在雷達(dá)發(fā)射機(jī)脈沖調(diào)制器中,，廣泛采用的是電真空管作為開關(guān)管。這種結(jié)構(gòu)的脈沖調(diào)制器具有配套技術(shù)復(fù)雜,、造價(jià)高,、使用壽命短等缺點(diǎn)，尤其是其不適用于大功率,、高重復(fù)頻率等工作場合的缺陷,，使其已經(jīng)遠(yuǎn)遠(yuǎn)不能滿足現(xiàn)代雷達(dá)的復(fù)雜信號(hào)處理的需求。

　　隨著電力電子技術(shù)的快速發(fā)展,，新型功率開關(guān)器件IGBT（絕緣柵雙極晶體管）迅速占領(lǐng)了市場,，滿足了人們把大功率、超高頻率開關(guān)元件實(shí)現(xiàn)固態(tài)化的期望,，有著完全取代電真空管的趨勢(shì),。這也為在雷達(dá)發(fā)射機(jī)脈沖調(diào)制器中采用IGBT作為開關(guān)管以替代電真空管奠定了理論和實(shí)踐基礎(chǔ)。

　　1 脈沖調(diào)制器的結(jié)構(gòu)

　　根據(jù)脈沖調(diào)制器的任務(wù),，它基本由下列3部分組成：電源部分,、能量儲(chǔ)存部分、脈沖形成部分,。其結(jié)構(gòu)如圖1所示,。

　　電源部分的作用是把初級(jí)電源（例如市電）變換成符合要求的直流電源。直流電源包括低壓電源和高壓電源兩種,，低壓電源供給調(diào)制脈沖預(yù)處理電路使用,，高壓電源供給調(diào)制脈沖形成電路使用。

　　能量儲(chǔ)存部分的作用是為了降低對(duì)于電源部分的高峰值功率要求。因?yàn)槊}沖調(diào)制器是在短促的脈沖期間給射頻發(fā)生器提能量的,，而在較長的脈沖間歇期間停止工作,，因此為了有效地利用電源功率，可以采用儲(chǔ)能元件在脈沖間歇期間把電源送來的能量儲(chǔ)存起來,，等到脈沖期間再把儲(chǔ)存的能量放出,，交給射頻發(fā)生器。常用的儲(chǔ)能元件有電容器和人工線（或稱仿真線）,。

　　脈沖形成部分是利用一個(gè)開關(guān),，控制儲(chǔ)能元件對(duì)負(fù)載（射頻發(fā)生器）放電，以提供電壓,、功率,、脈沖寬度及脈沖波形等都滿足要求的視頻脈沖。常用的開關(guān)元件有真空三,、四極管,、氫閘流管、半導(dǎo)體開關(guān)元件（可控硅元件）和具有非線性電感的磁開關(guān)等,。

　　真空管的通斷可由柵極電壓控制,，通斷利索，這種開關(guān)稱為剛性開關(guān),，對(duì)應(yīng)的調(diào)制器稱為剛性調(diào)制器,。氫閘流管、半導(dǎo)體開關(guān)元件和具有非線性電感的磁開關(guān)則只能控制其導(dǎo)通,，而不能控制其關(guān)斷,，這種開關(guān)元件稱為軟性開關(guān)，對(duì)應(yīng)的調(diào)制器稱為軟性調(diào)制器,。

　　2 開關(guān)器件的比較

　　對(duì)傳統(tǒng)的電真空器件（氫閘流管）和現(xiàn)代電力電子器件IGBT的電氣性能進(jìn)行比較,。

　　2．1 傳統(tǒng)電真空管器件

　　以真空三、四極管為調(diào)制開關(guān)的剛性調(diào)制器適應(yīng)能力強(qiáng),，能適應(yīng)各種波形、重復(fù)頻率的要求,，但這也是以體積,、重量、結(jié)構(gòu)和成本為代價(jià)的,。為彌補(bǔ)自身不足以適應(yīng)各種工作需要,，剛性調(diào)制器又分為多種類型，但都避免不了其功率小,、效率低的缺陷,。

　　以氫閘流管為開關(guān)元件的軟性調(diào)制器雖能克服剛性調(diào)制器的不足，但自身的缺陷也很突出，主要表現(xiàn)為：1）脈沖波形頂部抖動(dòng),、后沿拖長,；2）對(duì)負(fù)載阻抗的適應(yīng)性差；3）對(duì)波形的適應(yīng)性也差,。

