《電子技術(shù)應(yīng)用》
您所在的位置:首頁(yè) > 電源技術(shù) > 設(shè)計(jì)應(yīng)用 > 基于PC40EE25的開(kāi)關(guān)隔離電源設(shè)計(jì)[圖]
基于PC40EE25的開(kāi)關(guān)隔離電源設(shè)計(jì)[圖]
摘要: 根據(jù)《太陽(yáng)能光伏發(fā)電系統(tǒng)研制技術(shù)協(xié)議》的規(guī)定,接入太陽(yáng)能光伏發(fā)電系統(tǒng)的電池陣列在最強(qiáng)光照的情況下的開(kāi)路電壓將不能超過(guò)750V,最低不低于120V,。本文介紹的開(kāi)關(guān)電源就是在120~750V的輸入電壓范圍內(nèi)能穩(wěn)定地輸出,,從而使太陽(yáng)能光伏并網(wǎng)發(fā)電系統(tǒng)能在協(xié)議規(guī)定的輸入范圍內(nèi)穩(wěn)定地為低壓控制器,、IGBT驅(qū)動(dòng)器以及LCD供電,,并使系統(tǒng)可靠地工作。
Abstract:
Key words :
 

引言

根據(jù)《太陽(yáng)能光伏發(fā)電系統(tǒng)研制技術(shù)協(xié)議》的規(guī)定,,接入太陽(yáng)能光伏發(fā)電系統(tǒng)的電池陣列在最強(qiáng)光照的情況下的開(kāi)路電壓將不能超過(guò)750V,,最低不低于120V。本文介紹的開(kāi)關(guān)電源就是在120~750V的輸入電壓范圍內(nèi)能穩(wěn)定地輸出,,從而使太陽(yáng)能光伏并網(wǎng)發(fā)電系統(tǒng)能在協(xié)議規(guī)定的輸入范圍內(nèi)穩(wěn)定地為低壓控制器,、IGBT驅(qū)動(dòng)器以及LCD供電,并使系統(tǒng)可靠地工作,。

1 電路拓?fù)?/strong>

本設(shè)計(jì)的電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)如圖1所示,,圖中,當(dāng)VT1和VT2同時(shí)導(dǎo)通時(shí),,DC電源和變壓器初級(jí)組成回路,,變壓器初級(jí)的電流上升,,變壓器的磁通密度從初始的剩余磁通Br上升到峰值Bw,,并將能量存儲(chǔ)在變壓器中,這時(shí),,由于次級(jí)的二極管VD3的截止作用,,使得變壓器不能向次級(jí)傳送能量;而當(dāng)VT1和VT2同時(shí)關(guān)斷的時(shí)候,,由于反激的作用,,變壓器初級(jí)的電壓反向,鉗位二極管VD1和VD2導(dǎo)通,,以把原邊繞組的反激電壓和開(kāi)關(guān)管上的電壓鉗制在電源電壓Vdc,。此時(shí),存儲(chǔ)在變壓器的能量一部分向副邊傳遞,,另一部分通過(guò)鉗位二極管返回給電容C1和C2,。因而在反激時(shí)間內(nèi),變壓器的磁通密度從峰值Bw下降到剩余磁通Br,。經(jīng)過(guò)一段時(shí)間,VT1和VT2又同時(shí)開(kāi)通,以進(jìn)入下一個(gè)周期,。整個(gè)電路通過(guò)連續(xù)地開(kāi)關(guān)VT1和VT2,,就可以得到穩(wěn)定的直流輸出。

基于<a class=PC40EE25的開(kāi)關(guān)隔離電源設(shè)計(jì)" height="216" src="http://files.chinaaet.com/images/20110927/0913f17d-3378-44d6-a058-d88904a38f1e.jpg" width="300" />
圖1 雙管反激式拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)

由于實(shí)際電路的分布參數(shù)以及開(kāi)關(guān)管VT1和VT2的屬性并非完全相同,,所以,,VT1和VT2不是完全同時(shí)開(kāi)關(guān)。當(dāng)VT1先關(guān)斷時(shí),,變壓器初級(jí)T1,、VT2和VD2組成回路續(xù)流,,而當(dāng)VT2關(guān)斷時(shí),變壓器儲(chǔ)存的能量將向次級(jí)傳送,;同理,,當(dāng)VT2先關(guān)斷,變壓器初級(jí)T1,、VT1和VD1將組成回路續(xù)流,,并當(dāng)VT1關(guān)斷時(shí),變壓器存儲(chǔ)的能量向次級(jí)傳送,。

