全新的閃存接口標(biāo)準(zhǔn)現(xiàn)已公布,，新的標(biāo)準(zhǔn)訪問吞吐達(dá)到400MB/s,，比現(xiàn)有NAND的速度提升了一倍。這樣可使閃存對消費級電子設(shè)備及商業(yè)計算更具有吸引力,。
Open NAND Flash Interface（ONFI）工作組已經(jīng)公布了其ONFI 3.0標(biāo)準(zhǔn),。該公司成立于2006年5月，擁有100多個涉及制造,、設(shè)計以及使用閃存產(chǎn)品的成員,，包括海力士、英特爾,、鎂光,、SanDisk以及索尼。
3.0標(biāo)準(zhǔn)采用的是非易失性的DDR2（NV-DDR2）接口,，其可以使接口速度從ONFI 2.1的200MB/s提升到400MB/s,。全新的標(biāo)準(zhǔn)兼容以前的ONFI標(biāo)準(zhǔn)。
ONFI表示："ONFI3.0整合了一個緊密片基選擇功能,，其可以簡化芯片啟動（CE）針腳數(shù),，從而降低控制器引腳數(shù)使PCB走線更加有效率。減少芯片針腳數(shù)對于SSD特別重要,，這樣可以降低成本且允許將額外的針腳分配到系統(tǒng)內(nèi)的其他應(yīng)用程序上,。"
預(yù)計ONFI未來發(fā)行的版本將支持ECC Zero（EZ-NAND接口），并且無需NAND糾錯及校驗（ECC）操作,，從而簡化了設(shè)計過程,。ONFI 3.0將被廣泛應(yīng)用。
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