非揮發(fā)性相變記憶體技術(shù)長久以來一直被討論是否可取代現(xiàn)有的主動式記憶體和快閃記憶體,，但迄今仍充滿爭議,，因為盡管多年來有許多公司相繼投入研發(fā)，但仍未達(dá)量產(chǎn)水準(zhǔn),。
　　
　　不過,，盡管如此,，三星的研究團隊仍計劃在今年底(12月5~7日)的IEDM上，透過展示完全整合的20nm相變化隨機存取記憶體單元,，揭示PCM和電阻式RAM的最新研究進(jìn)展,。這個記憶體單元包含了創(chuàng)新的底部電極材料，這種材料主要是為了能獲得低于100mA重置電流所開發(fā)的,，
　　
　　在此同時,，旺宏(MacronixInternational)和IBMT.JWatson研究中心的研究人員則將提出三篇論文。Paper3.2探討具備30mA重置電流和10^9使用周期的39nm元件架構(gòu),。該團隊在一個電極下的熱屏障中使用導(dǎo)熱效率較差的TaN,。30mA的重置電流據(jù)稱已經(jīng)比前一代元件降低了90%。
　　
　　另一篇Paper3.4則說明旺宏和IBM的研究小組在鍺-銻-碲(GeSnTe,，或GST)材料方面的探索成果,，以及優(yōu)于GST-225材料的新發(fā)現(xiàn)。(transitiontemperature)幾乎高出100℃,，因而具備更好的熱穩(wěn)定性,。
　　
　　旺宏與IBM還進(jìn)一步制造了一個128Mb的元件，該元件顯示了10^8(1億)的耐用循環(huán)次數(shù),，耐受溫度則高達(dá)190℃,。