　　可見軟性調(diào)制器只能適應(yīng)于精度要求不高,、波形要求不嚴(yán)格的大功率雷達(dá)中。并且不管是剛性還是軟性調(diào)制器,，其結(jié)構(gòu)的復(fù)雜都使其可靠性降低,，并且維修難度大。

　　2．2 現(xiàn)代電力電子器件

　　開關(guān)元件的固態(tài)化是發(fā)展的大趨勢(shì),，尤其是電力電子器件在由傳統(tǒng)型向現(xiàn)代型轉(zhuǎn)變以后,，許多新興的器件迅速應(yīng)用于這種電力轉(zhuǎn)換領(lǐng)域。上世紀(jì)九十年代才現(xiàn)身市場的絕緣柵雙極晶體管IGBT已成為現(xiàn)代電力電子器件發(fā)展的領(lǐng)頭軍,，型號(hào)齊全,，已經(jīng)出現(xiàn)了由IGBT組成的功能完善的智能化功率模塊IPM。

　　IGBT：Insulated Gate Bipolar Transistor絕緣柵雙極晶體管是一種工作原理復(fù)雜的集成半導(dǎo)體器件,。在結(jié)構(gòu)上,，集成了所有半導(dǎo)體器件的基本結(jié)構(gòu)。如二極管,、BJT,、結(jié)型場效應(yīng)管JFET、MOSFET,、SCR,。工藝上利用MOS工藝進(jìn)行大面積功率集成，單元胞的體積越來越小,，單元胞的數(shù)量越來越多,。IGBT經(jīng)過20年的發(fā)展，技術(shù)越來越成熟,，功能越來越強(qiáng)大,。從原來的平面柵型到溝槽型，又發(fā)展到非穿通型,，直至現(xiàn)在的電場截至型．達(dá)到了6 000 V／600 A,，通態(tài)壓降1．3 V，開關(guān)頻率達(dá)到納秒級(jí),。

　　IGBT在大量產(chǎn)品中的良好表現(xiàn),，證明其是一種良好的功率開關(guān)器件。其主要優(yōu)點(diǎn)表現(xiàn)在開關(guān)頻率高,、承載功率大,、通態(tài)壓降低,、du／dt和di／dt耐量高、動(dòng)態(tài)性能高,、反向恢復(fù)快等,，這些性能特點(diǎn)使其特別適應(yīng)于在高頻、大功率電路中出任開關(guān)器件的重任,。

　　3 固態(tài)調(diào)制器硬件組成

　　對(duì)分別以氫閘流管和IGBT為中心所構(gòu)成的兩種脈沖調(diào)制器的性能,、構(gòu)造、成本,、可維性及可靠性進(jìn)行比較,。

　　3．1 真空管脈沖調(diào)制器

　　以氫閘流管ZQM1-350／14型為例，其參數(shù)為14 000 V／350 A,，陶瓷外殼,，需要12．6 V／6 A的燈絲電源。其關(guān)斷時(shí),，高壓電源經(jīng)充電電感和變壓器的原邊給仿真線充電,，氫閘流管接通時(shí)，仿真線經(jīng)氫閘流管對(duì)變壓器原邊放電,，在變壓器的副邊產(chǎn)生高壓脈沖去調(diào)制磁控管,。氫閘流調(diào)制器的結(jié)構(gòu)如圖2所示。

　　充氫閘流管是由陽極,、陰極,、柵極（控制柵，有的還具有預(yù)點(diǎn)火柵或分壓柵等）組成,，將所有電極用絕緣外殼密封,，利用低壓氫氣（氘氣）作為工作及滅弧絕緣介質(zhì)，是離子開關(guān)管中的一個(gè)分支,，將觸發(fā)脈沖（正極性）加到柵極,，使陰-柵間隙產(chǎn)生輝光放電，放電擴(kuò)展到陽柵間隙導(dǎo)致陽柵間隙擊穿導(dǎo)通,，使外電路通過陽極-柵極-陰極放電,，而輸出脈沖電流，是具有正啟動(dòng)特性的脈沖電真空器件,，具有工作電壓高,，脈沖電流大，觸發(fā)電壓低,，脈沖寬度窄，電流上升快,，點(diǎn)火穩(wěn)定等特點(diǎn),，廣泛應(yīng)用于國防,、醫(yī)療、高能激光,、科學(xué)研究等領(lǐng)域或場合,。

