??? 三菱電機一直致力推動環(huán)保，將攜同第4代DIPIPM（雙列直插式智能功率模塊），在6月2日至4日于上海光大會展中心舉行的PCIM中國展（展位號W2-P209）中亮相,，向參觀者推介越來越受市場歡迎的變頻家電節(jié)能技術(shù),。?

??? 近年來，為了節(jié)能和獲得更好的性能,，變頻電機驅(qū)動系統(tǒng)已得到廣泛應用,，其電流應用由大至幾百安培，到小至幾安培,。三菱電機在1997年最早推出壓注模雙列直插式智能功率模塊（DIPIPM^TM）,，并在白色家電和工業(yè)電機變頻驅(qū)動中得到廣泛應用。?

??? 三菱電機機電（上海）有限公司半導體事業(yè)部長谷口豐聰先生說：“中國近年來一直提倡加強能源節(jié)約和生態(tài)環(huán)境保護以增加可持續(xù)發(fā)展,，倡導采用變頻驅(qū)動,。三菱電機結(jié)合現(xiàn)代科技與多年累積的經(jīng)驗不斷發(fā)展節(jié)能產(chǎn)業(yè)，這不僅僅是企業(yè)發(fā)展的機遇,，更是一種社會責任,。”?

??? DIPIPM 是控制壓縮機電流,、空調(diào)變頻器節(jié)能的關(guān)鍵元件,。模塊集成了功率器件及其驅(qū)動保護芯片，從而大大減少電力損耗達到節(jié)能效果,。?

??? 第4代DIPIPM 有超小型,、小型和大型三種大小的封裝。第4代DIPIPM 的超小型3A/600V產(chǎn)品是世界上首次將RC-IGBT搭載于變頻用途的IPM,，其模塊內(nèi)部的硅片數(shù)量減少了一半,，加之散熱優(yōu)化的封裝結(jié)構(gòu)使得DIPIPM^TM的可靠性更高且功率密度更大。?

??? 第4代大型封裝的DIPIPM 額定值可達75A/600V和35A/1200V,，采用了全柵型CSTBT^TM硅片,、優(yōu)化的驅(qū)動IC以及導熱性能優(yōu)異的絕緣薄膜。不僅能用于柜式變頻空調(diào),，還可滿足工業(yè)變頻應用,，它必將為變頻系統(tǒng)的進一步小型化做出卓越的貢獻。?

同時,，第4代DIPIPM 也是歷來產(chǎn)品中端子形狀最為豐富的,，完全滿足各種變頻系統(tǒng)基板的實際安裝要求。此外,，第4代DIPIPM 整體無鉛化，完全符合歐洲的RoHS指令,，真正做到綠色環(huán)保,。?

??? 三菱電機應用于家電市場的產(chǎn)品還有DIPPFC^TM和DIPPSC^TM。DIPPFC^TM是完全開關(guān)型功率因數(shù)校正雙列直插智能模塊,，它的內(nèi)部集成了二極管整流橋和有源PFC電路,，硅片的功率損耗低,，封裝小型化且熱阻低。DIPPSC^TM是部分開關(guān)型功率因數(shù)校正雙列直插智能模塊,，它內(nèi)置功率因數(shù)校正電路及三相逆變電路,，內(nèi)建自舉電路且可動態(tài)監(jiān)視模塊內(nèi)部溫度。DIPPFC^TM和DIPPSC^TM均能有效改善家用電器對供電電網(wǎng)的諧波污染,。?

??? DIPIPM 是變頻家電功率轉(zhuǎn)換部分的核心,，變頻家電以其節(jié)能、環(huán)保的優(yōu)點近年來逐步受到市場的親睞,。例如：變頻空調(diào)比定速空調(diào)節(jié)電20-30%,；變頻冰箱比常規(guī)冰箱節(jié)電50%左右；變頻洗衣機比常規(guī)洗衣機節(jié)電50%左右,，在節(jié)水方面,，變頻洗衣機比常規(guī)洗衣機節(jié)水30-50%左右。

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??? 三菱電機將攜同一系列新型的HVIGBT模塊,，于6月2日至4日于上海光大會展中心舉行的PCIM中國展（展位號W2-P209）中亮相,，為不同領(lǐng)域的客戶提供與其相應的應用解決方案。?

