摘  要： 設(shè)計(jì)了一種基于IR2136的智能功率模塊電路,，介紹了驅(qū)動芯片IR2136的性能特點(diǎn),，給出了主電路的設(shè)計(jì)，并用PSpice軟件對設(shè)計(jì)電路進(jìn)行了仿真驗(yàn)證,，結(jié)果證明了電路設(shè)計(jì)的可行性,。
關(guān)鍵詞： 智能功能模塊；IR2136,；自舉,；PSpice

　當(dāng)前，功率電路的模塊化和系統(tǒng)集成技術(shù)已成為電力電子技術(shù)領(lǐng)域最重要的研究方向之一[1],。智能功率模塊IPM(Intelligent Power Module)即是系統(tǒng)集成模塊思想的體現(xiàn)之一[2]。IPM模塊是指專用于驅(qū)動和控制各種工業(yè)與民用,、單相與三相電機(jī)的新型智能功率模塊，又稱為電機(jī)“逆變電源”,。IPM將輸出功率元件和驅(qū)動電路,、多種保護(hù)電路集成在同一模塊內(nèi)，提高了系統(tǒng)整體性能及可靠性,、降低了通態(tài)和開關(guān)損耗,、縮小了體積并減少了系統(tǒng)成本,。與傳統(tǒng)的分立元件相比，IPM模塊具有結(jié)構(gòu)緊湊,、體積小,、功能完整和易于大批量生產(chǎn)的特點(diǎn)。由于馬達(dá)是現(xiàn)代各種自動控制系統(tǒng)的動力源,，可以應(yīng)用于變頻空調(diào),、變頻洗衣機(jī)、變頻冰箱等家用電器和變頻器,、工業(yè)電機(jī)等的變頻調(diào)速中,。因此，IPM模塊的市場非常廣泛,。
　本文在此背景下設(shè)計(jì)了一種基于IR2136[3]的IPM電路,，并用PSpice軟件對所設(shè)計(jì)電路進(jìn)行了仿真驗(yàn)證,。
1 IPM電路的組成及主電路設(shè)計(jì)
　IPM電路組成如圖1所示，主要由功率電路(整流電路和逆變電路)和驅(qū)動電路組成,。

1.1 IPM驅(qū)動電路的設(shè)計(jì)
　驅(qū)動電路主要由IR公司的三相逆變器驅(qū)動器集成芯片IR2136組成,。IR2136集成了6個(gè)MOSFET或IGBT高電壓柵極驅(qū)動器，并融合了多元化的保護(hù)功能,，使系統(tǒng)成本比采用光耦解決方案降低了30%，是專為2 kW或以下的(110 V~360 V)輸入逆變器設(shè)計(jì)的,，適用于交流感應(yīng)、無刷直流或開關(guān)磁阻電機(jī)驅(qū)動。
　圖1中的D7,、D8、D9和C1,、C2、C3是自舉元件[3-5],，其所組成的自舉電路用來可靠地驅(qū)動高壓側(cè)IGBT柵極器件。如圖1所示,，Vbs(IR2136 Vb和Vs管腳之間的電壓差)給集成電路高端驅(qū)動電路提供電源。該電源電壓必須在10～20 V之間,，以確保驅(qū)動集成電路能夠完全地驅(qū)動IGBT柵極器件,。IR2136驅(qū)動集成電路具有Vbs欠壓保護(hù),，當(dāng)Vbs電壓下降到一定值(典型值是8.2 V)時(shí)，將關(guān)閉高端驅(qū)動輸出,，這保證了IGBT不會在高功耗下工作,。Vbs電源是懸浮電源，附加在Vs電壓上(Vs通常是一個(gè)高頻的方波),。這種自舉技術(shù)的好處是簡單、低廉,。電路的工作原理如下：當(dāng)Vs被拉到地時(shí)(通過下端器件或負(fù)載),，15 V的Vcc電源通過自舉二極管(D)給自舉電容(C)充電，也即給Vbs提供一個(gè)電源,。
　(1)自舉電容參數(shù)的確定
　自舉電容應(yīng)該提供的最小電荷如下：

