致力于提供幫助功率管理、安全,、可靠與高性能半導(dǎo)體技術(shù)產(chǎn)品的領(lǐng)先供應(yīng)商美高森美公司(Microsemi Corporation,，紐約納斯達克交易所代號：MSCC)推出新一代1200V非穿通型(non-punch through,，NPT)IGBT系列中的首款產(chǎn)品,。新的IGBT系列采用美高森美的尖端Power MOS 8^™技術(shù),，與競爭解決方案相比，總體開關(guān)和導(dǎo)通損耗顯著降低20%或更多,。這些IGBT器件瞄準(zhǔn)電焊機,、太陽能逆變器和不間斷與開關(guān)電源等應(yīng)用,。

美高森美新的分立元件產(chǎn)品包括APT40GR120B,、APT40GR120S和APT40GR120B2D30。這些器件可以單獨提供,，或者與任一美高森美的FRED或碳化硅肖特基(Schottky)二極管組合封裝提供,，以便簡化產(chǎn)品開發(fā)和制造,。其它特性包括：

·        相比競爭產(chǎn)品,，柵極電荷(Q_g)顯著減少，具有更快的開關(guān)性能,；

·        硬開關(guān)運行頻率大于80 KHz，實現(xiàn)更高效的功率轉(zhuǎn)換,；

·        易于并聯(lián)(Vcesat的正溫度系數(shù)),，提升大功率應(yīng)用的可靠性,；以及

·        額定短路耐受時間(Short Circuit Withstand Time，SCWT),，在需要短路能力的應(yīng)用中實現(xiàn)可靠運作

APT40GR120B晶體管采用TO-247封裝,，APT40GR120S采用表面安裝D³ PAK封裝，APT40GR120B2D30則是T-MAX^® 封裝器件,，包含了一個30A反并聯(lián)超快恢復(fù)二極管,，采用美高森美的專有“DQ”系列低開關(guān)損耗、額定雪崩能量二極管技術(shù)制造,。

供貨

美高森美新型NPT IGBT中的最初兩款產(chǎn)品已具有以上全部待征并已量產(chǎn),，可通過當(dāng)?shù)胤咒N商或美高森美銷售代表獲取樣品。要了解更多的信息,，請通過電子郵件[email protected]聯(lián)系當(dāng)?shù)孛栏呱冷N售代表或美高森美授權(quán)經(jīng)銷商,。

關(guān)于美高森美公司

美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達克交易所代號：MSCC) 為航天、國防與安全,、企業(yè)與商業(yè),，以及醫(yī)療、工業(yè)與替代能源市場提供業(yè)界綜合性的半導(dǎo)體解決方案系列,，包括高性能及高可靠性模擬與射頻器件,、混合信號與射頻集成電路、可定制系統(tǒng)單芯片(cSoC),、FPGA,，以及完整的子系統(tǒng)。美高森美總部設(shè)于美國加利福尼亞州Aliso Viejo,，全球員工總數(shù)約3,000人,。欲獲取更詳盡信息，請訪問網(wǎng)站：http://www.microsemi.com,。