高通(Qualcomm)先進(jìn)工程部資深總監(jiān)MattNowak日前指出,，在使用高密度的硅穿孔(TSV)來(lái)實(shí)現(xiàn)芯片堆疊的量產(chǎn)以前,，這項(xiàng)技術(shù)還必須再降低成本才能走入市場(chǎng),。他同時(shí)指出，業(yè)界對(duì)該技術(shù)價(jià)格和商業(yè)模式的爭(zhēng)論,，將成為這項(xiàng)技術(shù)未來(lái)發(fā)展的阻礙,。
　　
　　“如果我們無(wú)法解決價(jià)格問(wèn)題，那么TSV的發(fā)展道路將更加漫長(zhǎng),，”Nowak說(shuō),。他同時(shí)指出，在價(jià)格與成本之間仍然存在的極大障礙,，加上新技術(shù)的不確定性所隱含的風(fēng)險(xiǎn),，以及實(shí)際的量產(chǎn)需求，形成了三個(gè)TSV技術(shù)所面臨的難題,。
　　
　　部份業(yè)界人士認(rèn)為,，到2014年，智能手機(jī)用的移動(dòng)應(yīng)用處理器可能會(huì)采用TSV技術(shù),，成為率先應(yīng)用TSV量產(chǎn)的產(chǎn)品,。JEDEC正在擬訂一個(gè)支持TSV的WideI/O存儲(chǔ)器介面，其目標(biāo)是成為下一代采用層疊封裝(PoP)的低功耗DDR3鏈接的繼任技術(shù),。
　　
　　“可提供12.8GB/s的LPDDR3主要針對(duì)下一代層疊封裝元件應(yīng)用,，但WideI/O也具有其市場(chǎng)潛力，”Nowak說(shuō),，他同時(shí)負(fù)責(zé)高通的TSV技術(shù)部份,。“技術(shù)上來(lái)說(shuō)，WideI/O可自2014年起進(jìn)入應(yīng)用,，然而,，價(jià)格和商業(yè)模式仍將是該技術(shù)發(fā)展的阻礙。”
　　
　　TSV技術(shù)承諾將提升性能,，同時(shí)也將降低功耗及縮小元件尺寸,，以因應(yīng)包括移動(dòng)處理器在內(nèi)的各種應(yīng)用需求。
　　
　　TSV的致命弱點(diǎn)仍然是它的成本,，Nowak說(shuō),。“WideI/ODRAM的價(jià)格較現(xiàn)有的PoP配置高出許多，而PoP也不斷改良,，甚至未來(lái)有可能設(shè)法再開(kāi)發(fā)出一個(gè)新世代的產(chǎn)品,，”他表示,。
　　
　　Nowak指出,，一個(gè)名為EMC-3D的業(yè)界組織最近表示,，以目前用于量產(chǎn)的工具模型為基礎(chǔ)來(lái)推估，TSV將使每片晶圓增加約120美元的成本,。
　　
　　目前該技術(shù)仍然缺乏明確的商業(yè)模式,，而且定價(jià)問(wèn)題也頗為復(fù)雜，Nowak說(shuō),。例如,，當(dāng)晶圓廠制作完成，以及在完成封裝后,，哪個(gè)環(huán)節(jié)該為良率負(fù)責(zé),？
　　
　　“一些公司可以扮演整合者的角色，但未來(lái)整個(gè)商業(yè)模式可能會(huì)有稍許改變,，”他同時(shí)指出,，目前業(yè)界已經(jīng)初步形成了一些TSV供應(yīng)鏈的伙伴關(guān)系。
　　
　　動(dòng)機(jī)和進(jìn)展
　　
　　高通已經(jīng)設(shè)計(jì)出一款28nmTSV元件的原型,。“我們針對(duì)這項(xiàng)技術(shù)進(jìn)行了大量的開(kāi)發(fā)工作,，”Nowak說(shuō)。
　　
　　更廣泛的說(shuō),，TSV可協(xié)助半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)延續(xù)其每年降低30%晶體管成本的傳統(tǒng),。Nowak也表示，在不使用TSV技術(shù)的情況下,，由于超紫外光(EUV)延遲而不斷上升的光刻成本,，也對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)維持光刻和進(jìn)展的步伐提出嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。
　　
　　好消息是工程師們?cè)诮鉀QTSV堆疊所面臨的挑戰(zhàn)方面時(shí)有進(jìn)展,。“雖然挑戰(zhàn)仍然很多,，但至少目前我們已經(jīng)建立了一些基礎(chǔ)和所需的專(zhuān)有知識(shí)，”他表示,。
　　
　　他同時(shí)指出,，臺(tái)積電(TSMC)今年度在VLSISymposium上報(bào)告已建構(gòu)出一種更好的TSV介電質(zhì)襯底(dielectricliner)。工程師展示了高度深寬比(aspectratios)為10:1的試制過(guò)孔,，并減輕了外部銅材料擠壓過(guò)孔的問(wèn)題,。
　　
　　Nowak還引用了一些背面晶圓加工、薄化晶圓的臨時(shí)托盤(pán)開(kāi)發(fā)情況,，并展示了有時(shí)用于取代過(guò)孔的連接微凸塊,。EDA供應(yīng)商也在架構(gòu)工具和2D建構(gòu)工具方面取得了進(jìn)展。
　　
　　“你可以設(shè)計(jì)一個(gè)設(shè)備來(lái)使用這些工具,，”他說(shuō),。
　　
　　然而，目前這些工具仍然缺乏有關(guān)機(jī)械應(yīng)力、封裝和芯片水準(zhǔn)的交換數(shù)據(jù)標(biāo)準(zhǔn),。業(yè)界仍需為在TSV應(yīng)用中“大幅減少”的靜電放電水平容差定義標(biāo)準(zhǔn),，他說(shuō)。
　　
　　另外,，業(yè)界也正在開(kāi)發(fā)測(cè)試程序,。“目前仍不清楚在量產(chǎn)時(shí)是否會(huì)使用到微探針(micro-probing)”他指出，重點(diǎn)是要削減成本,，但“我們?nèi)栽谠黾訙y(cè)試步驟,。”