微波射頻-AET-電子技術(shù)應(yīng)用

支持ONFI同步模式的NAND Flash控制器設(shè)計

先對ONFI標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行了介紹，然后再設(shè)計了一種支持ONFI2．1標(biāo)準(zhǔn)源同步高速模式的NAND Flash控制器，包括狀態(tài)機(jī)的設(shè)計，接口的設(shè)計等。對設(shè)計中遇到的源同步模式下，信號的對齊問題進(jìn)行了說明，并提出了一種解決方法。同時設(shè)計中還會遇到數(shù)據(jù)跨時鐘域傳輸?shù)膯栴}，本文也給出了解決辦法。最后仿真和綜合結(jié)果表明，本文的設(shè)計完全滿足標(biāo)準(zhǔn)要求，具有實(shí)際的使用價值。

發(fā)表于：4/16/2011

Vishay精密電阻陣列使電子電路穩(wěn)定和小型化

本文將介紹薄膜芯片電阻陣列如何積極地影響電路的電氣穩(wěn)定，同時減少需要的面積。以分壓器作為例子，我們將在文章中解釋相對參數(shù)“容差匹配”和“TCR跟蹤”，并討論電阻陣列的溫度行為。此外，這篇文章還會展示如何在生產(chǎn)過程中控制電阻的容差和溫度系數(shù)。

發(fā)表于：4/15/2011

利用模擬開關(guān)實(shí)現(xiàn)T1/E1/J1的N+1冗余

具有多端口T1/E1/J1線卡的現(xiàn)代通信系統(tǒng)通過增加冗余來滿足電信網(wǎng)絡(luò)的高可用性要求。過去，這些系統(tǒng)曾經(jīng)用繼電器來實(shí)現(xiàn)N＋1冗余切換。隨著每個線卡上的T1/E1/J1端口數(shù)和每個系統(tǒng)內(nèi)的線卡數(shù)的增加，繼電器方案不再可行，因?yàn)樗鼈円加么罅康陌迳峡臻g和供率。設(shè)計者正在用模擬開關(guān)代替繼電器。

發(fā)表于：4/15/2011

Vishay發(fā)布三款采用小尺寸封裝的高性能單通道和雙通道負(fù)載開關(guān)

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出三款新的可在1.1V～5.5V電壓下工作的單通道和雙通道2A負(fù)載開關(guān)--- SiP32411、 SiP32413和SiP32414，器件在1.2V下的低開關(guān)導(dǎo)通電阻能夠提高效率，150μs的典型受控軟啟動斜率能夠限制涌入電流，使受控的啟動過程更加平滑，從而將開關(guān)噪聲降至最小。

發(fā)表于：4/14/2011

電容爆炸的原因及處理方法

我曾經(jīng)在400V開關(guān)室使用了PGJ1-5型無功功率補(bǔ)償屏，屏內(nèi)裝有BCMJ型并聯(lián)電容器10只，每只額定輸出16kVar，額定電壓0.4kV，額定電流25A，溫度類別-25℃/45℃接法。

發(fā)表于：4/14/2011

智慧手機(jī)和平板助攻行動DRAM聲勢看漲

在智慧型手機(jī)和媒體平板裝置的帶動下，行動DRAM（Mobile DRAM）需求也隨之水漲船高，包括低功耗DRAM和虛擬DRAM（Pseudo SRAM）的聲勢正不斷看漲。

發(fā)表于：4/14/2011

IDF2011:Hynix與下一代內(nèi)存技術(shù)趨勢

由英特爾主辦的全球IT界高水平的技術(shù)論壇活動--2011英特爾信息技術(shù)峰會(Intel Developer Forum, IDF)，于4月12至13日在北京國家會議中心舉行。這是2007年以來連續(xù)第5個年度IDF在中國首發(fā)。本屆IDF以"智無界，芯跨越"(Compute Continuum and Beyond)為主題，將進(jìn)一步展示英特爾如何通過從硬件、平臺到軟件和服務(wù)全面的計算解決方案，推進(jìn)個性化互聯(lián)網(wǎng)發(fā)展;同時面向中國市場如何支持本地合作伙伴創(chuàng)新，助力新一代信息技術(shù)等戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

