在日前的一場閃存高峰會中,，SanDisk公司的技術(shù)長Yoram Cedar指出,，下一代光刻技術(shù)的延遲,，將導致NAND閃存的成長趨緩,。市場原先對閃存的展望都相當樂觀,，但Cedar表示,，由于超紫外光(EUV)光刻技術(shù)的延遲,，閃存的成長可能需要再評估,。
　　
　　現(xiàn)有的浸入式光刻工具將能能讓閃存業(yè)者前進到小于10nm左右的幾何尺寸,，他表示。此外,，供應商們也正在努力使用現(xiàn)有晶圓廠工具來建構(gòu)3D堆疊NAND串,，以進一步提升產(chǎn)能和供給量。
　　
　　而在未來，包括SanDisk在內(nèi)的芯片制造商都在開發(fā)新的3D架構(gòu),，運用阻抗的變化來建構(gòu)更高密度的芯片,。但是，這種所謂的電阻式RAM(resistiveRAM)將需要EUV工具,，他表示,。
　　
　　Cedar拒絕透露任何有關EUV或當前3D芯片研究的具體時間表。不過,，他表示,，芯片制造商預計將推出采用浸入式工具開發(fā)的64和128Gb閃存元件。
　　
　　“從可用性和成本角度來看,，今天半導體產(chǎn)業(yè)中,，許多人都非常關注EUV的發(fā)展，但這項技術(shù)將耗資數(shù)百萬美元,。”Cedar表示,。
　　
　　據(jù)報導，今年一月起便有一些預生產(chǎn)的EUV工具開始出貨,。而一些報告也指出,，EUV工具成本可能高達1.2億美元。
　　
　　但Cedar很樂觀：EUV終將成為大家都可負擔得起的方案,。他還指出,，業(yè)界一直恐懼摩爾定律即將終結(jié)，但迄今這仍然沒有根據(jù),。
　　
　　“當處于90nm時,，我們認為要前進到56nm非常困難，且這場工藝競賽很可能隨時結(jié)束,，”他說,。
　　
　　但好消息是閃存的需求一直很強勁。2015年以前,，閃存的預估復合成長率達25%,，幾乎是硬盤存儲的一倍，更遠高于目前成長率僅1%的DRAM,，他說,。
　　
　　截至2015年，大約三分之一的NAND位元量將應用在多達11部的智能手機中,，Cedar表示,。而平板電腦在2015年估計可達3.27億部，預估將消耗另外15%的NAND位元量,。
　　
　　“平板電腦代表了一個從零開始,，快速成長到規(guī)模相當龐大的市場,，”他說。“今天市場上有更多創(chuàng)新產(chǎn)品不斷問世,，甚至在3~4年都無法預測到它們會如此蓬勃發(fā)展,，未來這些產(chǎn)品也將維持其發(fā)展態(tài)勢，”他補充道,。
　　
　　他預計固態(tài)硬盤將消耗25%的NAND位元量,，其中用戶設備為1.33億部，服務器約1,200萬部,。其余的NAND方面約有26%會用在MP3播放器,、USB驅(qū)動和數(shù)碼相機中，他表示,。