DRAM芯片轉(zhuǎn)進20納米制程難度高,，市場供需失衡蔓延到各個應用領域。三星官網(wǎng)全球DRAM產(chǎn)業(yè)進入20納米制程世代后,，進入門檻非常高。一方面是設備投資變大,，需求的機臺設備多很多,，甚至讓DRAM廠加蓋無塵室來放擺放機臺設備,，否則導致產(chǎn)出數(shù)量大幅減少。而20納米制程的另一個高門檻就是生產(chǎn)難度大增,，DRAM市場價格無法反彈,，這些次級品(downgrade)的貨源大幅流竄是一大兇手,。

　　市場終端需求不好，蘋果(Apple)下半年推出的新一代iPhone內(nèi)建存儲器容量從1G升級到2G,，其他新機容量甚至提升到4G存儲器，這樣倍增的存儲器需求,，成為2015年存儲器產(chǎn)業(yè)的唯一信念,，甚至自我催眠DRAM行情一定不會太差,，但結果令人失望。

　　業(yè)者認為,，市場缺乏殺手級產(chǎn)品消化存儲器芯片，過去DRAM芯片過度依賴PC應用,，現(xiàn)在已大幅分散到各領域,，但DRAM產(chǎn)業(yè)的供需平衡關系十分敏感,，過去3年的好光景還是要面臨修正。

　　其實，DRAM產(chǎn)業(yè)的應用分散后,，DRAM廠對于產(chǎn)業(yè)掌握度的難度大幅提高。以智能型手機來看,，DRAM廠就非常傷腦筋,，消費者口味變化莫測且瞬息萬變，大廠規(guī)格又難掌握,，DRAM廠光是每個月要決定怎么投片,、哪些產(chǎn)品提高或減少投片,，常常傷透腦筋，要能搜集到各方資訊才能做出正確的判斷,，且市場反應要很快。

　　業(yè)者分析,，PC DRAM市場行情不好,，是受到英特爾(Intel)的新處理器Skylake延遲到下半年推出影響，原本PC需求就很差,，新處理器延后推出更是一大重擊。移動存儲器(Mobile RAM)價格也持續(xù)下跌,，連高毛利率的伺服器DRAM也支撐不住,。

　　供給端也出現(xiàn)一大殺手,，就是20納米制程芯片制程的轉(zhuǎn)換難度十分高，導致過程中不斷流出次級品,。過去每一次的制程轉(zhuǎn)換當然都有類似情況,，但這次20納米制程的意外是，透過后段的wafer sorting技術后,，每片12吋晶圓透過sorting出的可用晶圓比重大幅提升，導致流到市場的貨變多,，讓整個DRAM市場到處流竄次級品,。

　　業(yè)者認為,，20納米DRAM芯片次級品流竄的情況還會持續(xù)一陣子,，因為三星電子(Samsung Electronics)轉(zhuǎn)20納米制程后,，還有SK海力士(SK Hynix),、美光(Micron)要轉(zhuǎn)20納米制程,，一定會有同樣的狀況出現(xiàn)，市場還要忍受好一陣子,。