　　氫閘流管作為開關(guān)時(shí)，開關(guān)的接通是由控制柵極上施加正觸發(fā)脈沖來實(shí)現(xiàn)的,。如果閘流管陽極具有足夠高的正向電壓,，柵極一旦被觸發(fā)，陽極-陰極之間將迅速導(dǎo)通,，柵極就失去了對(duì)放電的控制作用,。只有陽極電壓降得很低，不足以維持放電電流時(shí),，閘流管才會(huì)截止,。閘流管在放電結(jié)束后，要經(jīng)過一段消電離時(shí)間,，柵極才能恢復(fù)原來的控制功能,。因此，閘流管脈沖調(diào)制器形成的脈沖波形頂部抖動(dòng),、后沿拖長,。

　　況且真空管調(diào)制器由于電子管的外圍電路有偏壓、簾柵,、陽極等電源,，這些電源是不可缺少且體積龐大的高壓電源。調(diào)制器導(dǎo)通時(shí)的管壓降較大,，調(diào)制器效率較低,。電子管極間電容的存在很難實(shí)現(xiàn)窄脈沖調(diào)制。另外由于電子管在真空度變差情況下可能會(huì)出現(xiàn)打火等現(xiàn)象,，嚴(yán)重影響雷達(dá)發(fā)射機(jī)的可靠性,。電子管陰極的壽命較短，也制約著電子管在調(diào)制器中的使用,。

　　全固態(tài)調(diào)制器與電子管調(diào)制器相比具有效率高,、體積小、重量輕,、可靠性高,、壽命長、維修費(fèi)用低等優(yōu)點(diǎn),。因此,，研究固態(tài)調(diào)制器是一個(gè)極為重要的發(fā)展方向。

　　3．2 固態(tài)脈沖調(diào)制器

　　固態(tài)脈沖調(diào)制器就是以固態(tài)開關(guān)管IGBT替代電真空管的調(diào)制器,。IGBT模塊采用10只IGBT串聯(lián)成網(wǎng)絡(luò)使用,，單片機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊利用單片機(jī)形成統(tǒng)一的觸發(fā)脈沖,，經(jīng)驅(qū)動(dòng)模塊M57962L同步觸發(fā)IGBT網(wǎng)絡(luò)。其結(jié)構(gòu)如圖3所示,。

　　該調(diào)制器采用充電電感,，屬于直流諧振充電，其自然諧振周期為：

　　其中：C0是仿真線的靜電容

　　Tch等于調(diào)制器脈沖重復(fù)周期T0兩倍,，即調(diào)制器的脈沖重復(fù)頻率是固定的,。因此為了適應(yīng)雷達(dá)工作于多種重復(fù)頻率的要求，可在充電電路中串入一只二極管,，稱為充電二極管或保持二極管,。這時(shí)只要充電電路的Tch值小于最小的脈沖重復(fù)周期就行了。

　　VD2和R1稱為過電壓保護(hù)電路,，它的作用是防止仿真線上出現(xiàn)過高的電壓而損壞功率管,。當(dāng)仿真線向接近短路的負(fù)載放電時(shí)，其上的電壓會(huì)變成負(fù)極性,，由于功率管不能反向?qū)щ?，這個(gè)負(fù)極性的電壓不會(huì)消失，在下一個(gè)脈沖重復(fù)周期充電時(shí),，這個(gè)電壓與電源電壓的極性一致,，所以仿真線將會(huì)充電到一個(gè)較高的電壓值。如果這時(shí)負(fù)載打火并未消失,，那么這一過程將會(huì)繼續(xù)下去,。在理論上可以證明，仿真線上的電壓將會(huì)達(dá)到電源電壓的6倍之多,。當(dāng)電路中接入VD2和R1之后,，只要仿真線上出現(xiàn)負(fù)極性電壓，就可以通過VD2放掉,，從而防止了仿真線上過電壓的產(chǎn)生,。

　　R2C2稱為反肩峰電路。當(dāng)仿真線向不匹配的負(fù)載放電會(huì)在脈沖的前沿引起顯著的肩峰,。R2C2電路就是為了減小這種肩峰的,，其電阻通常選擇和負(fù)載阻抗相等，而電容的大小可按電路時(shí)間常數(shù)與脈沖前沿時(shí)間大致相當(dāng)來確定,。

　　功率開關(guān)管IGBT采用高速型MG400Q1US41,，其參數(shù)為1 200V／400A，其參數(shù)如圖4所示,。工程中采用十管串聯(lián)的方法以適應(yīng)高電壓的要求,。驅(qū)動(dòng)模塊采用M57962L，其參數(shù)為1 200 V／400 A,。

