??? 摘? 要: 研究了一種改進(jìn)型毫米波開(kāi)槽波導(dǎo)空間功率分配合成網(wǎng)絡(luò),。該功率分配/合成結(jié)構(gòu)具有合成效率高且合成效率基本不受合成路數(shù)的限制,、尺寸小,、設(shè)計(jì)過(guò)程靈活和容易散熱等特點(diǎn),。在詳細(xì)闡述了其原理及設(shè)計(jì)過(guò)程的基礎(chǔ)上,,設(shè)計(jì)了一個(gè)中心頻率為38 GHz的Ka頻段末端的功率合成器,。仿真結(jié)果顯示此種結(jié)構(gòu)回波損耗小于-12 dB的帶寬達(dá)2.3 GHz,,相對(duì)中心頻率帶寬約為6%,,且插入損耗小于0.3 dB,可見(jiàn)具有極低的插入損耗和較低的回波損耗,,從而驗(yàn)證了此種結(jié)構(gòu)的可行性,。 ?
??? 關(guān)鍵詞: 毫米波; 開(kāi)槽波導(dǎo),; 空間功率合成,; 波導(dǎo)-微帶過(guò)渡
?
??? 毫米波頻段廣泛應(yīng)用于衛(wèi)星保密通信、導(dǎo)彈精確制導(dǎo),、雷達(dá),、電子對(duì)抗等方面,提高發(fā)射機(jī)的輸出功率意味著具有更好的通信質(zhì)量,、更大的作用半徑,、更強(qiáng)的抗干擾能力,所以提高毫米波電路輸出功率對(duì)系統(tǒng)性能至關(guān)重要,,但是在現(xiàn)有的技術(shù)水平下,,單片毫米波功放芯片(MMIC)的輸出功率是有限的,一般只能達(dá)到瓦級(jí),,采用功率合成技術(shù)是一種有效的解決問(wèn)題的方法,。功率合成的實(shí)現(xiàn)方式可分為電路合成和空間合成。電路合成具有帶寬寬的優(yōu)點(diǎn),,但是工作頻率較低,,在毫米波頻段其合成效率低下,損耗很大,,因而不適合在毫米波頻段應(yīng)用,;空間功率合成相對(duì)帶寬較窄(3 dB帶寬約5%左右),但是因?yàn)槠浜铣尚驶九c固態(tài)器件數(shù)量無(wú)關(guān),,更適合多器件的大功率輸出,,并且具有容易散熱、外形小等優(yōu)點(diǎn),因而得到國(guó)內(nèi)外學(xué)者的關(guān)注,,在微波、毫米波頻段提出了一些實(shí)現(xiàn)的方式,??臻g功率合成技術(shù)由ALEXANIAN A和YORK R A于1997年提出[1]。此后,,以YORK R A教授為代表的學(xué)者相繼提出了規(guī)則矩形波導(dǎo),、擴(kuò)展尺寸矩形波導(dǎo)和擴(kuò)展同軸線內(nèi)空間功率合成等形式,并在X波段和K波段研制并實(shí)現(xiàn)基于該類結(jié)構(gòu)形式的空間功率合成系統(tǒng)[2-3],;1999年BASHIRULLAH R和MORTAZAWI A提出了開(kāi)槽波導(dǎo)空間功率合成器[4-5],,在10 GHz時(shí)8路的合成效率為88%,,3 dB帶寬為5%。但是在毫米波頻段的實(shí)現(xiàn)方式報(bào)道的不多,,國(guó)內(nèi)在這方面的研究還處于初級(jí)階段,。?
??? 毫米波系統(tǒng)的成功應(yīng)用很大程度上取決于系統(tǒng)功率的大小,功率分配合成網(wǎng)絡(luò)是實(shí)現(xiàn)功率輸出的關(guān)鍵部件,,本文在參考文獻(xiàn)[4],、[5]基礎(chǔ)上,對(duì)此種開(kāi)槽波導(dǎo)空間功率合成方法進(jìn)行了改進(jìn),,把其工作頻帶拓展到Ka頻段末端,,設(shè)計(jì)了一個(gè)中心頻率為38 GHz的6路功率合成器,其具有較寬的帶寬,、極低的插入損耗和較低的回波損耗等特點(diǎn),。?
