在日前的一場閃存高峰會中，SanDisk公司的技術長Yoram Cedar指出,，下一代光刻技術的延遲,，將導致NAND閃存的成長趨緩。市場原先對閃存的展望都相當樂觀,，但Cedar表示,，由于超紫外光(EUV)光刻技術的延遲，閃存的成長可能需要再評估,。
　　
　　現有的浸入式光刻工具將能能讓閃存業(yè)者前進到小于10nm左右的幾何尺寸,，他表示。此外,，供應商們也正在努力使用現有晶圓廠工具來建構3D堆疊NAND串,，以進一步提升產能和供給量。
　　
　　而在未來,，包括SanDisk在內的芯片制造商都在開發(fā)新的3D架構,，運用阻抗的變化來建構更高密度的芯片。但是,，這種所謂的電阻式RAM(resistiveRAM)將需要EUV工具,，他表示。
　　
　　Cedar拒絕透露任何有關EUV或當前3D芯片研究的具體時間表,。不過,，他表示，芯片制造商預計將推出采用浸入式工具開發(fā)的64和128Gb閃存元件,。
　　
　　“從可用性和成本角度來看，今天半導體產業(yè)中,，許多人都非常關注EUV的發(fā)展,，但這項技術將耗資數百萬美元。”Cedar表示,。
　　
　　據報導,，今年一月起便有一些預生產的EUV工具開始出貨。而一些報告也指出,，EUV工具成本可能高達1.2億美元,。
　　
　　但Cedar很樂觀：EUV終將成為大家都可負擔得起的方案。他還指出,，業(yè)界一直恐懼摩爾定律即將終結,，但迄今這仍然沒有根據。
　　
　　“當處于90nm時,，我們認為要前進到56nm非常困難,，且這場工藝競賽很可能隨時結束,，”他說。
　　
　　但好消息是閃存的需求一直很強勁,。2015年以前,，閃存的預估復合成長率達25%，幾乎是硬盤存儲的一倍,，更遠高于目前成長率僅1%的DRAM,，他說。
　　
　　截至2015年,，大約三分之一的NAND位元量將應用在多達11部的智能手機中,，Cedar表示。而平板電腦在2015年估計可達3.27億部,，預估將消耗另外15%的NAND位元量,。
　　
　　“平板電腦代表了一個從零開始，快速成長到規(guī)模相當龐大的市場,，”他說,。“今天市場上有更多創(chuàng)新產品不斷問世，甚至在3~4年都無法預測到它們會如此蓬勃發(fā)展,，未來這些產品也將維持其發(fā)展態(tài)勢,，”他補充道。
　　
　　他預計固態(tài)硬盤將消耗25%的NAND位元量,，其中用戶設備為1.33億部,，服務器約1,200萬部。其余的NAND方面約有26%會用在MP3播放器,、USB驅動和數碼相機中,，他表示。