LED的發(fā)光源是由所謂的III-V化合物所構(gòu)成,，即大家熟知的磊晶晶粒(chip),，該固態(tài)化合物本身性質(zhì)很安定，在產(chǎn)品所規(guī)范的條件下使用并不易損壞,，而處于一般的應(yīng)用環(huán)境中也不起化學(xué)反應(yīng),，因此擁有較長(zhǎng)的產(chǎn)品壽命。然而,，為使該LED chip發(fā)光,，必須由外界通入電流，因此一般會(huì)把尺寸很小的chip黏貼在特定的載臺(tái)(或稱(chēng)導(dǎo)線架)上并以金屬線或銲錫等材料連接chip的正負(fù)兩極,，然后用高分子材料包復(fù)整個(gè)載臺(tái),，這就是所謂的封裝制程，經(jīng)過(guò)這段制程后成為市面上常見(jiàn)一顆顆的LED燈粒,。在實(shí)際應(yīng)用時(shí),，還會(huì)視所需把數(shù)顆LED燈粒組裝成模組，最后再與其它功能的模組組合成為終端產(chǎn)品,。

　　從上可知,，一個(gè)LED產(chǎn)品的失效，起因可能來(lái)自于該產(chǎn)品的任何一個(gè)部份,，故必須抽絲剝繭方能找到真正的失效原因,。針對(duì)失效來(lái)自LED燈粒而言，因完整的LED燈粒中,，LED chip本身很強(qiáng)壯,，但包復(fù)chip的封裝材料則易遭受損傷，因此,，LED燈粒的失效多可歸因于封裝材料的破壞或劣化所導(dǎo)致。若要充分解析這類(lèi)失效,，牽涉到光學(xué),、化學(xué)、材料學(xué),、電子物理學(xué)等領(lǐng)域的專(zhuān)業(yè)知識(shí),，并搭配精密的儀器與豐富的實(shí)務(wù)經(jīng)驗(yàn)，才能確認(rèn)失效點(diǎn)并推導(dǎo)真因,，進(jìn)而提出改善對(duì)策,。

　　1. 不亮：這種失效是指LED通電后完全不發(fā)光。一般而言,，導(dǎo)電路徑上的 ”斷路(open)＂是本類(lèi)失效的主因之一,，確認(rèn)斷路的方法也十分簡(jiǎn)易,，以常見(jiàn)的三用電表就可驗(yàn)證。不過(guò),，要找到斷路點(diǎn)就必須做進(jìn)一步的解析,，例如：可用X-ray來(lái)確認(rèn)打線是否斷線或脫離、用SEM(掃瞄式電子顯微鏡)觀察剖面結(jié)構(gòu)可檢查黏晶部份的缺陷等等,。本類(lèi)失效的第二個(gè)主因是 ”短路(short)” ,，這是因?yàn)殡娏魑创_實(shí)通過(guò)LED chip，而是流經(jīng)”旁門(mén)左道”,，故LED燈粒自然不會(huì)發(fā)光,，如：因發(fā)生電子遷移導(dǎo)致電極金屬原子的不正常擴(kuò)散，譬如氧化銦錫(ITO),、銀或是GaN/InGaN二極管中的阻擋層金屬等都可能因機(jī)械應(yīng)力,、高電流密度或在腐蝕性的環(huán)境發(fā)生此類(lèi)異狀。其它的原因可能是打線偏移,、黏晶膠爬膠等等,。這種失效必須利用I-V curve(電流-電壓圖)才能判定，至于失效點(diǎn)因?yàn)閺耐庥^無(wú)法檢查到上述缺陷,，故需先以X-ray來(lái)確認(rèn),；或是化學(xué)溶液去除LED封裝材料后，再使用光學(xué)(OM)或電子顯微鏡(SEM)仔細(xì)檢查,。

 短路爬膠 

開(kāi)路斷線

　　2. 變色：這類(lèi)失效是指LED不點(diǎn)亮的狀況下,，外觀顏色或膠材透明度與新品不同，用肉眼即可看出,，通常在產(chǎn)品使用一段時(shí)間或在做完可靠度試驗(yàn)后發(fā)生,。一般說(shuō)來(lái)，變色區(qū)域大致可區(qū)分為發(fā)生在導(dǎo)線架或封裝膠材兩類(lèi),，若發(fā)生在導(dǎo)線架,，通常是因?yàn)楸砻媾c環(huán)境中的化學(xué)物質(zhì)發(fā)生反應(yīng)，如氧化或硫化,，要分辨屬于哪種需仰賴(lài)成份分析,，可使用的儀器包含有EDS(Energy Dispersive X-ray Spectroscope)、XPS(X-ray Photoelectron Spectrometer),、AES(Augur Electron Spectroscope)等等,。若是封裝用的膠材發(fā)生變色，則屬于高分子材料的劣化現(xiàn)象,，如環(huán)氧樹(shù)脂易受高溫或是紫外光影響而變黃,，因此白光LED多改采矽膠取代之。分析此類(lèi)失效應(yīng)特別留意，因膠材本身有一定的透明度,，有時(shí)變色的導(dǎo)線架因被膠材蓋住而誤判為膠材變色,，引導(dǎo)至錯(cuò)誤的改善方向。

