn)24個激光觸發(fā)主開關(guān)的同步性。作為主開關(guān)同步觸發(fā)系統(tǒng)的重要組成部分，本文開展了低抖動激光器Q開關(guān)光電轉(zhuǎn)換及觸發(fā)系統(tǒng)的研究。

發(fā)表于：5/12/2011

全球NAND閃存市場一季度營收環(huán)比增長10%

據(jù)臺灣《電子時報》報道，市場調(diào)研公司集邦科技日前發(fā)布了一季度全球NAND閃存市場統(tǒng)計報告，全球閃存市場一季度營收環(huán)比增長率接近10%。

發(fā)表于：5/12/2011

PCB阻抗控制技術(shù)

隨著電路設計日趨復雜和高速，如何保證各種信號（特別是高速信號）完整性，也就是保證信號質(zhì)量，成為難題。此時，需要借助傳輸線理論進行分析，控制信號線的特征阻抗匹配成為關(guān)鍵，不嚴格的阻抗控制，將引發(fā)相當大的信號反射和信號失真，導致設計失敗。常見的信號，如PCI總線、PCI-E總線、USB、以太網(wǎng)、DDR內(nèi)存、LVDS信號等，均需要進行阻抗控制。阻抗控制最終需要通過PCB設計實現(xiàn)，對PCB板工藝也提出更高要求，經(jīng)過與PCB廠的溝通，并結(jié)合EDA軟件的使用，我對這個問題有了一些粗淺的認識，愿和大家分享。

發(fā)表于：5/11/2011

日本MEMS供應最新評估：只有5家受影響

日震對于全球電子產(chǎn)業(yè)供應鏈的影響程度持續(xù)受到關(guān)注。智慧型手機、媒體平板裝置以及其他消費電子產(chǎn)品內(nèi)、功能角色越來越關(guān)鍵的微機電MEMS元件，目前看起來供應鏈并沒有受到嚴重沖擊，情況比預期還要來得審慎樂觀。

發(fā)表于：5/10/2011

基于DSP與數(shù)字溫度傳感器的溫度控制系統(tǒng)

本文基于DSP芯片TMS320F2812與數(shù)字溫度傳感器DSl8B20設計出一個溫度測量系統(tǒng)，根據(jù)測量所得的溫度與設定的參量，并利用模糊PID算法計算出控制量，利用該控制量調(diào)節(jié)由DSP事件管理器產(chǎn)生PWM波的占空比，并作用于半導體制冷器，以達到溫度控制效果，實現(xiàn)控制精度高，體積小的溫度控制系統(tǒng)。

發(fā)表于：5/10/2011