1 引言

　　對于邏輯芯片的嵌入存儲器來說，嵌入式SRAM 是最常用的一種,，其典型的應(yīng)用包括片上緩沖器,、高速緩沖存儲器、寄存器堆等,。除非用到某些特殊的結(jié)構(gòu),，標(biāo)準(zhǔn)的六管單元（6T）SRAM 對于邏輯工藝有著很好的兼容性,。對于小于2Mb 存儲器的應(yīng)用，嵌入式SRAM 可能有更好的成本效率并通常首先考慮,。

　　Xilinx 公司SRAM型FPGA 主要由配置存儲器,、布線資源、可編程I/O,、可編程邏輯單元CLB,、塊存儲器BRAM 和數(shù)字時鐘管理模塊組成。它包含了分布式RAM,，位于CLB中,。每個CLB包含了16 × 1bit的SRAM結(jié)構(gòu)。BRAM的加入既增加了RAM的容量,，也可構(gòu)成大型LUT,，更完善了CLB 的功能。

　　2 BRAM塊劃分

　　現(xiàn)代數(shù)字系統(tǒng)對存儲器容量的存儲速率要求越來越高,，讀訪問時間就是一個重要參數(shù),，它是從地址信號的出現(xiàn)到存儲在該地址上的數(shù)據(jù)在輸出端出現(xiàn)的時間延遲。提高BRAM 讀取速度的一個有效辦法是減小位線和字線上的總負(fù)載電容,，這可以通過減少連接在同一字線和位線上的存儲單元數(shù)目來實現(xiàn),，即采用存儲陣列分塊技術(shù)。本電路采用設(shè)計多個BRAM的方法,，每個BRAM都有自己的譯碼電路、敏感放大器和數(shù)據(jù)通道,，各個BRAM 獨立工作,，每個BRAM 的讀取時間得到了大大提高。

　　3 BRAM塊設(shè)計

　　3.1 BRAM與布線資源接口

　　FPGA 中每個BRAM塊都嵌在內(nèi)部連線結(jié)構(gòu)中,，與BRAM 直接相連的有RAMLINE,、VLONG 和GLOBAL。左邊32根RAMLINE提供BRAM的地址輸入,，也可以提供控制信號（CLK,、WE、ENA,、RST）的輸入,。左邊兩組16 根RAMLINE 一起布線提供BRAM雙端口的數(shù)據(jù)輸入，右邊兩組RAMLINE提供BRAM雙端口數(shù)據(jù)輸出通道,。4 根GLOBLE全局時鐘線優(yōu)化用作時鐘輸入,，提供較短的延遲和最小的失真。VLONG也被專門用作BRAM中WE,、ENA,、RST的控制輸入,。RAMLINE 為BRAM專有布線，如從水平方向的SINGLE,、UNIHEX,、BIHEX通過可編程開關(guān)矩陣PSM 把信號輸送到RAMLINE 上，進(jìn)而送到BRAM 用作地址,、數(shù)據(jù),。而BRAM 的輸出也通過RAMLINE最終送到HLONG上。

　　圖1 BRAM周圍布線

　　相鄰BRAM 的RAMLINE 也可通過三態(tài)門連到下一級的RAMLINE,，于是整列中的BRAM 可共享RAMLINE 上的數(shù)據(jù),。每個BRAM與FPGA其他電路的相連主要通過水平方向的4 組主要互連線完成。

　　3.2 BRAM內(nèi)部設(shè)計

　　BRAM為真正的雙端口RAM,，兩個端口完全獨立,，每個端口可以配置為讀寫端口，并可以把BRAM配置成特定的數(shù)據(jù)寬度,。

　　3.2.1 可配置數(shù)據(jù)位寬實現(xiàn)方法

　　配置邏輯中三位控制信號WIDTH_SEL《0∶2》連到BRAM中,，同時對地址寬度、數(shù)據(jù)寬度進(jìn)行控制,。

　　由于BRAM可以實現(xiàn)1,、2、4,、8,、16 位的任意位寬，所以地址總線寬度,、數(shù)據(jù)總線寬度都必須滿足其中任意一種模式下的要求,。于是設(shè)計時使地址總線寬度為各種模式下的最大值，即1位時的地址寬度《11∶0》,，其他模式下可使不用的地址位使能無效,，進(jìn)而獲得所需的地址位。數(shù)據(jù)總線寬度也設(shè)置為各種情況下的最大值,，即16 位時的數(shù)據(jù)寬度《15∶0》,，其他情況下選擇有用的數(shù)據(jù)位進(jìn)行存儲。