1 原理與結(jié)構(gòu)?
??? 開(kāi)槽波導(dǎo)空間功率合成器結(jié)構(gòu)如圖1所示。其原理是信號(hào)從波導(dǎo)口輸入,,利用在輸入波導(dǎo)寬邊上開(kāi)完全相同的縫隙耦合能量到鋪設(shè)在波導(dǎo)上壁的微帶線中實(shí)現(xiàn)波導(dǎo)-微帶過(guò)渡,,用6路此類結(jié)構(gòu)構(gòu)成功率分配網(wǎng)絡(luò);耦合出來(lái)的信號(hào)采用MMIC放大,;根據(jù)微波無(wú)源網(wǎng)絡(luò)互易定理,,功率分配網(wǎng)絡(luò)反過(guò)來(lái)可用作功率合成網(wǎng)絡(luò),各MMIC輸出端接上反對(duì)稱放置的功率分配網(wǎng)絡(luò),,從而實(shí)現(xiàn)功率的合成輸出,。在輸入和輸出的另一面用短路活塞實(shí)現(xiàn)短路壁。該結(jié)構(gòu)較好地解決了空間功率合成時(shí)在有限空間內(nèi)如何放置多器件的一大難題,,因?yàn)榇私Y(jié)構(gòu)的合成效率基本與合成路數(shù)即固態(tài)器件數(shù)量無(wú)關(guān),,當(dāng)需要更大的功率輸出時(shí),增加合成路數(shù)即可,。?
?
?
2 電路設(shè)計(jì)與參數(shù)選擇準(zhǔn)則?
??? 開(kāi)槽波導(dǎo)功率合成器設(shè)計(jì)可以采用基于電磁場(chǎng)有限元方法的三維電磁仿真軟件HFSS進(jìn)行全波仿真,,但是非常耗機(jī)時(shí),給設(shè)計(jì)帶來(lái)困難,,一個(gè)更好的辦法是對(duì)其進(jìn)行分布式參數(shù)等效[5-6],,如圖2所示。?
?
?
??? 波導(dǎo)寬邊上的縫隙用傳輸線的支路部分來(lái)代替,。第K個(gè)波導(dǎo)-微帶過(guò)渡單元所帶來(lái)的不連續(xù)性用電導(dǎo)GK和電納BK來(lái)等效,。LK(K=2,3,,…,,N)為第K個(gè)縫隙中心和第(K+1)個(gè)縫隙中心的距離。Y0是波導(dǎo)TE10模式的特性導(dǎo)納,。假設(shè)相鄰單元的耦合是可以忽略的,,則從波導(dǎo)口向里看去每一節(jié)波導(dǎo)部分的導(dǎo)納是[6]:?
?????
??? 首先設(shè)計(jì)每個(gè)波導(dǎo)——微帶過(guò)渡單元,,然后級(jí)連起來(lái)就構(gòu)成了整個(gè)分配/合成網(wǎng)絡(luò)的結(jié)構(gòu)??臻g功率合成的另一大難題是在盡可能大的帶寬內(nèi)分/合成時(shí)信號(hào)幅度,、相位的一致性,以及各路之間有足夠的隔離度,。故設(shè)計(jì)的關(guān)鍵在于波導(dǎo)寬邊上縫隙尺寸,、縫隙到波導(dǎo)中心的距離、短路壁距最后一路縫隙中心的距離,、每相鄰單元的間距的設(shè)計(jì)以及波導(dǎo)-微帶轉(zhuǎn)換處的阻抗匹配,。?
