4月16日消息,，據國外媒體報道,，英特爾和美光周四推出一種新型閃存存儲制造技術，這一技術使電子存儲芯片設計更加密集化,，有利于縮小產品占據的空間,。此款20納米級的 NAND芯片產品估計可在今年下半年大量生產,。
英特爾和美光曾經合作制造的AND快閃存儲芯片很多年，具有長期的合作伙伴關系,。NAND閃存常用于制造智能手機或平板電腦,。
先前版本的芯片為25納米級，英特爾表示升級至20納米后,，不僅可維持同等級運算性能和耐久度,，儲存空間更是多出50％大小。
美光的NAND市場部總裁凱文基爾伯克宣稱：持續(xù)縮減NAND的尺寸,，確實為市場帶來新應用程序空間在現(xiàn)有產品格式下,，我們擁有更多空間放入 存儲，或能以更低的成本價位,，保持同等存儲規(guī)格,。
目前的8G的NAND閃存芯片采用新款20納米級技術，可減少約30-40％的體積,，也讓平板電腦和智能手機制造商節(jié)省空間,，可以使用作額外功能改 善，例如加大電池續(xù)航力,，擴大屏幕,，增添芯片來支持新的功能等等。
英特爾和美光稱,，他們預計將在今年下半,，推出16G的NAND閃存的新芯片產品。
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