　　表1可見WIDTH_SEL《0∶2》對地址使能的控制,，主要在于對地址《11∶8》的控制,，其他位地址《7∶0》則一直有效。

　　表1 不同數(shù)據(jù)位寬的地址使能

　　由WIDTH_SEL《0∶2》另外譯碼產(chǎn)生一組數(shù)據(jù)控制信號,，分別為S_1,、S_2、S_4,、S_8,、S_16 控制數(shù)據(jù)如何分配到位線上,。這當(dāng)中* 根位線實行了分片，每片4 根：

　　S_1有效：DI《0》可分配到16片中的任何一片上,。

　　S_2有效：DI《0∶1》可分配到《0∶1》,、《2∶3》、《4∶5》,？任何相鄰兩片上,，每片1 位數(shù)據(jù)。

　　S_4有效：DI《0∶3》可分配到《0∶3》,、《4∶7》,、《8∶11》、《12∶15》任何相鄰四片上,，每片1 位數(shù)據(jù),。

　　S_8 有效：DI《0∶7》可分配到《0∶7》或《8∶15》 8片上，每片1 位數(shù)據(jù),。

　　S_16 有效：DI《0∶15》剛好分配到16片上,，每片1 位數(shù)據(jù)。

　　至于上述究竟存儲到哪些片上以及具體存儲到片內(nèi)哪根位線上則由列譯碼控制,。

　　1 引言

　　對于邏輯芯片的嵌入存儲器來說,，嵌入式SRAM 是最常用的一種，其典型的應(yīng)用包括片上緩沖器,、高速緩沖存儲器,、寄存器堆等。除非用到某些特殊的結(jié)構(gòu),，標(biāo)準(zhǔn)的六管單元（6T）SRAM 對于邏輯工藝有著很好的兼容性,。對于小于2Mb 存儲器的應(yīng)用，嵌入式SRAM 可能有更好的成本效率并通常首先考慮,。

　　Xilinx 公司SRAM型FPGA 主要由配置存儲器、布線資源,、可編程I/O,、可編程邏輯單元CLB、塊存儲器BRAM 和數(shù)字時鐘管理模塊組成,。它包含了分布式RAM,，位于CLB中。每個CLB包含了16 × 1bit的SRAM結(jié)構(gòu),。BRAM的加入既增加了RAM的容量,，也可構(gòu)成大型LUT，更完善了CLB 的功能,。

　　2 BRAM塊劃分

　　現(xiàn)代數(shù)字系統(tǒng)對存儲器容量的存儲速率要求越來越高,，讀訪問時間就是一個重要參數(shù),，它是從地址信號的出現(xiàn)到存儲在該地址上的數(shù)據(jù)在輸出端出現(xiàn)的時間延遲。提高BRAM 讀取速度的一個有效辦法是減小位線和字線上的總負(fù)載電容,，這可以通過減少連接在同一字線和位線上的存儲單元數(shù)目來實現(xiàn),，即采用存儲陣列分塊技術(shù)。本電路采用設(shè)計多個BRAM的方法,，每個BRAM都有自己的譯碼電路,、敏感放大器和數(shù)據(jù)通道，各個BRAM 獨立工作,，每個BRAM 的讀取時間得到了大大提高,。

　　3 BRAM塊設(shè)計

　　3.1 BRAM與布線資源接口

　　FPGA 中每個BRAM塊都嵌在內(nèi)部連線結(jié)構(gòu)中，與BRAM 直接相連的有RAMLINE,、VLONG 和GLOBAL,。左邊32根RAMLINE提供BRAM的地址輸入，也可以提供控制信號（CLK,、WE,、ENA、RST）的輸入,。左邊兩組16 根RAMLINE 一起布線提供BRAM雙端口的數(shù)據(jù)輸入,，右邊兩組RAMLINE提供BRAM雙端口數(shù)據(jù)輸出通道。4 根GLOBLE全局時鐘線優(yōu)化用作時鐘輸入,，提供較短的延遲和最小的失真,。VLONG也被專門用作BRAM中WE、ENA,、RST的控制輸入,。RAMLINE 為BRAM專有布線，如從水平方向的SINGLE,、UNIHEX,、BIHEX通過可編程開關(guān)矩陣PSM 把信號輸送到RAMLINE 上，進(jìn)而送到BRAM 用作地址,、數(shù)據(jù),。而BRAM 的輸出也通過RAMLINE最終送到HLONG上。

