??? 在日前的快閃內(nèi)存高峰會(Flash Memory Summit)上,，人們普遍對該產(chǎn)業(yè)的前途感到悲觀。

?

??? 有人說，NAND供貨商在可預(yù)見的未來都將繼續(xù)虧損,。另一些人則認(rèn)為,，新的應(yīng)用如固態(tài)硬盤(SSD)所需的起飛時間遠(yuǎn)較預(yù)期來得長。當(dāng)然,，還包括了一個普遍的認(rèn)知：NAND的芯片尺寸微縮已接近尾聲,。

??? 不過，在這一片慘淡氣氛中,，美光科技(Micron Technology)的內(nèi)存部門副總裁Brian Shirley提出了他對內(nèi)存產(chǎn)業(yè)未來的不同見解,。

??? Shirley提出的四點(diǎn)看法包括：1. 產(chǎn)業(yè)正在復(fù)蘇；2. NAND仍持續(xù)微縮,；3. NAND在新興市場正逐步擴(kuò)展,；4. 與普遍的認(rèn)知恰好相反，企業(yè)用戶將采用NAND閃存──這是由于美光正準(zhǔn)備推出稱之為eNAND的全新產(chǎn)品線,。

??? 從商業(yè)環(huán)境角度來看,，內(nèi)存市場的衰退情況已有所改善?！坝行┤苏J(rèn)為內(nèi)存場在2009年就會完蛋,，但現(xiàn)在看來情況還不算壞，”Shirley對EE Times表示,。

??? 首先,，在DRAM方面，由于服務(wù)器與其它市場展現(xiàn)出了令人意外的需求,，造成了DDR3 SDRAM的短缺,。而DDR3的短缺又導(dǎo)致OEM爭相下單DDR2內(nèi)存?！癉DR3一直相當(dāng)吃緊,，DDR2亦然，”他說,。

??? NAND 內(nèi)存的價格與需求也正在改善中。Gartner分析師Joseph Unsworth在一份報告中指出,，稍早前,，“幾乎所有密度的NAND現(xiàn)貨價格都上升了，不過這主要集中8Gb的SLC型產(chǎn)品,，這部份展現(xiàn)了最大幅度的價 格上漲,。32Gb的MLC產(chǎn)品價格則輕微下滑，這部份主要是回跌7月底的漲價,?！鳖A(yù)期返校季節(jié)的需求將持續(xù)提升，而這對消費(fèi)者支出和信心將發(fā)揮重要作用。

??? 無論任何時候,，NAND都會有新的應(yīng)用,，但NAND市場并沒有所謂一體化產(chǎn)品，導(dǎo)致制造商必須針對‘特殊市場’開發(fā)產(chǎn)品,，Shirley說,。

??? 盡管NAND已經(jīng)是一種通用型商品了。不過,，廠商們?nèi)葬槍η度胧?、行動與相關(guān)市場制定不同產(chǎn)品。美光也透露了該公司專為企業(yè)用戶開發(fā)的eNAND產(chǎn)品,，據(jù)稱可為企業(yè)提供所需的可靠度與糾錯能力,。

??? 除了市場需求與新興應(yīng)用等資料，以及根據(jù)美光表示仍持續(xù)微縮NAND外,，目前有關(guān)NAND市場并沒有進(jìn)一步的詳細(xì)情況,。部份業(yè)界人士相信，NAND將在2x-nm世代達(dá)到極限,，且業(yè)界將出現(xiàn)對于所謂‘通用型內(nèi)存’(universal memory)的需求,。

??? 目前，美光與其NAND合作伙伴──英特爾(Intel)已開始出貨34nm的NAND,。這兩家公司稍早前推出了每單元線3位(3bit-per-cell line)的34nm NAND閃存,。

?? “說NAND已經(jīng)死亡太夸張了，”Shirley說,?！霸?a class="innerlink" href="http://forexkbc.com/tags/20nm" title="20nm" target="_blank">20nm范圍內(nèi)，我們?nèi)钥吹搅肆钊穗y以置信的微縮,?！笔聦?shí)上，美光,、英特爾計劃在今年年底推出2x-nm NAND的組件,。該組件介于25nm到30nm之間。在實(shí)驗(yàn)室內(nèi),，兩家公司已經(jīng)開發(fā)了20nm以下的組件,，他補(bǔ)充道，1x-nm的產(chǎn)品是可行的,。