《電子技術(shù)應(yīng)用》
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稀土摻雜半導(dǎo)體納米發(fā)光材料研究取得新進(jìn)展

2011-09-28

  稀土離子和半導(dǎo)體納米晶(或量子點(diǎn))本身都是很好的發(fā)光材料,二者的有效結(jié)合能否生出新型高效發(fā)光或激光器件一直是國內(nèi)外學(xué)者關(guān)注的科學(xué)問題,。與絕緣體納米晶相比,,半導(dǎo)體納米晶的激子玻爾半徑要大得多,因此量子限域效應(yīng)對摻雜半導(dǎo)體納米晶發(fā)光性能的影響變得很顯著,,從而有可能通過尺寸調(diào)控來設(shè)計(jì)一些具有新穎光電性能的發(fā)光材料,。同時(shí)由于稀土離子和基質(zhì)陽離子的離子半徑差異大,,電荷不匹配,,三價(jià)稀土離子一般很難以替代晶格位置的形式摻入半導(dǎo)體(如ZnO和TiO2)納米晶中,。目前,國內(nèi)外研究結(jié)果大都只能得到稀土在半導(dǎo)體納米晶表面或近表面的弱發(fā)光,。如何實(shí)現(xiàn)稀土離子的體相摻雜是目前這類材料面臨應(yīng)用的瓶頸,,也是制備新材料面臨的挑戰(zhàn)。
  
  在科技部863和973計(jì)劃,、國家自然科學(xué)基金,、中科院“百人計(jì)劃”、福建省杰青項(xiàng)目等支持下,,中科院福建物質(zhì)結(jié)構(gòu)研究所中科院光電材料化學(xué)與物理重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室陳學(xué)元研究員課題組在稀土摻雜半導(dǎo)體納米晶研究方面取得新進(jìn)展,。該研究小組采用一種巧妙的技術(shù)路線,成功實(shí)現(xiàn)了稀土離子在TiO2納米晶中的體相摻雜,,在銳鈦礦型TiO2球狀多晶聚集體中觀測到稀土離子的尖銳強(qiáng)發(fā)光,。通過低溫高分辨熒光光譜實(shí)驗(yàn),對Er3+在TiO2納米晶中的局域電子結(jié)構(gòu)和晶體場能級進(jìn)行了系統(tǒng)的分析和計(jì)算,,首次實(shí)驗(yàn)確定了占據(jù)單一格位的Er3+在銳鈦礦TiO2中的全部晶體場參數(shù),。
  
  這些結(jié)果對于研究其它稀土離子在二氧化鈦半導(dǎo)體納米晶中的光譜性能以及局域結(jié)構(gòu)等有重要意義。研究成果9月20日在線發(fā)表在Small(DOI:10.1002/smll.201100838)上,。
  
  此前,,該研究小組利用銪離子為光譜學(xué)探針,證實(shí)了Eu3+在TiO2中多格點(diǎn)位置以及Eu3+的局域結(jié)構(gòu)對稱性從原先的D2d降低到D2和C2v的事實(shí)(J.Phys.Chem.C,2008,112,10370),;在Sm3+,、Nd3+摻雜的TiO2納米晶中,實(shí)現(xiàn)了從TiO2基質(zhì)到Sm3+和Nd3+的高效能量傳遞(J.Phys.Chem.C,2009,113,8772),;在稀土摻雜ZnO(Opt.Express,2009,17,9748;J.Phys.Chem.C,2008,112,686),、SnO2(Opt.Lett.2009,34,1873)、In2O3(J.Phys.Chem.C,2010,114,9314)等半導(dǎo)體納米發(fā)光材料的研究中也取得了系列進(jìn)展,。
  
  

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