　　圖1 BRAM周圍布線

　　相鄰BRAM 的RAMLINE 也可通過三態(tài)門連到下一級的RAMLINE,，于是整列中的BRAM 可共享RAMLINE 上的數(shù)據(jù),。每個BRAM與FPGA其他電路的相連主要通過水平方向的4 組主要互連線完成。

　　3.2 BRAM內(nèi)部設(shè)計

　　BRAM為真正的雙端口RAM,，兩個端口完全獨立,，每個端口可以配置為讀寫端口，并可以把BRAM配置成特定的數(shù)據(jù)寬度。

　　3.2.1 可配置數(shù)據(jù)位寬實現(xiàn)方法

　　配置邏輯中三位控制信號WIDTH_SEL《0∶2》連到BRAM中,，同時對地址寬度,、數(shù)據(jù)寬度進(jìn)行控制。

　　由于BRAM可以實現(xiàn)1,、2,、4、8,、16 位的任意位寬,，所以地址總線寬度、數(shù)據(jù)總線寬度都必須滿足其中任意一種模式下的要求,。于是設(shè)計時使地址總線寬度為各種模式下的最大值,，即1位時的地址寬度《11∶0》，其他模式下可使不用的地址位使能無效,，進(jìn)而獲得所需的地址位,。數(shù)據(jù)總線寬度也設(shè)置為各種情況下的最大值，即16 位時的數(shù)據(jù)寬度《15∶0》,，其他情況下選擇有用的數(shù)據(jù)位進(jìn)行存儲,。

　　表1可見WIDTH_SEL《0∶2》對地址使能的控制，主要在于對地址《11∶8》的控制,，其他位地址《7∶0》則一直有效,。

　　表1 不同數(shù)據(jù)位寬的地址使能

　　由WIDTH_SEL《0∶2》另外譯碼產(chǎn)生一組數(shù)據(jù)控制信號，分別為S_1,、S_2,、S_4、S_8,、S_16 控制數(shù)據(jù)如何分配到位線上,。這當(dāng)中* 根位線實行了分片，每片4 根：

　　S_1有效：DI《0》可分配到16片中的任何一片上,。

　　S_2有效：DI《0∶1》可分配到《0∶1》,、《2∶3》、《4∶5》,？任何相鄰兩片上,，每片1 位數(shù)據(jù)。

　　S_4有效：DI《0∶3》可分配到《0∶3》,、《4∶7》,、《8∶11》,、《12∶15》任何相鄰四片上,，每片1 位數(shù)據(jù)。

　　S_8 有效：DI《0∶7》可分配到《0∶7》或《8∶15》 8片上，每片1 位數(shù)據(jù),。

　　S_16 有效：DI《0∶15》剛好分配到16片上,，每片1 位數(shù)據(jù)。

　　至于上述究竟存儲到哪些片上以及具體存儲到片內(nèi)哪根位線上則由列譯碼控制,。

　　3.2.2 譯碼控制

　　行譯碼采用了常用的3-8 譯碼器,，3-8 譯碼器內(nèi)由與門組成。第一級用兩個3-8 譯碼器,，輸入端接入行地址ADDR《5∶0》,，第二級用64 個與門把第一級譯碼進(jìn)一步譯出來，可實現(xiàn)64 行中選出1 行,。

　　圖2 64 選1 行譯碼

　　列譯碼相對較復(fù)雜,，首先將列地址分為兩組，一組用于片選譯,，一組用于片內(nèi)譯碼,。片選地址由ADDR《11∶8》組成，片內(nèi)譯碼由ADDR《7∶6》組成,。

