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IR 推出采用新型 WideLead 封裝的車用 MOSFET 系列,,可減少 50% 引線電阻,,同時提高 30% 電流

2011-05-24
作者:IR 公司
關鍵詞: 車身電子 MOSFET 電阻

    全球功率半導體和管理方案領導廠商國際整流器公司 (International Rectifier,,簡稱IR) 推出采用新型 WideLead TO-262 封裝的車用 MOSFET 系列,,與傳統(tǒng)的 TO-262封裝相比,,可減少 50% 引線電阻,并提高 30% 電流,。

    這款新型車用 MOSFET 系列適合需要低導通電阻 (Rds(on)) 的通用大負荷/高功率通孔應用,,內(nèi)燃機 (ICE) 汽車電動助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)和電池開關,以及各類微型和全混合動力汽車,。新器件采用 IR 先進的硅和封裝技術,,在顯著提高性能的同時可與現(xiàn)有的設計標準相匹配,。
    在標準 TO-262 通孔封裝中,,除了 MOSFET 導通電阻,源極和漏極引線電阻可增至1mΩ,。新 WideLead TO-262 通孔封裝可將引線電阻降至不到 0.5 mΩ,,大大減少了引線中的傳導損耗和熱量,在特定的工作溫度下,,比傳統(tǒng)的 TO-262 封裝的電流承載能力高30%,。根據(jù)評估,在直流電為 40A 和 60A 的條件下,WideLead 引線溫度比標準 TO-262分別低 30% 和 39%,。此外,,隨著其它封裝技術的提高,WideLead 比標準 TO-262 封裝中的同等 MOSFET 少傳輸 20% 導通電阻,。
    IR 亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示:“新型 WideLead TO-262 封裝的設計靈感來自于DirectFET® 封裝超低芯片自由阻抗的出色性能,,以及傳統(tǒng) TO-262 封裝的各種局限性。IR 新型 WideLead 封裝中的 MOSFET 新系列在傳輸高電流的同時,,大大降低了引線中的傳導損耗和自身熱量,,從而為汽車應用提供了一個堅固可靠的解決方案。”
    所有 IR 車用 MOSFET 產(chǎn)品都遵循 IR 要求零缺陷的汽車質(zhì)量理念,,并經(jīng)過了動態(tài)和靜態(tài)器件平均測試及 100% 自動晶圓級目視檢查,。
    新器件符合 AEC-Q101 標準,是在IR要求零缺陷的汽車質(zhì)量理念下研制而成的,。它環(huán)保,、無鉛,也符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定 (RoHS) ,。


    有關產(chǎn)品現(xiàn)已接受批量訂單,。相關產(chǎn)品資料、應用說明和認證標準請訪問 IR 網(wǎng)站 www.irf.com ?,F(xiàn)有 Spice 模型供申請,。

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