??? 波導(dǎo)寬邊上縫隙尺寸的選擇:按照波導(dǎo)縫隙天線的理論,在特定頻率下,,縫隙的長(zhǎng)度為諧振長(zhǎng)度時(shí),,阻抗的虛部消失,表現(xiàn)為純電導(dǎo),,假設(shè)每個(gè)單元的縫隙長(zhǎng)度一樣,,此時(shí)有:?? ?
??? G1=G2=…=GK=…=GN?
則信號(hào)輸入波導(dǎo)口的導(dǎo)納為:?
?????
??? 縫隙諧振長(zhǎng)度的選擇先通過(guò)粗略的計(jì)算,確定一個(gè)初值,,再通過(guò)Ansoft HFSS仿真,、優(yōu)化,當(dāng)波導(dǎo)口的導(dǎo)納符合im(Y)=0時(shí),長(zhǎng)度就是中心頻率的諧振長(zhǎng)度,。由于毫米波頻段末端色散嚴(yán)重,,以及在縫隙上面鋪上微帶板,影響了電磁場(chǎng)的分布,,高次模復(fù)雜,,因此由公式計(jì)算出來(lái)的初值有可能與軟件仿真出來(lái)的值差異較大,需要反復(fù)仿真得到,??p隙的寬度對(duì)性能影響相對(duì)較小,一般選擇原則是能夠抵擋縫邊之間的最大電壓擊穿強(qiáng)度的沖擊以及兼顧機(jī)械加工的難度,。?
??? 縫隙到波導(dǎo)中心的距離的選擇:當(dāng)能量在波導(dǎo)中行波傳播時(shí),,各路耦合系數(shù)分別為:1/(N+1-k),k=1,2,…,N。當(dāng)能量在波導(dǎo)中駐波傳播時(shí),,各路耦合系數(shù)分別為:1/N,。每路波導(dǎo)-微帶過(guò)渡的耦合系數(shù)大小可以通過(guò)調(diào)節(jié)縫隙到波導(dǎo)中心的距離加以實(shí)現(xiàn)。調(diào)節(jié)過(guò)程中要兼顧每路信號(hào)幅度的平衡度,。?
??? 短路壁距最后一路縫隙中心的距離的確定:當(dāng)開(kāi)槽波導(dǎo)功率合成器工作在駐波方式時(shí),短路壁對(duì)性能的影響相當(dāng)敏感,,此處選擇的距離大約為3/4波導(dǎo)波長(zhǎng)(3λg/4),,工程中實(shí)際長(zhǎng)度需優(yōu)化得到,。在距最后一路縫隙中心為3λg/4處設(shè)置短路壁的原因是,當(dāng)某一相位的電磁波向短路面?zhèn)鞑?,?jīng)歷3/4波導(dǎo)波長(zhǎng),,在短路壁處全反射,再經(jīng)過(guò)3/4波導(dǎo)波長(zhǎng),,再次回到最后一路縫隙中心處時(shí)與原來(lái)同相,,同相場(chǎng)相互疊加獲得更強(qiáng)的場(chǎng),使得作為接收天線的微帶線在電場(chǎng)強(qiáng)的地方可以得到更好的耦合效果,。?
??? 每相鄰單元間距的確定:由于鋪設(shè)在縫隙上面的微帶線的不連續(xù)性,,微帶探針很容易引起振蕩;此外相鄰單元要獲得足夠的隔離度,;還要考慮MMIC放置的問(wèn)題,,合理地設(shè)置每相鄰單元的間距至關(guān)重要。經(jīng)理論分析發(fā)現(xiàn),,如果距離落在nλg/4(n取奇數(shù),,頻率在30 GHz~40 GHz范圍內(nèi)),則必然在32 GHz~38 GHz范圍內(nèi)出現(xiàn)振蕩,,使得幅度有較大不一致,,工程上一般取半個(gè)波導(dǎo)波長(zhǎng)的整數(shù)倍,設(shè)計(jì)過(guò)程中折中考慮,,用軟件優(yōu)化取得一個(gè)最優(yōu)值,。?