??? HVIGBT模塊已經(jīng)在大功率領(lǐng)域得到廣泛應用,，比如：軌道牽引和大功率工業(yè)驅(qū)動,。這些大功率應用需要具有優(yōu)良性能的HVIGBT模塊，尤其要求損耗低,、額定電流大以及運行結(jié)溫范圍大的特性,。同時，要求模塊具有良好的開關(guān)控制特性以降低電磁干擾（EMI）,?；谶@些要求，三菱電機開發(fā)了一系列新型的HVIGBT模塊以滿足不同應用的需要,。?

??? 三菱電機機電（上海）有限公司半導體事業(yè)部長谷口豐聰先生說：“三菱電機在研制HVIGBT模塊已累積了多年經(jīng)驗,，這次展示的產(chǎn)品均能滿足客戶在高性能、高可靠性,、及低損耗方面的要求,。”?

??? 1700V N系列HVIGBT模塊采用載流子存儲式溝槽型雙極晶體管（Carrier Stored Trench-gate Bipolar Transistor,，CSTBT^TM）功率硅片,，獲得更好的飽和壓降（V_CE(sat)）與關(guān)斷損耗（E_off）的折衷關(guān)系，有效降低了模塊的功率損耗,。二極管硅片的軟反向恢復特性很好地抑制了二極管的振蕩,。基板材料采用AlSiC，模塊的可靠性得到大大提高,。?

??? 3300V R系列HVIGBT模塊采用FP-LPT-HVIGBT硅片和軟恢復高壓二極管硅片的組合,，在不犧牲模塊的短路魯棒性前提下，該新型模塊的飽和壓降與關(guān)斷損耗折衷特性得到了25%的改善,。新型二極管的使用減小了反向恢復電流從而降低了導通損耗,，且軟反向恢復特性維持了現(xiàn)有二極管設(shè)計的短路魯棒性，并具有良好的EMI性能,。新的硅片技術(shù)大大降低了模塊的功率損耗,，提高了模塊的額定電流，最大額定電流可高達1500A,。實驗證明,，通過調(diào)節(jié)導通和關(guān)斷柵極電阻值可以在比較大范圍內(nèi)控制模塊的開關(guān)特性。模塊的最大運行結(jié)溫可達150°C,，且最低存儲溫度可低至零下55°C,。?

??? 6500V HVIGBT模塊，其絕緣耐壓高達10.2k V（1分鐘交流有效值）,?；宀牧喜捎肁lSiC，模塊的可靠性得到大大提高,。一共有3種封裝形式,，小型，中型和大型,。6500V HVIGBT模塊的IGBT硅片具有漏電流小,、功率損耗低、安全工作區(qū)（SOA）大的特性,，其二極管硅片具有軟反向恢復特性,、功率損耗低和安全工作區(qū)（SOA）大的特性。從而模塊的總的功率損耗低,，可靠性高,。?

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??? 三菱電機大力支持中國電動汽車（EV）行業(yè)發(fā)展，推出L1系列智能功率模塊和第6代IGBT模塊功率器件用于電動汽車領(lǐng)域,，并將攜同該產(chǎn)品在6月2日至4日于上海光大會展中心舉行的PCIM中國展（展位號W2-P209）中亮相,，向參觀者推介越來越受市場關(guān)注的電動汽車技術(shù)。?

??? 三菱電機早在10年前已向日本電動汽車行業(yè)提供功率半導體?，F(xiàn)在,，三菱電機的智能功率模塊(IPM)具有體積小、開關(guān)速度快,、功耗低,、抗干擾能力強,、無須防靜電措施等優(yōu)點，大大縮短了客戶項目開發(fā)周期,。?

三菱電機機電（上海）有限公司半導體事業(yè)部長谷口豐聰先生說：“傳統(tǒng)的燃油不單造成空氣污染，令中國的能源供應矛質(zhì)更為突出,，發(fā)展電動汽車等新能源汽車已成大勢所赹,，三菱電機憑著累積多年的經(jīng)驗，能為汽車產(chǎn)業(yè)提供最優(yōu)化的功率模塊,，推動市場發(fā)展,。”?