與一般采用單管加控制芯片的開(kāi)關(guān)電源不同的是,,本設(shè)計(jì)采用了上下兩個(gè)MOSFET,這樣做的目的一是可以降低每個(gè)開(kāi)關(guān)管上承受的電壓,,二是兩個(gè)開(kāi)關(guān)管不需要采用兩個(gè)控制芯片來(lái)控制,,而只用一個(gè)PWM波就可以實(shí)現(xiàn)兩個(gè)開(kāi)關(guān)管的同時(shí)開(kāi)通和關(guān)斷。

圖2所示是本設(shè)計(jì)的主電路圖,,圖中,,D1和D2主要防止由于反激電壓串入DC電源引起DC電壓波動(dòng),R1和R2取值相同,,C1和C2的容值屬性均相同,,這樣一方面可以平衡C1和C2上的電壓,另一方面可以降低C1的C2的耐壓,。VT1和VT2共用一個(gè)驅(qū)動(dòng)信號(hào),,故可實(shí)現(xiàn)同時(shí)開(kāi)通和關(guān)斷。R3為采樣電阻,,該主電路采用的是峰值電流控制模式,。VT4的作用主要是外加保護(hù)。輔助繞組的設(shè)計(jì)主要是為控制電路供電,。次級(jí)整流二極管后加π型濾波器的效果要比只用電容濾波更好,,R4為假負(fù)載,主要是防止開(kāi)關(guān)電源的空載,。R5,,R6,tl431,,pc817和R7共同組成反饋電路,。

基于PC40EE25的開(kāi)關(guān)隔離電源設(shè)計(jì)
圖2 主電路圖

2 控制電路的設(shè)計(jì)

本設(shè)計(jì)采用SG*1高集成環(huán)保模式PWM控制器,該控制器采用電流模式(逐周期電流限制)的工作方式,,可以實(shí)現(xiàn)軟驅(qū)動(dòng)圖騰柱輸出的可調(diào)控的PWM波形,,其輸出電壓可達(dá)18V,足以同時(shí)驅(qū)動(dòng)兩路MOSFET。本設(shè)計(jì)還在PWM輸出端設(shè)計(jì)了一個(gè)信號(hào)耦合變壓器,,這樣可用同一個(gè)PWM信號(hào)來(lái)控制兩個(gè)MOSFET,,使Q1和Q2同時(shí)開(kāi)通和關(guān)斷,還可以實(shí)現(xiàn)驅(qū)動(dòng)MOSFET信號(hào)的隔離,。另外,,該控制器也可以提供欠壓鎖定和過(guò)溫保護(hù)功能,當(dāng)VDD小于10V時(shí),,控制器內(nèi)部將鎖定,,不再向外發(fā)送PWM波。

本設(shè)計(jì)采用負(fù)載繞組給控制芯片SG*1供電,,從主電路可知,,輔助繞組和次級(jí)繞組處在相同的工作方式下,這在設(shè)計(jì)變壓器的時(shí)候只要根據(jù)次級(jí)輸出就可以確定輔助繞組的設(shè)計(jì),。應(yīng)當(dāng)注意的是,,在雙管反激電路中,兩個(gè)開(kāi)關(guān)管中間有一個(gè)懸浮地,,因而不能直接驅(qū)動(dòng),,所以,這里采用變壓器隔離驅(qū)動(dòng)方法來(lái)使VT1和VT2公用同一驅(qū)動(dòng)信號(hào),。

圖3所示是本設(shè)計(jì)的控制芯片電路及驅(qū)動(dòng)電路,,圖中,,R3接在直流電壓DC端主要用來(lái)啟動(dòng),,當(dāng)流入3腳的電流足夠啟動(dòng)芯片的時(shí)候,芯片8腳Gate輸出PWM波,,從而使主電路導(dǎo)通,,電源開(kāi)始工作。R4主要確定芯片輸出PWM波的頻率,,R5和C5組成電流采樣的匹配網(wǎng)路,。由于芯片采用逐周峰值電流工作方式,故在初級(jí)線圈電流達(dá)到峰值時(shí),,芯片將關(guān)斷PWM波,,變壓器向次級(jí)傳送能量。