??? 波導(dǎo)-微帶轉(zhuǎn)換處的阻抗匹配:標(biāo)準(zhǔn)BJ320波導(dǎo)等效阻抗大約為500 Ω,比標(biāo)準(zhǔn)微帶線特征阻抗50 Ω高很多,。利用減高波導(dǎo)(7.112 mm×1.778 mm)是一種有效的方法[6-7],,但是不便與外部部件連接。本文對(duì)此做了改進(jìn),,采用標(biāo)準(zhǔn)BJ320波導(dǎo)(7.112 mm×3.556 mm),,把鋪設(shè)在縫隙上面的微帶線特征阻抗設(shè)為75 Ω,再通過(guò)一個(gè)過(guò)渡匹配至50 Ω,,較好地解決了匹配問(wèn)題又方便與外部部件連接,。75 Ω微帶線開(kāi)路端距縫隙中心距離為1/4微帶波長(zhǎng)(λw/4),使得縫隙的中心處于微帶線的射頻短路點(diǎn),,縫隙輻射出的能量能夠最有效地激勵(lì)起微帶中的場(chǎng),,更好地實(shí)現(xiàn)阻抗匹配。?
??? 頂蓋尺寸的確定:為了取得更好的回波損耗,、更好的隔離度,,本文在參考文獻(xiàn)[4]、[5]的基礎(chǔ)上做了改進(jìn),,在每路MMIC周?chē)由弦粋€(gè)金屬頂蓋,,蓋子兩端距離縫隙中心λg/4,,這樣從縫隙輻射出來(lái)的信號(hào)和從蓋子兩端發(fā)射回來(lái)的信號(hào)在縫隙中心處同相疊加,加強(qiáng)微帶線的耦合作用,,且信號(hào)不會(huì)輻射到空氣中損耗掉,。此外,這種結(jié)構(gòu)在調(diào)試某一路時(shí)不會(huì)影響到相鄰的單元,,方便調(diào)試,。仿真發(fā)現(xiàn)蓋子的高度對(duì)性能的影響不大,可適當(dāng)選取,。?
3 無(wú)源網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)及仿真結(jié)果?
??? 采用標(biāo)準(zhǔn)BJ320波導(dǎo),,微帶板基片選用易于加工和低損耗的Rogers公司生產(chǎn)的介電常數(shù)相對(duì)較小的RT Duroid5880基片(εr=2.2,厚度0.254 mm)。?
??? 根據(jù)以上設(shè)計(jì)原理,,設(shè)計(jì)了一個(gè)38 GHz的6路開(kāi)槽波導(dǎo)空間功率合成器,,其中縫隙的尺寸為:5 mm×1.5 mm,距離波導(dǎo)中心的距離為3.1 mm,;微帶板距波導(dǎo)上表面為1mm,,50 Ω微帶線寬度為0.774 mm;短路壁距最后一路縫隙中心為0.77λg,。設(shè)計(jì)過(guò)程中,,先對(duì)各參數(shù)進(jìn)行敏感性分析,粗略計(jì)算各參數(shù)的初值,,然后用HFSS軟件仿真,、優(yōu)化。功率分配器第一至第六路輸出口分別定義為端口2,、3,、…、7,,其仿真結(jié)果如圖3至圖6所示,。?
?
?
?
?
?
??? 從圖3可以看出在36.5 GHz~39.5 GHz的范圍內(nèi),輸入端的回波損耗小于-15 dB的帶寬達(dá)1 GHz,,各路耦合系數(shù)為-7.8左右,,幅度不平衡度小于0.3 dB,取得了較好的幅度一致性,。從圖4,、圖5和圖6可以看出在36.5 GHz~39.5 GHz的范圍內(nèi),相位一致性較好,,隔離度基本達(dá)到-15 dB以下(除第一路和第二路之間的隔離度外),。?
