前言
長久以來顯示應用一直是LED發(fā)光組件主要訴求,，并不要求LED高散熱性,，因此LED大多直接封裝于傳統(tǒng)樹脂系基板,，然而2000年以后隨著LED高輝度化與高效率化發(fā)展,，尤其是藍光LED組件的發(fā)光效率獲得大幅改善，液晶,、家電,、汽車等業(yè)者也開始積極檢討LED的適用性。
在此同時數(shù)字家電與平面顯示器急速普及化，加上LED單體成本持續(xù)下降,，使得LED的應用范圍,，以及有意愿采用LED的產(chǎn)業(yè)范圍不斷擴大，其中又以液晶面板廠商面臨歐盟頒布的危害性物質(zhì)限制指導(RoHS： Restriction of Hazardous Substances Directive)規(guī)范,，因此陸續(xù)提出未來必需將水銀系冷陰極燈管(CCFL：Cold Cathode Fluor-escent Lamp)全面無水銀化的發(fā)展方針,，其結(jié)果造成高功率LED的需求更加急迫。
技術(shù)上高功率LED封裝后的商品,，使用時散熱對策成為非常棘手問題,，在此背景下具備高成本效益，類似金屬系基板等高散熱封裝基板的發(fā)展動向,，成為LED高效率化之后另一個備受囑目的焦點,。
接著本文要介紹LED封裝用金屬系基板的發(fā)展動向，與陶瓷系封裝基板的散熱設(shè)計技術(shù),。
發(fā)展歷程
圖1是有關(guān)LED的應用領(lǐng)域發(fā)展變遷預測,，如圖2所示使用高功率LED時，LED產(chǎn)生的熱量透過封裝基板與冷卻風扇排放至空氣中,。
以往LED的輸出功率較小,，可以使用傳統(tǒng)FR4等玻璃環(huán)氧樹脂封裝基板，然而照明用高功率LED的發(fā)光效率只有20~30% ,，而且芯片面積非常小,，雖然整體消費電力非常低，不過單位面積的發(fā)熱量卻很大,。
如上所述汽車,、照明與一般民生業(yè)者已經(jīng)開始積極檢討LED的適用性(圖3)，一般民生業(yè)者對高功率LED期待的特性分別是省電,、高輝度,、長使用壽命、高色再現(xiàn)性,，這意味著高散熱性是高功率LED封裝基板不可欠缺的條件,。
一般樹脂基板的散熱極限只支持0.5W以下的LED，超過0.5W以上的LED封裝大多改用金屬系與陶瓷系高散熱基板,，主要原因是基板的散熱性對LED的壽命與性能有直接影響,，因此封裝基板成為設(shè)計高輝度LED商品應用時非常重要的組件。
金屬系高散熱基板又分成硬質(zhì)(rigid)與可撓曲(flexible)系基板兩種(圖4) ,，硬質(zhì)系基板屬于傳統(tǒng)金屬基板,，金屬基材的厚度通常大于1mm，硬質(zhì)系基板廣泛應用在LED燈具模塊與照明模塊,，技術(shù)上它是與鋁質(zhì)基板同等級高熱傳導化的延伸,，未來可望應用在高功率LED的封裝,。
可撓曲系基板的出現(xiàn)是為了滿足汽車導航儀等中型LCD背光模塊薄形化，以及高功率LED三次元封裝要求的前提下,，透過鋁質(zhì)基板薄板化賦予封裝基板可撓曲特性，進而形成同時兼具高熱傳導性與可撓曲特性的高功率LED封裝基板,。
硬質(zhì)系基板的特性
圖5是硬質(zhì)金屬系封裝基板的基本結(jié)構(gòu),，它是利用傳統(tǒng)樹脂基板或是陶瓷基板，賦予高熱傳導性,、加工性,、電磁波遮蔽性、耐熱沖擊性等金屬特性,，構(gòu)成新世代高功率LED封裝基板,。
