碳化硅（SiC）功率器件領(lǐng)域的市場領(lǐng)先者科銳公司（Nasdaq: CREE）將繼續(xù)引領(lǐng)高效率電子電力模組變革,，宣布推出業(yè)界首款符合全面認(rèn)證的可應(yīng)用于電力電子模組的裸芯片型及芯片型碳化硅MOSFET功率器件?？其J碳化硅ZFET™ MOSFET器件和二極管適用于高階電力電子電路，與傳統(tǒng)硅器件相比,，可實(shí)現(xiàn)更高的能源效率,。
 　　
　　功率模組通常將MOSFET和二極管等一系列分立功率開關(guān)器件封裝在一個(gè)獨(dú)立的集成封裝內(nèi)，可應(yīng)用于三相工業(yè)電源,、通訊電源系統(tǒng)以及太陽能和風(fēng)能系統(tǒng)中功率逆變器等高壓電力電子應(yīng)用領(lǐng)域,。在傳統(tǒng)MOSFET封裝技術(shù)中，長引線中的寄生電感會(huì)限制碳化硅MOSFET的轉(zhuǎn)換性能,。通過使用科銳替代型裸芯片,，電路設(shè)計(jì)人員能夠充分利用碳化硅技術(shù)轉(zhuǎn)換性能的優(yōu)勢，有效地降低封裝中寄生電感的影響,。
　　
　　科銳副總裁兼功率和射頻（RF）產(chǎn)品研發(fā)部門總經(jīng)理Cengiz Balkas表示：“隨著全面符合標(biāo)準(zhǔn)的碳化硅MOSFET作為未封裝芯片的運(yùn)用,，電源模組制造商能夠充分了解到碳化硅器件的性能優(yōu)勢 - 實(shí)現(xiàn)更好的高溫操作條件，更高的開關(guān)頻率以及更低的開關(guān)損耗,，并且能夠擺脫傳統(tǒng)分立器件塑料封裝所帶來的局限,。電力電子模組中碳化硅功率器件的設(shè)計(jì)優(yōu)勢在于能夠以更少的器件實(shí)現(xiàn)更高的電流和電壓，從而實(shí)現(xiàn)最大功率密度以及更高的可靠性,。”
　　
　　Balkas同時(shí)表示：“電源模組制造商可將科銳1200V MOSFET功率器件和肖特基二極管以芯片的形式相結(jié)合,，創(chuàng)造一個(gè)專為超高功效電力電子系統(tǒng)而設(shè)計(jì)的‘全碳化硅’模組。這些新型模組能夠充分體現(xiàn)碳化硅材料優(yōu)勢，可實(shí)現(xiàn)零反向恢復(fù)損耗,、不受溫度影響的開關(guān),、低電磁干擾下高頻運(yùn)行，以及更高電子雪崩能力,，其開關(guān)頻率較傳統(tǒng)以硅為材料的解決方案可高出5倍至8倍,。在更高開關(guān)頻率下可使用較小磁性和電容性的元件，從而可以縮減系統(tǒng)體積,、降低重量和成本,。”
　　
　　科銳新型MOSFET系列功率器件目前已發(fā)布兩個(gè)型號(hào)CPMF-1200-S080B封裝尺寸為4.08 mm × 4.08 mm，額定電壓/電流為1200 V / 20 A,，標(biāo)準(zhǔn)導(dǎo)通電阻為80 mΩ,；CPMF-1200-S160B的封裝尺寸為3.1 mm × 3.1 mm，額定電壓/電流為1200 V / 20 A,，標(biāo)準(zhǔn)導(dǎo)通電阻為160 mΩ,。兩款器件的工作結(jié)溫均為-55 °C至+135 °C。
　　
　　科銳兩款1200V MOSFET裸芯片已經(jīng)發(fā)布并能夠量產(chǎn)使用,，客戶可通過科銳以及科銳無線射頻（RF）代理商Semi Dice了解器件的供貨情況,。科銳已發(fā)布產(chǎn)品說明以及包括對芯片鍵合等詳細(xì)的設(shè)計(jì)指導(dǎo)建議,，以幫助電源模組制造商使用新器件并優(yōu)化設(shè)計(jì),。同時(shí)，科銳十分愿意為客戶提供碳化硅MOSFET器件模型以幫助其進(jìn)行初期模擬仿真及評(píng)估,。如欲下載科銳模型,，敬請?jiān)L問：www.cree.com/power/mosfet_model_req.asp. 如需索取樣品及進(jìn)一步了解科銳碳化硅功率器件的更多詳情，敬請?jiān)L問： www.cree.com/power,。
　　
　　在過去20多年中,，科銳一直是碳化硅 MOSFET領(lǐng)域公認(rèn)的領(lǐng)先者，擁有超過50項(xiàng)碳化硅MOSFET技術(shù)專利,，同時(shí)還有多項(xiàng)專利正在申請中,。