在能源效率標(biāo)準(zhǔn)和最終系統(tǒng)要求的推動(dòng)之下,，電源設(shè)計(jì)人員需要有助于縮減其應(yīng)用電源的外形尺寸且不影響功率密度的高能效解決方案,。飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)的FDMC8010 30V Power 33 MOSFET以3.3mm x 3.3mm PQFN外形尺寸提供業(yè)界最佳功率密度和低傳導(dǎo)損耗，能夠滿足這些需求,。

FDMC8010采用飛兆半導(dǎo)體的PowerTrench^® 技術(shù),，非常適合要求在小空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)最低R_DS(ON) 的應(yīng)用，包括：高性能DC-DC降壓轉(zhuǎn)換器,、負(fù)載點(diǎn)(POL),、高效負(fù)載開(kāi)關(guān)和低端切換,、穩(wěn)壓器模塊(VRM)以及ORing功能。設(shè)計(jì)人員使用FDMC8010器件,，能夠?qū)⒎庋b尺寸從5mm x 6mm減小為3.3mm x 3.3mm,，節(jié)省66%的MOSFET占位面積。

在隔離型1/16^th brick DC-DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中,，Power 33 MOSFET的最大R_DS(ON)僅為1.3mΩ,，與具有同等占位面積的競(jìng)爭(zhēng)解決方案相比減小了25%。此外,，該器件減小了傳導(dǎo)損耗,，從而提高散熱效率多達(dá)25%,。  要了解更多的信息及索取樣品,，請(qǐng)?jiān)L問(wèn)公司網(wǎng)頁(yè)：http://www.fairchildsemi.com/pf/FD/FDMC8010.html

特性和優(yōu)勢(shì)

·        高性能技術(shù)，具有業(yè)界最佳R_DS(ON),，最大僅為1.3 mΩ

·        3.3mm x 3.3mm行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)外形尺寸,，PQFN，節(jié)省線路板空間

·        FDMC8010具有更低的傳導(dǎo)損耗,，能夠?qū)崿F(xiàn)比競(jìng)爭(zhēng)解決方案更高的功率密度和更高的效率,。

·        無(wú)鉛RoHS封裝

新增PowerTrench^®器件豐富了飛兆半導(dǎo)體中等電壓范圍MOSFET產(chǎn)品陣容，作為齊全的PowerTrench MOSFET產(chǎn)品系列的一部分,，它能夠滿足現(xiàn)今電子產(chǎn)品的電氣和散熱性能要求,，在實(shí)現(xiàn)更高能效水平方面發(fā)揮重要的作用。

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