??? 把功率分配器連接成為功率合成器有兩種方式:對(duì)稱放置和反對(duì)稱放置。其中反對(duì)稱放置對(duì)信號(hào)的相位有一定的補(bǔ)償,有利于相位的一致性,,功放的合成效率更高,,插損更小。此功率合成器仿真結(jié)果如圖7所示,。?
?
?
??? 從圖7可見(jiàn),整個(gè)合成網(wǎng)絡(luò)回波損耗小于-12 dB的帶寬達(dá)2.3 GHz,,插入損耗小于0.3 dB,。由于開(kāi)槽波導(dǎo)空間功率合成結(jié)構(gòu)是基于諧振方式,其相對(duì)帶寬較窄,,一般只能達(dá)到5%左右,。本文設(shè)計(jì)的空間功率合成器相對(duì)帶寬約為6%,帶寬有所拓展,。?
??? 最后進(jìn)行公差分析,,對(duì)最敏感的尺寸參數(shù)在公差(±0.05 mm)范圍內(nèi)仿真發(fā)現(xiàn),此網(wǎng)絡(luò)各性能指標(biāo)偏差不大,,說(shuō)明此結(jié)構(gòu)具有較好的穩(wěn)健性,。?
??? 本文提出了一種改進(jìn)型的適用于毫米波頻段的開(kāi)槽波導(dǎo)空間功率分配合成網(wǎng)絡(luò),詳細(xì)闡述了其原理及設(shè)計(jì)過(guò)程,,并在中心頻率為38 GHz的Ka頻段末端設(shè)計(jì)了此種結(jié)構(gòu)的網(wǎng)絡(luò),。仿真結(jié)果顯示,此種結(jié)構(gòu)具有極低的插入損耗和較低的回波損耗,,相對(duì)帶寬也有所增大,,此外,還具有散熱容易,、尺寸小等優(yōu)點(diǎn),。結(jié)果顯示此改進(jìn)型的結(jié)構(gòu)相對(duì)參考文獻(xiàn)[4]、[5]來(lái)說(shuō),,能工作在更高的頻段,,插損更小,且?guī)捯灿兴龃?,說(shuō)明了此結(jié)構(gòu)的可行性,,是一種較有競(jìng)爭(zhēng)力的空間功率合成方式。?
參考文獻(xiàn)?
[1] ALEXANIAN A, YORK R A. Broadband spatially combined amplifier array using tapered slot transitions in?waveguide[J]. IEEE Microwave and Wireless Components?Letters, 1997,7(2):42-44.?
[2] CHENG N S, DAO T P, CASE M G, et al. A 120-watt?X-band spatially combined solid state amplifier[J]. IEEE
Trans. Mircow. Theory Tech., 1999,47(12):2557-2561. ?
[3] CHENG N S, ALEXANIAN A, CASE M G, et al. 40?watt CW broadband spatial power combiner using dense?finline arrays[J]. IEEE Trans. Mircow. Theory Tech.,?1999,47:1070-1076.?
[4] BASHIRULLAH R, MORTAZAWI A. A slotted waveguide?quasi-optical power amplifier.Microwave Symposium Digest[J]. IEEE MTT-S International,1999:671-674.?
[5]?BASHIRULLAH R, MORTAZAWI A. A slotted-waveguide ??? power amplifier for spatial power-combining applications[J].IEEE Trans. Mircow. Theory Tech., 2000,48(7):1142-1147.?
[6] JIANG X, LIU L, ORTIZ S C, et al. A ka-band power?amplifier based on a low-profile slotted-waveguide power?combining /dividing circuit[J]. IEEE Trans. Microwave?Theory Tech., 2003,51(1):144-147.?
[7] JIANG X, ORTIZ S C, MORTAZAWI A. A ka-band?power amplifier based on the traveling-wave power-dividing/combining slotted-waveguide circuit[J]. IEEE Trans.Mircow.Theory Tech., 2004, 52(2):633-639.