發(fā)表于：4/14/2011

四月DRAM價格攀升廠商產(chǎn)能轉(zhuǎn)往Flash及DDR3

根據(jù)DRAMeXchange調(diào)查，四月上旬DDR3合約價再度呈現(xiàn)價格上揚(yáng)的趨勢，DDR3 2GB均價自17美元上漲至18美元(2Gb $2.03)，漲幅約5.88%，DDR3 4GB均價亦上漲至35美元(2Gb $2.03)，漲幅約在6.1%，從市場面來觀察，由于日本東北大地震影響下，DRAM廠掀起硅晶圓搶料作戰(zhàn)，硅晶圓廠也釋出手上庫存來滿足產(chǎn)業(yè)需求，加上DRAM廠普遍都有一個月以上的庫存量來看，目前維持正常投片的能見度可至第二季末，但長期來看，如果硅晶圓大廠如信越化學(xué)及SUMCO不能在近期恢復(fù)正常運(yùn)作，DRAM供應(yīng)煉受到?jīng)_擊勢必在未來將陸續(xù)浮現(xiàn)，加上近期傳出部份DRAM廠在40nm制程良率出現(xiàn)問題，供貨不順下更加深PC-OEM廠對于DRAM廠未來是否能供貨穩(wěn)定度增添疑慮，部份PC-OEM廠決定拉高庫存水位，需求轉(zhuǎn)趨積極下，跟DRAM廠議定合約價時亦接受較高的價格，也是讓四月上旬合約價攀升的主要原因。

發(fā)表于：4/14/2011

Vishay榮獲TTI Asia的優(yōu)秀供應(yīng)商獎

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，Vishay Intertechnology Asia Pte Ltd榮獲TTI Electronics Asia Pte Ltd公司的優(yōu)秀供應(yīng)商獎。Vishay是全球最大的分立半導(dǎo)體和無源電子器件制造商之一，TTI是全球領(lǐng)先的授權(quán)分銷商，專門從事無源、連接器、機(jī)電產(chǎn)品和分立器件的分銷。

發(fā)表于：4/13/2011

硅晶圓缺貨依舊　DRAM合約價成功調(diào)漲

在硅晶圓缺貨陰霾未能完全消退下，個人計算機(jī)(PC)大廠補(bǔ)貨需求提前啟動，4月DRAM合約價漲聲響起，讓DRAM業(yè)者吃下定心丸，估計4月上旬平均漲幅約6%，而南亞科依據(jù)不同客戶區(qū)分，單月漲幅落在5~10%區(qū)間，目前2GB容量DDR3模塊價格調(diào)漲至18美元，換算2Gb芯片報價回升至2美元，預(yù)計2GB模塊報價回升至20美元指日可待，如果硅晶圓吃緊問題持續(xù)，預(yù)計5、6月可順利回升至此價位。

發(fā)表于：4/13/2011

繼電器使用中的幾點(diǎn)問題

要用好繼電器，正確選型是很重要的，首先必須對被控對象的性質(zhì)、特點(diǎn)和使用要求有透徹的了解，并進(jìn)行周密考慮。對所選繼電器的原理、用途、技術(shù)參數(shù)、結(jié)構(gòu)特點(diǎn)、規(guī)格型號要掌握和分析。在此基礎(chǔ)上應(yīng)根據(jù)項(xiàng)目實(shí)際情況和具體條件，來正確選擇繼電器。