??? IPM不同于IGBT模塊,，IPM有控制電路,，不僅把功率開關(guān)器件和驅(qū)動電路集成在一起，而且還內(nèi)藏有欠電壓,、短路和過溫等故障檢測電路,，并可將故障檢測信號輸出到控制單元。由于有控制電路的限制,，開發(fā)大電流,、高電壓的IPM模塊比較困難。但是由于有了控制電路,，客戶應用設(shè)計比較方便,，而且產(chǎn)品的穩(wěn)定性也有所提升。?

??? 三菱電機的第5代L1系列智能功率模塊,，將硅片溫度傳感器設(shè)置在IGBT硅片正中央處,，實現(xiàn)了更加精確迅速的硅片溫度檢測。該系列IPM采用全柵型CSTBT^TM硅片技術(shù),，具有比L系列IPM更低的損耗以及更加優(yōu)化的V_CE(sat)與E_off折衷曲線,。?

??? L1系列智能功率模塊主端子有針腳型和螺絲型兩種形式，同樣電流電壓等級的L1系列IPM與L系列IPM的封裝完全兼容,。此外,，L1系列IPM還首次開發(fā)了25A/1200V和50A/600V的小封裝產(chǎn)品以滿足客戶節(jié)約成本的需求。?

??? 三菱電機最新開發(fā)的第6代IGBT模塊,，采用優(yōu)化載流子存儲層的摻雜分布和精細圖形工藝的溝槽型IGBT硅片,，進一步降低模塊的開關(guān)和通態(tài)損耗。第6代IGBT模塊內(nèi)的續(xù)流二極管硅片,，由于采用薄晶片工藝和擴散技術(shù),，這種硅片優(yōu)化了緩沖層雜質(zhì)分布和本征層、緩沖層厚度,，減小了反向恢復的拖尾電流,，并且獲得更好的V_F和Q_rr的折衷關(guān)系,。?

??? 實驗證明新型硅片具有足夠?qū)扴CSOA和至少10μs的短路承受時間。第6代IGBT模塊的NX系列模塊采用第6代硅片,，運行結(jié)溫最高可達175°C,。該IGBT模塊產(chǎn)品豐富，有1200V和1700V兩個電壓等級,，額定電流從35A到1000A,，分別有CIB (Converter Inverter Brake)、七單元,、二單元和一單元模塊,。全系列產(chǎn)品采用同一封裝平臺從而降低了模塊的制造成本，使得NX系列IGBT模塊的性價比具有不同尋常的競爭力,。

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三菱電機機電（上海）有限公司簡介?

??? 三菱電機創(chuàng)立于1921年,，是全球知名的綜合性企業(yè)集團。在最新的《財富》500強排名中,，名列第210,。?

??? 作為一家技術(shù)主導型的企業(yè)，三菱電機擁有多項領(lǐng)先技術(shù),，并憑強大的技術(shù)實力和良好的企業(yè)信譽在全球的電力設(shè)備,、通信設(shè)備、工業(yè)自動化,、電子元器件,、家電等市場占據(jù)著重要的地位。?

??? 三菱電機機電（上海）有限公司把弘揚國人智慧,，開創(chuàng)機電新紀元視為責無旁貸的義務與使命,。憑借優(yōu)越的技術(shù)與創(chuàng)造力貢獻產(chǎn)業(yè)的發(fā)展以促進社會繁榮。?

??? 三菱電機半導體產(chǎn)品包括三菱功率模塊（IGBT,、IPM,、DIPIPM^TM、HVIGBT,、MOSFET等）,、三菱微波/射頻和高頻光器件、光模塊等產(chǎn)品,，其中三菱功率模塊在電機控制,、電源和白色家電的應用中有助于您實現(xiàn)變頻、節(jié)能和環(huán)保的需求,；而三菱系列光器件和光模塊產(chǎn)品將為您在各種模擬/數(shù)字通訊,、有線/無線通訊等應用中提供解決方案。?

??? 更多信息,，請登陸三菱電機機電（上海）有限公司網(wǎng)站：http://www. MitsubishiElectric-mesh.com或三菱電機半導體全球網(wǎng)站：http://www.mitsubishichips.com/,。?

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