1.2 IPM的功率主電路設(shè)計(jì)
　IPM功率電路[8]由二極管整流電路和IGBT三相逆變電路組成。整流二極管電壓額定值URRM,、電流額定值IVDM及IGBT額定電壓UCEP、額定電流IC分別計(jì)算如下：

式中,，UAC為220 V輸入交流電壓,，KV為電壓波動系數(shù),，αV為安全系數(shù),，?駐UCE為線路雜散電感引起的尖峰電壓，αP為過電壓保護(hù)系數(shù),，αU為過電壓安全系數(shù),，IO為逆變器輸出電流，P為逆變器最大輸出功率,。
按照上述設(shè)計(jì)原理,，設(shè)計(jì)了1 500 W的IPM電路。交流輸入電壓為220 V,，整流電路為單相橋式,。電路的主要元器件參數(shù)如下：自舉電容為1 μF/25 V鉭電容,，自舉二極管為快恢復(fù)MUR160,，逆變橋IGBT開關(guān)管為IRG4IBC30KD,，整流二極管為800 V/5 A的整流二極管,。
2 仿真實(shí)驗(yàn)
　應(yīng)用PSpice軟件對所設(shè)計(jì)電路進(jìn)行了仿真：瞬態(tài)分析,、步長5 μs,、終止時(shí)間為80 μs,、觸發(fā)脈沖寬度20 μs、脈沖周期40 μs,。圖2是其仿真結(jié)果波形。
　通過對仿真模型中IR2136觸發(fā)脈沖進(jìn)行參數(shù)調(diào)整,，得到的仿真結(jié)果如圖2(a)、(b),、(c)所示。當(dāng)輸入觸發(fā)脈沖幅值為3 V和5 V,、輸入脈沖為低電平時(shí),，輸出端才有驅(qū)動信號輸出,，且輸出的上開關(guān)管驅(qū)動波形幅值約為14.7 V。如果觸發(fā)脈沖太低,，因輸出驅(qū)動波形性為高電壓(約14.7 V),，對開關(guān)管起不到控制作用。

　圖2(d)是單脈沖調(diào)制時(shí),，逆變橋電路的一個(gè)橋臂上下開關(guān)管驅(qū)動波形及橋臂輸出波形,。從圖中可以看出，上下橋臂的驅(qū)動是交互進(jìn)行的,，單脈沖調(diào)制時(shí),，一個(gè)橋臂的輸出電壓幅值就是整流器的輸出直流電壓(對本設(shè)計(jì)來說,，是單相全橋整流電路，直流電壓值為310 V左右),，而柵極驅(qū)動電壓是最高電壓,，要比橋臂輸出電壓高15 V左右。
　當(dāng)改變直流電壓源模型參數(shù)值時(shí),，仿真結(jié)果如圖2(e),、(f)所示。由圖可知,，當(dāng)欠壓鎖定的門限值為9.3 V,，將圖2(f)與圖2(a)比較，可以看出,，雖然9.3 V的直流電源能讓驅(qū)動芯片工作,，但輸出驅(qū)動波形幅值已降至10 V以下，已不能可靠地驅(qū)動IGBT開關(guān)管,。
　圖2(g)為使能端工作及過流時(shí)的輸出驅(qū)動波形仿真結(jié)果,。當(dāng)過流時(shí)，即過流檢測端ITRIP的電壓高于0.5 V時(shí),，經(jīng)過內(nèi)部傳輸電路的延時(shí),，可靠地關(guān)斷輸出波形，保護(hù)IGBT免遭損壞,，經(jīng)過外部RC網(wǎng)絡(luò)10 μs的傳輸延遲(本電路設(shè)計(jì)的延時(shí)為10 μs,，應(yīng)用中可根據(jù)實(shí)際情況通過改變R10、C5的值來改變延時(shí)時(shí)間),，過流故障自動清除,。同時(shí)從圖2(g)中可以看出，使能端低電平時(shí),，輸出驅(qū)動波形被封鎖。
　而當(dāng)觸發(fā)脈沖序列發(fā)生錯誤導(dǎo)致橋臂直通時(shí),，IR2136芯片內(nèi)部防直通電路起作用,，使上下開關(guān)管的柵極驅(qū)動信號全為低電平,。圖2(h)為直通時(shí)的輸出驅(qū)動波形，由圖可知,，在30～40 μs和70～80 μs時(shí)間段,，同一橋臂的上下觸發(fā)脈沖同時(shí)低電平有效，輸出驅(qū)動信號全為低電平,，防止了直通的發(fā)生,。
　本文將系統(tǒng)集成思想應(yīng)用于IGBT逆變電路,，設(shè)計(jì)了一種基于IR2136為驅(qū)動電路的IPM電路,。該電路集成了輸入欠壓,、防直通,、過流等保護(hù)功能,。另外,，應(yīng)用自舉技術(shù),，實(shí)現(xiàn)了全橋驅(qū)動電路的單電源供電,，不但結(jié)構(gòu)簡單，還體現(xiàn)了系統(tǒng)集成思想,。同時(shí)用PSpice軟件對設(shè)計(jì)電路進(jìn)行了仿真，其結(jié)果與理論吻合,，驗(yàn)證了本文設(shè)計(jì)的正確性,。
參考文獻(xiàn)
[1] LEE F C,， WYK J D,， BOROYEVICH D， et al. Technology trends toward a system-in-a-module in power electronics[J]. Circuits and Systems Magazine,， IEEE，2002,， 2(4)：4-22.
[2] IWAMOTO H,， MOTTO E,， ACHHAMMER J,， et al. New intelligent power modules for appliance motor control. APEC 2001,， Sixteenth Annual IEEE,， 2001(2)：1051-1056.
[3] WOOD P,， BATTELLO M,， KESKAR N， et al. Plug N driveTM application overview. International Rectifier Application Note AN-1044.
[4] AFTANDILIAN L,， MANGTANI V,， DUBHASHI A. Advances in power semiconductors and packaging lead to a compact integrated power stage for AC drives[C]. WESCON/97 Conference Proceedings,， 4-6 Nov.， 1997：334-339.
[5] Tang Yiliang,， Cui Wenjin， Xie Xiaorong,， et al. 80C196MC Microcontroller-based inverter motor control and IR2130 six-output IGBT driver[C]. International Conference IEMD ′99，1999： 655-657.