全球領(lǐng)先的高級(jí)半導(dǎo)體和解決方案的供應(yīng)商瑞薩電子株式會(huì)社（TSE：6723，以下簡(jiǎn)稱“瑞薩電子”）宣布推出三款碳化硅（SiC）復(fù)合功率器件,，它們是RJQ6020DPM,、RJQ6021DPM和RJQ6022DPM,。三款產(chǎn)品在單一封裝中結(jié)合了多個(gè)碳化硅二極管和多個(gè)功率晶體管，組成電源轉(zhuǎn)換電路,。這些功率器件是瑞薩電子推出的采用碳化硅的第二個(gè)功率半導(dǎo)體產(chǎn)品系列,。碳化硅是一種能有效降低損耗的新材料。全新功率器件旨在用于家電（如空調(diào)）,、PC服務(wù)器和太陽(yáng)能發(fā)電系統(tǒng)等電力電子產(chǎn)品,。
　　
　　最近，為了應(yīng)對(duì)環(huán)保問題,，降低電氣設(shè)備功耗，提高電氣產(chǎn)品效率的需求不斷提高,。特別是提高電源轉(zhuǎn)換效率,，以降低空調(diào)、通信基站,、PC服務(wù)器和太陽(yáng)能發(fā)電系統(tǒng)等產(chǎn)品的電源轉(zhuǎn)換電路的功耗,，以及電機(jī)和工業(yè)設(shè)備等應(yīng)用的逆變電路的功耗的趨勢(shì)日漸增強(qiáng)。這刺激了對(duì)具備更高效率和更低損耗特性的功率器件的巨大需求,。為此,，瑞薩電子推出了低損耗碳化硅肖特基勢(shì)壘二極管（SiC-SBD）產(chǎn)品。緊隨其后推出的是全新碳化硅復(fù)合功率器件系列,，這可通過結(jié)合SiC-SBD和大功率MOSFET或IGBT在單一封裝中實(shí)現(xiàn)電路（開關(guān),、電源轉(zhuǎn)換等）設(shè)計(jì)。
　　
　　這些新產(chǎn)品的額定峰值電壓為600 V,，并使用基于日立株式會(huì)社與瑞薩電子聯(lián)手開發(fā)的低漏電流SiC-SBD技術(shù)的碳化硅二極管,。它們將低損耗與緊湊設(shè)計(jì)加以完美結(jié)合，并采用5針TO-3P封裝,，而引腳分配則針對(duì)具體應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化,，因而很容易在配置電路單元時(shí)使用這些器件。
　　
　　三款全新SiC功率器件的主要特性：
　　•(1) 面向臨界導(dǎo)通模式PFC應(yīng)用的RJQ6020DPM器件
　　RJQ6020DPM器件在單一封裝中融合了一個(gè)SiC-SBD和兩個(gè)高壓功率MOSFET,，適用于空調(diào)或平板電視電源開關(guān)電路等臨界導(dǎo)通模式PFC應(yīng)用,。
　　SiC-SBD的反向恢復(fù)時(shí)間（trr）僅為15納秒（ns），高壓功率MOSFET是采用深溝槽配置實(shí)現(xiàn)100 mΩ低導(dǎo)通電阻的高效超結(jié)（SJ-MOS）晶體管,。
　　全新RJQ6020DPM器件也可與瑞薩電子提供的R2A20112A/132臨界導(dǎo)通模式PFC-IC結(jié)合應(yīng)用,，因而很容易實(shí)現(xiàn)交錯(cuò)控制。
　　
　　•(2) 面向連續(xù)導(dǎo)通模式PFC應(yīng)用的RJQ6021DPM器件
　　RJQ6021DPM器件在單一封裝中結(jié)合了一個(gè)SiC-SBD和兩個(gè)IGBT,，適用于通信設(shè)備和PC服務(wù)器中的AC/DC整流器等PFC應(yīng)用,。
　　SiC-SBD的反向恢復(fù)時(shí)間（trr）僅15納秒（ns），超薄晶圓IGBT可提供1.5 V的低導(dǎo)通電壓,，這適用于連續(xù)導(dǎo)通模式PFC應(yīng)用,。
　　全新RJQ6021DPM器件也可于瑞薩電子推出的R2A20114A連續(xù)導(dǎo)通模式PFC-IC結(jié)合應(yīng)用，因而很容易實(shí)現(xiàn)交錯(cuò)控制。
　　
　　•(3) 面向半橋式逆變電路的RJQ6022DPM器件
　　RJQ6022DPM器件在單一封裝中結(jié)合了兩個(gè)SiC-SBD和兩個(gè)IGBT,，適用于空調(diào)和工業(yè)機(jī)械中電機(jī)驅(qū)動(dòng)半橋式逆變電路應(yīng)用,。