發(fā)表于：4/13/2011

繼電器在高壓開關(guān)中的應(yīng)用

目前使用的高壓開關(guān)設(shè)備的二次系統(tǒng)由眾多的繼電器、多觸點(diǎn)輔助開關(guān)、行程開關(guān)及壓力開關(guān)等元器件組成，其中繼電器類占的比重約70％，面對紛繁復(fù)雜的繼電器類產(chǎn)品，如何合理選擇、正確應(yīng)用，是系統(tǒng)開發(fā)、設(shè)計人員密切關(guān)注并且必須優(yōu)先解決的實(shí)際問題，尤其作為高壓開關(guān)設(shè)備的二次控制部分，使用有大量的繼電器，其在運(yùn)行中也有其獨(dú)特的特殊性，選型的好壞，直接關(guān)系到變電站設(shè)備的可靠安全運(yùn)行，萬一發(fā)生事故將特別嚴(yán)重，因此要做到合理選擇，正確應(yīng)用，就必須充分研究分析系統(tǒng)的實(shí)際應(yīng)用條件與實(shí)際技術(shù)參數(shù)的要求，恰如其分地提出所選用繼電器類產(chǎn)品必須達(dá)到的技術(shù)性能，在整個系統(tǒng)的設(shè)計中，根據(jù)整個系統(tǒng)的重要性、可靠程度、所使用的環(huán)境條件及成本等因素綜合考慮選擇合理的繼電器。

發(fā)表于：4/13/2011

軟啟動器在運(yùn)行中的過電壓及保護(hù)措施

　某礦的一條上運(yùn)皮帶長500米，傾角16度，交流電機(jī)電壓為交流660V，功率為160Kw，為解決電機(jī)起動時所形成的機(jī)械及電氣沖擊，選用了天地科技股份有限公司常州自動化分公司GMC型軟啟動柜，其核心器件軟啟動器選用德國西門子生產(chǎn)的3RW22型軟啟動器。在安裝調(diào)試過程中，為確保設(shè)備的安全，先進(jìn)行了空載試運(yùn)行，電壓、電流參數(shù)都設(shè)置的很小，起動過程一切正常。運(yùn)行一段時間停車后，再次起動時，西門子軟啟動器發(fā)生故障報警，顯示晶閘管故障，按其復(fù)位按鈕無效，用指針式萬用表測量晶閘管阻值，發(fā)現(xiàn)晶閘管中間相的阻值幾乎為零，而完好的晶閘管陽極和陰極之間阻值>100K,因此懷疑晶閘管損壞。經(jīng)分析，造成晶閘管阻值降低的原因是交流電機(jī)的反向電動勢及晶閘管關(guān)斷過電壓引起,間隔一天，再次測量晶閘管阻值時，阻值恢復(fù)正常。

發(fā)表于：4/12/2011

存儲器模塊業(yè)淘汰賽再起　臺美聯(lián)手擊退日系陣營

日本老牌存儲器模塊廠荻原系統(tǒng)(Hagiwara Sys-Com)由于負(fù)債累累，日前驚傳申請日本民事再生法，亦即破產(chǎn)保護(hù)，讓業(yè)界相當(dāng)震驚。荻原過去在存儲器模塊領(lǐng)域曾經(jīng)紅極一時，成立時間也超過30 年，與NAND Flash大廠東芝(Toshiba)更是關(guān)系緊密，但這幾年臺系和美系存儲器模塊勢力急起直追，現(xiàn)在幾乎囊括全球主要市占率，加上存儲器價格波動劇烈，讓模塊產(chǎn)業(yè)淘汰賽再起。

發(fā)表于：4/12/2011

Vishay的多款產(chǎn)品入選Design News的Golden Mousetrap最佳產(chǎn)品的最終評選名單

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，其TANTAMOUNT® Hi-Rel COTS T97和商用的工業(yè)級597D系列固鉭貼片電容器，以及ThunderFET? SiR880DP 80V N溝道功率MOSFET入選2011年Design News雜志電子和測試類Golden Mousetrap Best Product的最終評選名單。

發(fā)表于：4/11/2011