2011年12月27日—— 意法半導體（STMicroelectronics,，簡稱ST,；紐約證券交易所代碼：STM）推出打破高壓功率MOSFET晶體管世界記錄的MDmesh V功率MOSFET晶體管,。MDmesh V系列已是市場上性能最高的功率MOSFET晶體管，擁有最低的單位面積通態(tài)電阻,，在650V額定電壓應用中可實現(xiàn)最高的能效和功率密度,；現(xiàn)在新產(chǎn)品的推出又將重要的能效指標提高23%以上，對于以熱量形式損耗電能的系統(tǒng)功率轉(zhuǎn)換電路,，如電子照明控制器,、消費電子電源和太陽能光電轉(zhuǎn)換器，新產(chǎn)品的成功推出在節(jié)能技術領域是一次巨大飛躍,。

    意法半導體功率晶體管市場總監(jiān)Maurizio Giudice表示：“新記錄突顯并鞏固了意法半導體在超結型MOSFET市場的領導地位,，MDmesh V體現(xiàn)了意法半導體最新的經(jīng)過市場檢驗的Multi-Drain Mesh技術，新產(chǎn)品的性能提升讓客戶能夠降低應用設計能耗,，同時強化了意法半導體關于提供對環(huán)境負責的產(chǎn)品同時通過設計研發(fā)創(chuàng)新產(chǎn)品為客戶提供卓越性能的承諾,。”

    新產(chǎn)品STW88N65M5 MDmesh V MOSFET的通態(tài)電阻僅為0.029Ω，是標準TO-247封裝650V市場上通態(tài)電阻最低的產(chǎn)品,，打破了同樣是MDmesh V器件創(chuàng)造的0.038 Ω的原行業(yè)基準。設計工程師可直接將新產(chǎn)品替代通態(tài)電阻較高的MOSFET來提高終端應用的能效,，或并聯(lián)更少的MOSFET晶體管,，從而減少封裝尺寸,，降低材料（BOM）成本。

    相較于同類600V競爭產(chǎn)品,，意法半導體的650V STW88N65M5及其余的MDmesh V產(chǎn)品的安全邊際更高,，從而提高MOSFET對交流電力線上常見電涌的承受能力。

    意法半導體經(jīng)過市場檢驗的MDmesh V產(chǎn)品采用多種類型的封裝,，包括Max247,、TO-247、D2PAK,、TO-220/FP,、PowerFLAT 8x8 HV以及I2PAK。

    TO-247封裝的STW88N65M5現(xiàn)已上市,。

    更多詳情請訪問意法半導體公司網(wǎng)站：www.st.com/mdmeshv