意法半導(dǎo)體高可靠性和標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品部總經(jīng)理Alberto De Marco表示：“衛(wèi)星產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)研究報(bào)告數(shù)據(jù)顯示,，全球衛(wèi)星產(chǎn)業(yè)正在健康發(fā)展。2010年全球衛(wèi)星市場(chǎng)收入總計(jì)1681億美元,，近五年來(lái)平均增長(zhǎng)率超過(guò)11.2%[1] ,。在娛樂(lè)、導(dǎo)航,、通信等很多日常生活方面我們都離不開(kāi)衛(wèi)星,，衛(wèi)星的功能和可靠性極其重要，意法半導(dǎo)體推出的這四款全新產(chǎn)品能夠在太空中承受現(xiàn)已發(fā)現(xiàn)的輻射強(qiáng)度對(duì)于衛(wèi)星正常運(yùn)轉(zhuǎn)至關(guān)重要,。”

 

意法半導(dǎo)體以300 krad(Si)的標(biāo)準(zhǔn)抗離子化輻射能力（總離子化劑量測(cè)試,，簡(jiǎn)稱TID）（包括抗低速率輻射測(cè)試）而成為航天工業(yè)的半導(dǎo)體器件抗輻射參考標(biāo)準(zhǔn)。無(wú)增強(qiáng)型低劑量速率敏感效應(yīng)（ELDRS-free）芯片讓意法半導(dǎo)體成為首家獲得抗輻射保證 （RHA）認(rèn)證的半導(dǎo)體供應(yīng)商,。通過(guò)推出無(wú)單粒子閂鎖（SEL）效應(yīng)和無(wú)單粒子錯(cuò)誤中斷（SEFI）效應(yīng)的器件,，意法半導(dǎo)體取得了市場(chǎng)上最高的抗離子化輻射能力，將防止重離子引起燒傷的抗輻射技術(shù)提高至新的水平,。在這些新產(chǎn)品中,，意法半導(dǎo)體領(lǐng)先市場(chǎng)的尖端技術(shù)還包括單粒子瞬變（SET）保護(hù)功能。單粒子瞬變現(xiàn)象是重離子引起的瞬間錯(cuò)誤,，是航天用模擬器件必須克服的一大挑戰(zhàn),。

 

新產(chǎn)品包括以下四款芯片：

-          RHF484：由4個(gè)RHF43B組成的4路運(yùn)算放大器，可替代工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)運(yùn)算放大器芯片,，采用Flat-14W封裝,，2011年通過(guò)QML V認(rèn)證。

-          RHF310和RHF330是超低功耗5V運(yùn)算放大器,，是各種信號(hào)調(diào)節(jié)應(yīng)用的理想選擇,。120MHz和1.0GHz兩個(gè)型號(hào)已取得QML V證書。另一款產(chǎn)品550 MHz RHF350預(yù)計(jì)于2011年第四季度通過(guò)認(rèn)證,。

 

意法半導(dǎo)體航天用模擬器件在設(shè)計(jì)方面特別關(guān)注單粒子瞬變效應(yīng),，并經(jīng)過(guò)了全面的特征化分析，擁有瞬間錯(cuò)誤脈沖的振幅低,，時(shí)間短的特性,。

 

意法半導(dǎo)體的抗輻射模擬芯片均采用BICMOS制程，功耗極低。在法國(guó)國(guó)家宇航空研究中心（CNES）的積極支持下,，這些器件通過(guò)測(cè)試后直接進(jìn)入歐洲產(chǎn)品目錄（EPPL） ,。

 

意法半導(dǎo)體 QML V模擬產(chǎn)品主要特性

·         通過(guò)QML  V質(zhì)量認(rèn)證300 krad (Si)總離子化劑量（TID）測(cè)試

·         無(wú)ELDRS（增強(qiáng)型低劑量速率敏感性）效應(yīng)

·         單粒子閂鎖（SEL）防護(hù)能力：110 MeV/mg/cm²（125 °C）

·         完整的單粒子瞬變特征化分析

·         氣密封裝

·         歐洲出口認(rèn)證產(chǎn)品

 

關(guān)于航天用半導(dǎo)體產(chǎn)品

抗輻射是航天元器件的主要要求。在太空中存在大量的輻射源,，例如,，范艾倫輻射帶、太陽(yáng)風(fēng),、太陽(yáng)耀斑,、銀河宇宙射線。

 

抗輻射器件能夠在這種環(huán)境條件下長(zhǎng)時(shí)間正常運(yùn)行,，可靠性或使用壽命不會(huì)因?yàn)榱Ｗ樱ù蠖鄶?shù)是質(zhì)子,、電子和重離子）輻射而受到影響。在受到重離子輻射時(shí),，半導(dǎo)體的瞬態(tài)特性至關(guān)重要,。

 

總離子化劑量測(cè)試用于在給定劑量速率條件下測(cè)量某一個(gè)產(chǎn)品抵抗質(zhì)子和電子引起的離子化的抗輻射性能，測(cè)量單位為krad (Si),，劑量速率分為高,、低或增強(qiáng)三個(gè)級(jí)別。

 

為驗(yàn)證輻射對(duì)每個(gè)元器件的影響程度,，意法半導(dǎo)體對(duì)認(rèn)證產(chǎn)品進(jìn)行了重離子抗輻射測(cè)試,。每個(gè)測(cè)試過(guò)程均是從連續(xù)提高輻射能量直到發(fā)現(xiàn)被測(cè)器件失效為止。BICMOS模擬產(chǎn)品經(jīng)過(guò)以下各種測(cè)試：

-          單粒子閂鎖測(cè)試

-          單粒子瞬變測(cè)試

-          單粒子錯(cuò)誤中斷測(cè)試

 

航天工業(yè)的高可靠性要求遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于抗輻射要求,。歐洲航天器件委員會(huì)（ESCC）或美國(guó)國(guó)防后勤局（哥倫布國(guó)防物資中心的前身）等政府機(jī)構(gòu)負(fù)責(zé)指定廠商的認(rèn)證和產(chǎn)品制造及質(zhì)檢相關(guān)規(guī)范,。

 

意法半導(dǎo)體積極參與這些機(jī)構(gòu)的活動(dòng)（1977年成為第一個(gè)ESCC認(rèn)證企業(yè)） ，并按照這兩大全球認(rèn)可的質(zhì)量體系研發(fā)航天用半導(dǎo)體技術(shù)產(chǎn)品,。

 

QML V器件的質(zhì)量和制程符合美國(guó)國(guó)防后勤局公布的MIL-STD-38535或MIL-STD-883軍用產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn),。QML V質(zhì)檢包括QML V 規(guī)范明確規(guī)定的一系列可靠性和抗輻射測(cè)試。