   支架變色

　　3. 光衰：這種失效系指LED發(fā)出的光強(qiáng)度低于新品,。如前面章節(jié)所述,，光衰程度已成為評(píng)判LED照明產(chǎn)品壽命的重要指標(biāo)，所以這類(lèi)失效的分析就相當(dāng)重要,。整體來(lái)說(shuō),，本類(lèi)失效的分析非常復(fù)雜，因?yàn)橛绊懝鈴?qiáng)度的因素非常多,，如chip劣化,、反射杯的劣化、膠材與chip間脫層,、膠材透明度下降,、打線接合面電阻上升、熱阻太高等等,，若發(fā)生在白光LED,，則還需考慮螢光粉劣化的問(wèn)題，因白光LED通常使用一或多種的螢光粉,，它們會(huì)受到熱或濕氣的影響而衰減并降低效率,，導(dǎo)致產(chǎn)出的光色改變。分析的手法包括有：非破壞檢測(cè),，如外觀檢查,、LED電性曲線、積分球的光學(xué)特性等等,，用上述數(shù)據(jù)綜合判斷,，逐一排除，當(dāng)推斷可能原因后,，接著進(jìn)行破壞性分析,，利用樣品制備技術(shù)制作出適合的分析樣品，再輔以各種儀器如SAT(Scanning Acoustic Tomography)超音波掃瞄,、FTIR(Fourier Transform InfraRed)傅立葉轉(zhuǎn)換紅外光譜儀,、TEM(Transmission Electron Microscope)穿透式電子顯微鏡、SEM(Scanning Electron Microscope)等等加以驗(yàn)證,，方能到真因,。

  白光LED光衰分析 – 黃光強(qiáng)度衰減

　　4. ESD失效：這是一種靜電放電所引起的chip破壞,，在MOS IC的產(chǎn)品中非常重視此現(xiàn)象,，對(duì)LED而言，過(guò)往因砷化鎵(GaAs)芯片本身可導(dǎo)電，故這類(lèi)問(wèn)題并不常見(jiàn),，但因白光LED使用不導(dǎo)電的藍(lán)寶石基板,，而且基板與GaN等材料間因晶格不匹配會(huì)形成內(nèi)部缺陷(如差排)，對(duì)ESD的損害更為敏感,。靜電的放電可能產(chǎn)生半導(dǎo)體接合點(diǎn)（junction）立即的失效或特性的永久漂移及潛在的損壞都會(huì)導(dǎo)致衰減的速率增加,。有幾種現(xiàn)象可用來(lái)幫助判斷chip是否遭受靜電破壞，譬如反向偏壓漏電流大增,、chip僅局部發(fā)光,、chip表面出現(xiàn)局部熔融點(diǎn)等等。有時(shí),，一開(kāi)始的靜電破壞的程度不高,，LED的電特性、發(fā)光特性,、chip表面完整性皆無(wú)異狀,，但這種破壞會(huì)因累積而逐漸明顯，有時(shí)卻也可能安然度過(guò)整個(gè)產(chǎn)品生命周期,，一旦生產(chǎn)線未做好靜電防護(hù)措施時(shí),，所生產(chǎn)的產(chǎn)品的客退率將會(huì)忽高忽低，面對(duì)這種現(xiàn)象,，失效分析也未必可尋得真因,，因此做好生產(chǎn)線靜電防護(hù)措施才是最佳解決之道。

ESD失效LED GaN材料I-V curve圖

     靜電放電破壞

　　5. 其他：突然間的失效常常是因?yàn)闊釕?yīng)力所致,，當(dāng)環(huán)氧樹(shù)脂的封裝達(dá)到玻璃轉(zhuǎn)移溫度(Tg)時(shí),，樹(shù)脂會(huì)很快速的膨脹，在半導(dǎo)體和焊點(diǎn)接觸的位置產(chǎn)生機(jī)械應(yīng)力來(lái)弱化或扯斷它,，而在非常低的溫度時(shí)則會(huì)讓封裝產(chǎn)生裂痕,。   此外，高功率LED對(duì)電流的擁擠敏感,，不均勻的電流密度分布在接合點(diǎn)（junction）上,，可能會(huì)產(chǎn)生局部的熱點(diǎn)，存在熱燒毀的風(fēng)險(xiǎn),，若再出現(xiàn)基板的熱傳不均勻,，將使問(wèn)題變得更嚴(yán)重，這常見(jiàn)于銲接材料的孔洞或是電子遷移效應(yīng)和Kirkendall空洞,，故熱燒毀亦是LED常見(jiàn)的失效模式,。

　　結(jié)語(yǔ)：LED燈粒及chip的結(jié)構(gòu)與常見(jiàn)IC來(lái)比相對(duì)簡(jiǎn)單，但在應(yīng)用時(shí)卻同時(shí)涉及光,、電,、熱等現(xiàn)象,，所以發(fā)生失效的原因較為復(fù)雜，在失效分析時(shí)所執(zhí)行的步驟反而較為多元,，同時(shí)LED chip與封裝結(jié)構(gòu)因?qū)＠?，各家產(chǎn)品并不相同，分析時(shí)所需之樣品制備的復(fù)雜度也遠(yuǎn)大于常規(guī)IC,，因此優(yōu)良的樣品制作技術(shù),、完整的分析儀器加上豐富的經(jīng)驗(yàn)綜合判斷，才能獲得正確的失效分析結(jié)果,。 

  LED失效原因魚(yú)骨圖   

 LED失效分析流程