如圖所示它是利用環(huán)氧樹脂系接著劑將銅箔黏貼在金屬基材的表面，透過金屬基材與絕緣層材質(zhì)的組合變化,，可以制成各種用途的LED封裝基板,。
高散熱性是高功率LED封裝用基板不可或缺的基本特性，因此上述金屬系LED封裝基板使用為鋁與銅等材料,，絕緣層大多使用充填高熱傳導性無機填充物(Filler)的填充物環(huán)氧樹脂,。
鋁質(zhì)基板是應用鋁的高熱傳導性與輕量化特性制成高密度封裝基板，目前已經(jīng)應用在冷氣空調(diào)的轉(zhuǎn)換器(Inverter),、通訊設(shè)備的電源基板等領(lǐng)域,，鋁質(zhì)基板同樣適用于高功率LED的封裝。
圖6是各種金屬系封裝基板的特性比較,，一般而言金屬封裝基板的等價熱傳導率標準大約是2W/m?K,，為滿足客戶4~6W/m?K高功率化的需要，業(yè)者已經(jīng)推出等價熱傳導率超過8W/m?K的金屬系封裝基板,。
由于硬質(zhì)金屬系封裝基板主要目的是支持高功率LED的封裝,，因此各封裝基板廠商正積極開發(fā)可以提高熱傳導率的技術(shù)。
硬質(zhì)金屬系封裝基板的主要特征是高散熱性,。圖7與圖8是仿真分析LED芯片發(fā)熱量為1W時,，2W/m ?K一般封裝基板與8W/m?K超高熱傳導封裝基板正常使用狀態(tài)下的溫度分布特性。
由圖8可知使用高熱傳導性絕緣層封裝基板,，可以大幅降低LED芯片的溫度,。此外基板的散熱設(shè)計，透過散熱膜片與封裝基板的組合,，還可望延長LED芯片的使用壽命,。
金屬系封裝基板的缺點是基材的金屬熱膨脹系數(shù)非常大，類似低熱膨脹系數(shù)陶瓷系芯片組件焊接時,，容易受到熱循環(huán)沖擊,，如果高功率LED的封裝使用氮化鋁時,，金屬系封裝基板可能會發(fā)生不協(xié)調(diào)問題，因此必需設(shè)法吸收LED模塊的各材料熱膨脹系數(shù)差異造成的熱應力,，藉此緩和熱應力提高封裝基板的可靠性,。
可撓曲系基板的特性
可撓曲基板的主要用途大多集中在布線用基板，以往高功率晶體管與IC等高發(fā)熱組件幾乎不使用可撓曲基板,，最近幾年液晶顯示器為滿足高輝度化需求,，強烈要求可撓曲基板可以高密度設(shè)置高功率LED，然而LED的發(fā)熱造成LED使用壽命降低,，卻成為非常棘手的技術(shù)課題,，雖然利用鋁板質(zhì)補強板可以提高散熱性，不過卻有成本與組裝性的限制,，無法根本解決問題,。
圖9是高熱傳導撓曲基板的斷面結(jié)構(gòu)，它是在絕緣層黏貼金屬箔,，雖然基本結(jié)構(gòu)則與傳統(tǒng)撓曲基板完全相同,，不過絕緣層采用軟質(zhì)環(huán)氧樹脂充填高熱傳導性無機填充物的材料，具有與硬質(zhì)金屬系封裝基板同等級8W/m?K的熱傳導性,，同時還兼具柔軟可撓曲,、高熱傳導特性與高可靠性(表1)，此外可撓曲基板還可以依照客戶需求,，將單面單層面板設(shè)計成單面雙層,、雙面雙層結(jié)構(gòu)。
高熱傳導撓曲基板的主要特征是可以設(shè)置高發(fā)熱組件,，并作三次元組裝,，亦即它可以發(fā)揮自由彎曲特性，進而獲得高組裝空間利用率,。
圖10是高熱傳導撓曲基板與傳統(tǒng)聚亞酰胺(Polyi-mide)撓曲基板,，設(shè)置1W高功率LED時的散熱實驗結(jié)果，聚亞酰胺基板的厚度為25μm,，基板的散熱采用自然對流方式,。