　　十管串聯(lián)需要保證串聯(lián)的10個(gè)管子同時(shí)導(dǎo)通,、同時(shí)截止,，否則先導(dǎo)通或者后截止的管子就因?yàn)橐惺芨唠妷憾鴵舸M(jìn)一步擊穿所有的管子,，而形成調(diào)制器故障，造成不必要的損失,。解決的辦法是用單片機(jī)產(chǎn)生一路觸發(fā)脈沖,，同時(shí)觸發(fā)驅(qū)動(dòng)模塊。因?yàn)轵?qū)動(dòng)模塊具有較高的輸入阻抗,，因此單片機(jī)的輸出電流足夠同時(shí)觸發(fā)驅(qū)動(dòng)模塊,。10個(gè)驅(qū)動(dòng)模塊被同時(shí)觸發(fā)，因其延遲的一致性,，會(huì)使單片機(jī)的觸發(fā)脈沖同時(shí)加到10個(gè)IGBT的柵極,。

　　根據(jù)調(diào)制器的要求，由單片機(jī)輸出一定重復(fù)頻率的觸發(fā)脈沖經(jīng)接口保護(hù)電路轉(zhuǎn)換后驅(qū)動(dòng)IGBT的柵極,。IGBT在柵極有驅(qū)動(dòng)時(shí)接通,，無驅(qū)動(dòng)時(shí)關(guān)斷，實(shí)現(xiàn)了可控的開關(guān)功能,。IGBT的動(dòng)態(tài)開關(guān)曲線如圖5所示,。

　　根據(jù)圖4所示IGBT參數(shù)可知，在VOC=600V,、VGE=±15V,、RG=2．4 Ω、TC=25℃,、IC=400 A時(shí),，ton=0．25μs，toff=0．7μs,。從圖5的UCE-t曲線圖看,，IGBT的開關(guān)曲線比氫閘流管的開關(guān)曲線更好，更適合于作為脈沖調(diào)制器的開關(guān)管使用,。

　　由于單片機(jī)的采用,，就可以使調(diào)制器的保護(hù)采用軟件保護(hù)，這在減少調(diào)制器的體積與重量方面可以做出重大貢獻(xiàn),。

　　單個(gè)固態(tài)調(diào)制器的制造成本比氫閘流管調(diào)制器稍高,，但是其使用壽命長，也就是說性價(jià)比高,，況且在性能,、構(gòu)造、可維性及可靠性方面遠(yuǎn)遠(yuǎn)勝于氫閘流管調(diào)制器,。

　　4 仿真過程及結(jié)果

　　仿真軟件使用流行的SIMNLINK,。

　　設(shè)觸發(fā)脈沖周期為2 ms,，脈沖寬度為2μs，如圖6中的第一示波器（圖的下部）,，仿真線前端的波形如圖6中的第二示波器（圖的上部）,。由第二示波器可見，當(dāng)觸發(fā)脈沖到來時(shí),，即IGBT網(wǎng)絡(luò)導(dǎo)通時(shí),，仿真線迅速放電，放電速率為5 000 V／6μs（即從滿電壓5 000 V至放電完成時(shí)間約為6μs）,，并且無反沖,。當(dāng)觸發(fā)脈沖過去時(shí)，即IGBT網(wǎng)絡(luò)斷開時(shí),，仿真線迅速充電,，放電速率為5 000 V／3μs（即從充電開始至滿電壓5 000 V的時(shí)間約為3μs），并且無反沖,。

　　由此可見,，由IGBT網(wǎng)絡(luò)替代的脈沖開關(guān)，完全能滿足脈沖調(diào)制器的要求,，其指標(biāo)遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過了氫閘流管脈沖調(diào)制器,。

　　5 結(jié)論

　　器件固態(tài)化是系統(tǒng)發(fā)展的趨勢(shì)，固態(tài)脈沖調(diào)制器正是在這一趨勢(shì)的啟發(fā)下提出來的,。所設(shè)計(jì)的固態(tài)脈沖調(diào)制器具有結(jié)構(gòu)簡單,、性價(jià)比高的特點(diǎn)，可以快速,、方便地對(duì)現(xiàn)有雷達(dá)的脈沖調(diào)制器進(jìn)行改裝,。改裝成本低、周期短,，具有很高的實(shí)用價(jià)值,。