日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆株式會社（總部：日本京都市）日前面向EV,、HEV車（電動汽車、混合動力車）及工業(yè)設(shè)備,，與擁有電力系統(tǒng)和電源封裝技術(shù)的Arkansas Power Electronics International（APEI）公司聯(lián)合開發(fā)出搭載了SiC溝槽MOS的高速、大電流模塊“APEI　HT2000”,。該模塊一改傳統(tǒng)的Si模塊的設(shè)計,，由于最大限度地利用了SiC器件的特點，從而大幅改善了電氣特性,、機械特性,，同時實現(xiàn)了超小型化、輕量化,、高效化,，在SiC模塊的普及上邁出了巨大的一步。該模塊共搭載了16個羅姆開發(fā)的SiC溝槽MOS,，經(jīng)驗證可在600V/1000A條件下工作,，而且實現(xiàn)了Si-IGBT不可能實現(xiàn)的數(shù)十納秒的超高開關(guān)速度。不僅如此,，這種模塊的使用范圍高達(dá)1200V級,。另外，在250℃的高溫下亦可工作,?；谶@些特點，不僅傳統(tǒng)的Si-IGBT模塊,，現(xiàn)在正被廣泛開發(fā)的SiC模塊中,，也成功開發(fā)出了電氣性能和機械性能都很卓越的模塊,。該模塊預(yù)計于2012年開始面向特殊用途提供樣品，3～4年后達(dá)到實際應(yīng)用階段,。
　
　　近年來,，在迅速發(fā)展的混合動力車(HEV)、電動汽車(EV)等所代表的電力電子領(lǐng)域,，要求提供更高功率化,、更高效化、更高溫度條件下工作的元器件,，而使用傳統(tǒng)的Si材料是無法解決這些課題的,，但通過使用材料性能卓越的SiC，可以滿足這些要求,。因此,，電力電子市場的需求也從Si模塊轉(zhuǎn)向高效SiC模塊。
　
　　之前羅姆開發(fā)的超低電阻（約2mΩ?cm２）SiC溝槽MOSFET可通過單片承受100A級的電流,。而此次,，羅姆進一步成功的降低了MOSFET的門極電容，開關(guān)速度與現(xiàn)有的SiC-DMOS相比可提高50％,，與羅姆以往的SiC溝槽MOS相比也提高了30％,。但是，傳統(tǒng)的模塊,，為了元器件的散熱,，確保元器件的工作溫度，需要加大模塊面積,，因此往往導(dǎo)致模塊的寄生電感增大,。因此，即使搭載SiC溝槽MOS,，由于模塊本身的限制也無法有效發(fā)揮其特點,。而此次APEI開發(fā)出了通過將模塊的面積小型化、進一步優(yōu)化布局,、大幅降低了寄生電感的模塊,。另外，這種模塊上搭載溝槽MOS可承受1000A級水平的大電流,，與傳統(tǒng)的Si-IGBT模塊相比,，可以減少一半導(dǎo)通電阻。此外,，實現(xiàn)了開關(guān)時間僅需數(shù)十納秒的超高速工作,，與Si-IGBT相比成功將開關(guān)損耗降低到了1/3。不僅如此,，由于所使用的材料變更為高性能材料,，因此模塊的面積減少到30％,，并同時實現(xiàn)了Si-IGBT不可能實現(xiàn)的高溫（250℃）驅(qū)動。而且,，根據(jù)端子的連接方法,，可按半橋、全橋,、串聯(lián)進行選用,。另外，還能搭載羅姆開發(fā)的所有的SiC器件,，可進行滿足客戶規(guī)格要求的設(shè)計,。
　
　　傳統(tǒng)的SiC模塊，僅需將Si模塊所使用的Si器件更換為SiC器件即可實現(xiàn)高效化和高溫化,，但使用Si器件的模塊設(shè)計中,，無法最大限度的發(fā)揮材料性能卓越的SiC的特點。此次,，通過大幅變更設(shè)計,，優(yōu)化使用SiC器件的模塊，成功開發(fā)出了可以最大限度發(fā)揮SiC特點的模塊,。
　
＜主要特點＞
　?。保┏p量
　　２）超小型
　?。常┐蠊β剩?000A級）　　　　
　?。矗└咚匍_關(guān)
　　５）高溫驅(qū)動
　
＜主要規(guī)格＞

＜模塊的導(dǎo)通特性＞

＜模塊的電路結(jié)構(gòu)＞

＜SiC溝槽MOS模塊“APEI HT2000”＞