根據(jù)實驗結(jié)果顯示使用高熱傳導撓曲基板時，LED的溫度大約降低100℃,，這意味著溫度造成LED使用壽命降低的問題可望獲得改善,。
事實上除了高功率LED之外，高熱傳導撓曲基板還可以設(shè)置其它高功率半導體組件,，適用于局促空間或是高密度封裝等要求高散熱等領(lǐng)域,。
有關(guān)類似照明用LED模塊的散熱特性，單靠封裝基板往往無法滿足實際需求,，因此基板周邊材料的配合變得非常重要,，例如圖11的端緣發(fā)光型LED背光模塊的新結(jié)構(gòu),，配合~3W/m?K的熱傳導性膜片，可以有效提高LED模塊的散熱性與LED模塊的組裝作業(yè)性,。
陶瓷系封裝基板
如上所述白光LED的發(fā)熱隨著投入電力強度的增加持續(xù)上升,，LED芯片的溫升會造成光輸出降低，因此LED的封裝結(jié)構(gòu)與使用材料的檢討非常重要,。
以往LED使用低熱傳導率樹脂封裝,，被視為是影響散熱特性的原因之一，因此最近幾年逐漸改用高熱傳導陶瓷,，或是設(shè)有金屬板的樹脂封裝結(jié)構(gòu)。LED芯片高功率化常用手法分別是：
●LED芯片大型化
●改善LED芯片的發(fā)光效率
●采用高取光效率的封裝
●大電流化
雖然提高電流發(fā)光量會呈比例增加,，不過LED芯片的發(fā)熱量也會隨著上升,。圖12是LED投入電流與放射照度量測結(jié)果，由圖可知在高輸入領(lǐng)域放射照度呈現(xiàn)飽和與衰減現(xiàn)象,，這種現(xiàn)象主要是LED芯片發(fā)熱所造成,，因此LED芯片高功率化時首先必需解決散熱問題。
LED的封裝除了保護內(nèi)部LED芯片之外,，還兼具LED芯片與外部作電氣連接,、散熱等功能。
LED的封裝要求LED芯片產(chǎn)生的光線可以高效率取至外部,，因此封裝必需具備高強度,、高絕緣性、高熱傳導性與高反射性,，令人感到意外的是陶瓷幾乎網(wǎng)羅上述所有特性,。
表2是陶瓷的主要材料物性一覽，除此之外陶瓷耐熱性與耐光線劣化性也比樹脂優(yōu)秀,。
傳統(tǒng)高散熱封裝是將LED芯片設(shè)置在金屬基板上周圍再包覆樹脂,，然而這種封裝方式的金屬熱膨脹系數(shù)與LED芯片差異非常大，當溫度變化非常大或是封裝作業(yè)不當時極易產(chǎn)生熱歪斜(thermal strain,；熱剪應力),，進而引發(fā)芯片瑕疵或是發(fā)光效率降低。
未來LED芯片面臨大型化發(fā)展時,，熱歪斜問題勢必變成無法忽視的困擾,，有關(guān)這點具備接近LED芯片的熱膨脹系數(shù)的陶瓷，可說是熱歪斜對策非常有利的材料,。
圖13是高功率LED陶瓷封裝的外觀,；圖14是高功率LED陶瓷封裝的基本結(jié)構(gòu)，圖14(b)的反射罩電鍍銀膜,。它可以提高光照射率,，圖14(c)的陶瓷反射罩則與陶瓷基板呈一體結(jié)構(gòu),。
散熱設(shè)計
圖15表示LED內(nèi)部理想性熱流擴散模式，圖15右圖的實線表示封裝內(nèi)部P~Q之間高熱流擴散分布非常平坦,，由于熱流擴散至封裝整體均勻流至封裝基板,，其結(jié)果使得LED芯片正下方的溫度大幅降低。
圖16是以封裝材的熱傳導率表示熱擴散性的差異,，亦即圖15表示正常狀態(tài)時的溫度分布,，與單位面積單位時間流動的熱流束分布特性。