基于PC40EE25的開(kāi)關(guān)隔離電源設(shè)計(jì)
圖3 控制芯片電路及驅(qū)動(dòng)電路

圖4所示是其系統(tǒng)中的輸入欠壓和輸出過(guò)壓保護(hù)電路,。由于本開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)采用了輸入過(guò)壓和輸入欠壓保護(hù),,故當(dāng)輸入高于750V或低于120V時(shí),比較器的2腳電壓值會(huì)高于2.5V或比較器的5腳會(huì)低于2.5V,,本設(shè)計(jì)采用精密可調(diào)線性穩(wěn)壓器TL431來(lái)產(chǎn)生2.5V的基準(zhǔn)源,,并分別給比較器的3腳和6腳供電,這樣,在比較器的1腳或7腳就會(huì)產(chǎn)生低電平,,Q5由于基級(jí)電壓過(guò)低而截止,,線性光耦U5的發(fā)光二極管不能發(fā)光。這時(shí),,由于Q4S接到輸出儲(chǔ)能電容上,,Q4G和Q4S不能組成通路,所以,,加在Q4管的GS間的電壓Ugs為零,,開(kāi)關(guān)管Q4關(guān)斷,電源不能向后面負(fù)載供電,,從而實(shí)現(xiàn)欠壓和過(guò)壓保護(hù)功能,。

基于PC40EE25的開(kāi)關(guān)隔離電源設(shè)計(jì)
圖4 輸入欠壓和輸出過(guò)壓保護(hù)電路

3 電路變壓器的設(shè)計(jì)

采用兩個(gè)開(kāi)關(guān)管串聯(lián)不會(huì)影響主電路中變壓器的設(shè)計(jì),故可根據(jù)《開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)指南》中相關(guān)介紹來(lái)計(jì)算變壓器參數(shù),,本設(shè)計(jì)選用TDK公司的PC40EE25高頻磁性材料作為鐵芯,,變壓器的參數(shù)計(jì)算如下:

初級(jí)線圈的峰值電流:

基于PC40EE25的開(kāi)關(guān)隔離電源設(shè)計(jì)

變壓器的有效功率:

基于PC40EE25的開(kāi)關(guān)隔離電源設(shè)計(jì)

式中,Ac為有效磁芯面積,,單位為cm2,,Bmax為最大磁通密度,單位為G(高斯Wb/cm2),。

4 實(shí)驗(yàn)結(jié)果

目前,,筆者采用該技術(shù)成功地設(shè)計(jì)出了一種輸入范圍為120~800V,輸出功率為20W的輔助開(kāi)關(guān)電源,。

本設(shè)計(jì)采用直流120~800V輸入,,輸出單路為20V/1A,其實(shí)驗(yàn)的工作頻率f為100kHz,,主變壓器選用PC40EE25高頻磁芯,,驅(qū)動(dòng)隔離變壓器選用T57 R12.5×7.5×5高頻脈沖變壓器磁芯,主開(kāi)關(guān)VT1和VT2選用APT4M120KN溝道MOSFET,,鉗位二極管VD1和VD2選用HER308肖特基二極管,,整流二極管VD3選用CQ504,保護(hù)電路開(kāi)關(guān)管VD4選用IRF9640P溝道MOSFET,。

5 結(jié)束語(yǔ)

實(shí)驗(yàn)證明,,由于本設(shè)計(jì)采用了反激式拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),因此,,電路工作穩(wěn)定度好,。這種結(jié)構(gòu)的特點(diǎn)是整個(gè)電路使用元器件少,本身固有效率高(典型效率為80%),,采用單片開(kāi)關(guān)控制,,整體設(shè)計(jì)比較經(jīng)濟(jì),,又因?yàn)楹椭鞴β驶芈贩珠_(kāi),從而避免了相互干擾,,提高了可靠性,。

此內(nèi)容為AET網(wǎng)站原創(chuàng),未經(jīng)授權(quán)禁止轉(zhuǎn)載,。