　　片選地址譯碼由地址和地址使能組成,，而地址使能則是由WIDTH_SEL《0∶2》配置決定的。

　　圖3 片選譯碼

　　譯碼所得的A《11∶8》_DEC《0∶15》即可實現(xiàn)片選存儲,。當(dāng)配置為1 位時,，4 位地址均有效，譯出的16位中只有1 位有效,，只能選擇16 片中的1 片,。當(dāng)配置為2 位時，ADDR《11》使能無效,，譯出16位中有連續(xù)2 位有效,，能選擇16 片中連續(xù)2 片。當(dāng)配置為4 位時,，譯出16 位中有連續(xù)4 位有效,，能選擇16 片中連續(xù)4 片。配置為8 位就能選擇16 片中的上8 片或下8 片,。配置為16 位,，4 個地址均無效，譯出的16 位全有效,，16 片全選,。經(jīng)過了片選的一級譯碼，列譯碼還需經(jīng)過第二級的片內(nèi)譯碼,。

　　圖4 片內(nèi)譯碼

　　A《11∶8》_DEC與A7 譯碼均為低有效,，A6譯碼為高有效。之所以能夠用或門譯碼，是因為沒被譯碼的一對BL 和BLN 位線上的數(shù)據(jù)是不會被寫入存儲單元的,，如A7《0》為1,，A《11∶8》_DEC為1，BL《0》與BLN《0》均為1,，即使字線打開了,，它們也是不會被寫入存儲陣列的。而被譯碼選中的一對位線,，BL與BLN 互補(bǔ),，它們上的數(shù)據(jù)即可被寫入存儲單元。

　　3.2.3 位線充電電路

　　對位線的充電共有兩對充電管和一對上拉管,，寬長比在設(shè)計上也是有講究的,。上拉管一直開啟，為倒比管,。柵極接平衡管的M1 和M2 時序要求較高,，因為它們的寬長比較大，為主要充電管,。在BRAM總使能信號ENA和時鐘CLK有效時工作,，進(jìn)行預(yù)充電。在CLK 下降沿,，M1 和M2 短暫關(guān)閉可執(zhí)行讀操作,。M1、M2和平衡管都在Pre1_BL信號控制下工作,。

　　Pre1_BL 需在數(shù)據(jù)線與位線之間的開關(guān)管打開時關(guān)閉,，不影響數(shù)據(jù)的讀操作。Pre1_BL信號受到數(shù)據(jù)線與位線的開關(guān)管控制信號A 的約束,，圖4 的結(jié)構(gòu)即可避免Pre1_BL與A的時序沖突,，在A有效時，Pre1_BL無效,，且當(dāng)A 關(guān)閉時,，Pre1_BL 延遲開啟。

　　而M3 和M4 管則由Pre2_BL信號控制,，Pre2_BL由BRAM全局信號ENA,、CLK 和WE 一起控制。由于BRAM 在進(jìn)行寫操作時,，也可鏡像地輸出寫入的數(shù)據(jù),，即也做了讀操作。為了更好地在寫入時也讀出,，且滿足頻率要求,，有必要增加這一充電管,。

　　圖5 Pre1_BL 信號產(chǎn)生電路

　　圖6 位線充電電路

　　4 BRAM應(yīng)用

　　作為隨機(jī)存取存儲器，BRAM 除了實現(xiàn)一般的存儲器功能外,，還可實現(xiàn)不同數(shù)據(jù)寬度的存儲，且可用作ROM,，以實現(xiàn)組合邏輯函數(shù),。當(dāng)初始化了BRAM后，一組地址輸入就對應(yīng)了一組數(shù)據(jù)的輸出,，根據(jù)數(shù)據(jù)和地址的對應(yīng)關(guān)系,，就能實現(xiàn)一定的函數(shù)功能，BRAM 之所以能實現(xiàn)函數(shù)邏輯,，原因是它擁有足夠的存儲單元,，可以把邏輯函數(shù)所有可能的結(jié)果預(yù)先存入到存儲單元中。如實現(xiàn)4 × 4 二進(jìn)制乘法器：

　　即由地址來查找數(shù)據(jù),，如同LUT,。在FPGA 中，還可用BRAM來實現(xiàn)FIFO中的存儲體模塊,，CLB實現(xiàn)控制邏輯,，設(shè)計緊湊，小巧靈活,。

　　圖7 4 位乘法器

　　5 結(jié)論

　　如今系統(tǒng)越來越高級,，數(shù)字電路也高度集成，存儲器也越來越多地應(yīng)用于嵌入式芯片中,。本文設(shè)計了一種應(yīng)用于FPGA 的嵌入式存儲器結(jié)構(gòu),，符合一般的雙端SRAM 功能，且具有FPGA 功能塊的可配置選擇,，靈活性很高,。