使用高熱傳導材時,，封裝內(nèi)部的溫差會變小,，此時熱流不會呈局部性集中，LED芯片整體產(chǎn)生的熱流呈放射狀流至封裝內(nèi)部各角落,，換言之高熱傳導材料可以提高LED封裝內(nèi)部的熱擴散性,。
LED封裝用陶瓷材料分成氧化鋁與氮化鋁，氧化鋁的熱傳導率是環(huán)氧樹脂的55倍,，氮化鋁則是環(huán)氧樹脂的55倍400倍,，因此目前高功率LED封裝用基板大多使用熱傳導率為200W/mK的鋁質(zhì)，或是熱傳導率為400W/mK的銅質(zhì)金屬封裝基板,。
半導體IC芯片的接合劑分別使用環(huán)氧系接合劑,、玻璃、焊錫,、金共晶合金等材料,。LED芯片用接合劑除了上述高熱傳導性之外，基于接合時降低熱應力等觀點,，還要求低溫接合與低楊氏系數(shù)等等,，符合這些條件的接合劑分別是環(huán)氧系接合劑充填銀的環(huán)氧樹脂，與金共晶合金系的Au-20%Sn,。
接合劑的包覆面積與LED芯片的面積幾乎相同,，因此無法期待水平方向的熱擴散，只能寄望于垂直方向的高熱傳導性,。
圖17是熱傳導差異對封裝內(nèi)部的溫度分布,，與熱流束特性的模擬分析結(jié)果，封裝基板使用氮化鋁,。根據(jù)仿真分析結(jié)果顯示LED接合部的溫差,，熱傳導性非常優(yōu)秀的Au-Sn比低散熱性銀充填環(huán)氧樹脂接合劑更優(yōu)秀。
有關(guān)LED封裝基板的散熱設(shè)計,，大致分成：
●LED芯片至框體的熱傳導
●框體至外部的熱傳達
兩大部位,。熱傳導的改善幾乎完全仰賴材料的進化，一般認為隨著LED芯片大型化,、大電流化,、高功率化的發(fā)展,，未來會加速金屬與陶瓷封裝取代傳統(tǒng)樹脂封裝方式 。此外LED芯片接合部是妨害散熱的原因之一,，因此薄接合技術(shù)成為今后改善的課題,。
提高LED高熱排放至外部的熱傳達特性，以往大多使用冷卻風扇與熱交換器,，由于噪音與設(shè)置空間等諸多限制,，實際上包含消費者、下游系統(tǒng)應用廠商在內(nèi),，都不希望使用強制性散熱組件,，這意味著非強制散熱設(shè)計必需大幅增加框體與外部接觸的面積，同時提高封裝基板與框體的散熱性,。
具體對策例如高熱傳導銅層表面涂布“利用遠紅外線促進熱放射的撓曲散熱薄膜”等等,，根據(jù)實驗結(jié)果證實使用該撓曲散熱薄膜的發(fā)熱體散熱效果，幾乎與面積接近散熱薄膜的冷卻風扇相同,，如果將撓曲散熱薄膜黏貼在封裝基板、框體,，或是將涂抹層直接涂布在封裝基板,、框體，理論上還可以提高散熱性,。
有關(guān)高功率LED的封裝結(jié)構(gòu),，要求能夠支持LED芯片磊晶接合的微細布線技術(shù)；有關(guān)材質(zhì)的發(fā)展,，雖然氮化鋁已經(jīng)高熱傳導化,，不過高熱傳導與反射率的互動關(guān)系卻成為另一個棘手問題，一般認為未來若能提高熱傳導率低于氮化鋁的氧化鋁的反射率,，對高功率LED的封裝材料具有正面幫助,。
結(jié)語
以上介紹LED封裝用金屬系基板的發(fā)展動向，與陶瓷系封裝基板的散熱設(shè)計技術(shù),。隨著LED大型化,、大電流化、高功率化的發(fā)展,，事實上單靠封裝基板單體并無法達成預期的散熱效,，必需配合封裝基板周邊的散熱材料，以及LED封裝結(jié)構(gòu)才能進行有效的散熱,。因此未來必需持續(xù)開發(fā)周邊相關(guān)技術(shù),，LED才能夠?qū)崿F(xiàn)次世代光源的終極目標。