　　SiC-SBD的反向恢復(fù)時(shí)間（trr）僅15納秒（ns），超薄晶圓IGBT可提供1.5 V的低導(dǎo)通電壓和6微秒（μsec.）的短路時(shí)間（tsc）,，這適用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用,。
　　一個(gè)RJQ6022DPM器件足以實(shí)現(xiàn)一個(gè)半橋式電路設(shè)計(jì)，而兩個(gè)則可以用于實(shí)現(xiàn)全橋配置,，三個(gè)可用于實(shí)現(xiàn)三相橋電路設(shè)計(jì),。除簡(jiǎn)化電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)外，RJQ6022DPM器件將作為套件解決方案的一部分,，與RX600系列等瑞薩微控制器一起提供,。
　　聚焦全新系列的高壓碳化硅復(fù)合功率器件，其開發(fā)是為了帶給客戶由微控制器及模擬和功率器件組成的整體解決方案,，同時(shí)讓瑞薩電子躋身全球功率器件領(lǐng)袖行列,。瑞薩電子計(jì)劃推出將全新碳化硅復(fù)合功率器件與微控制器、電源控制IC及其他器件相結(jié)合的套件解決方案,。目前正在規(guī)劃裝有全新碳化硅復(fù)合功率器件,、PFC-IC、RX600系列微控制器等的參考板,，幫助客戶進(jìn)行套件評(píng)估和產(chǎn)品設(shè)計(jì),。
　　
定價(jià)與供貨
　　瑞薩電子全新碳化硅復(fù)合功率器件的樣品計(jì)劃于2012年2月上市，單價(jià)為10美元,。瑞薩計(jì)劃在2012年5月開始批量生產(chǎn),，預(yù)計(jì)在2013年4月的月總產(chǎn)量達(dá)到30萬件。（定價(jià)和供貨信息若有變更,，恕不另行通知,。）
　　（備注）所有注冊(cè)商標(biāo)或商標(biāo)均為其各自所有者的財(cái)產(chǎn),。
　　
【附件】
　　碳化硅復(fù)合功率器件的產(chǎn)品規(guī)格
　　[常用規(guī)格]
　　•額定通道溫度（Tch）：+150℃
　　封裝：5針TO-3PFM
　　[RJQ6020DPM器件的規(guī)格（面向臨界導(dǎo)通模式PFC應(yīng)用）]
　　•組成元件（高邊/低邊）：SiC-SBD/高性能SJ-MOSFET
　　•反向峰值電壓（VR）：600 V
　　•SiC-SBD額定電流：20 A
　　•SiC-SBD正向電壓（VT）：1.5 V（IF = 10 A）
　　•SJ-MOSFET額定電流：20 A
　　•SJ-MOSFET導(dǎo)通電阻（Ron）0.1 Ω（VG = 10 V,，ID = 10 A）
　　•SJ-MOSFET反向恢復(fù)時(shí)間（trr）：120 ns（ID = 10 A）
　　[RJQ6021DPM器件的規(guī)格（面向連續(xù)導(dǎo)通模式PFC應(yīng)用）]
　　•組成元件（高邊/低邊）：SiC-SBD/超薄晶圓IGBT
　　•反向峰值電壓（VR）：600 V
　　•SiC-SBD額定電流：20 A
　　•SiC-SBD正向電壓（VT）：1.5 V（IF = 10 A）
　　•IGBT額定電流：20 A
　　•IGBT導(dǎo)通電壓（Vsat）：1.5 V（VG = 15 V，IC = 20 A）
　　•IGBT關(guān)斷時(shí)間（tf）：60 ns（VCE = 400 V,，IC = 20 A）
　　[RJQ6022DPM器件的規(guī)格（面向半橋式逆變電路）]
　　•組成元件（高邊/低邊）：超薄晶圓IGBT/SiC-SBD /超薄晶圓IGBT/SiC-SBD
　　•反向峰值電壓（VR）：600 V
　　•SiC-SBD額定電流：20 A
　　•SiC-SBD正向電壓（VT）：1.5 V（IF = 10 A）
　　•IGBT額定電流：20 A
　　•IGBT導(dǎo)通電壓（Vsat）：1.4 V（VG = 15 V,，IC = 20 A）
　　•IGBT關(guān)斷時(shí)間（tf）：70 ns（VCE = 400 V，IC = 20 A）
　　•短路時(shí)間（tsc）：6.0微秒 標(biāo)準(zhǔn)（Vcc = 360 V,，VGE = 15 V）