恩智浦半導(dǎo)體NXP Semiconductors N.V. (納斯達(dá)克:NXPI)今天宣布推出全新汽車級功率MOSFET器件系列,該系列采用恩智浦的Trench 6技術(shù),,具有極低導(dǎo)通電阻(RDSon),、極高的開關(guān)性能以及出色的品質(zhì)和可靠性。恩智浦新型汽車級MOSFET已取得AEC-Q101認(rèn)證,,成功通過了175?C高溫下超過1,600小時的延長壽命測試(性能遠(yuǎn)超Q101標(biāo)準(zhǔn)要求),,同時具有極低PPM 水平。
恩智浦這一全新車用MOSFET系列中的首批產(chǎn)品將采用D2PAK封裝,,電壓級分別為30V,、40V、60V,、80V和100V,,全部具有出色的導(dǎo)通電阻(RDSon)性能。未來的Trench 6器件將會采用其他類型車用封裝形式,,包括恩智浦高可靠性,、高性能的Power-SO8 LFPAK56封裝,以此作為產(chǎn)品組合的重要擴展形式,,為用戶提供全面的應(yīng)用靈活性,。該系列幾乎覆蓋所有汽車應(yīng)用領(lǐng)域,,從簡單的車燈照明到精密復(fù)雜的傳動、車身及底盤等各系統(tǒng)的功率控制,。
Trench 6將在前代TrenchMOS器件的基礎(chǔ)上進一步提升開關(guān)性能,,可在給定導(dǎo)通電阻(RDSon)條件下實現(xiàn)超低QGD,因此是汽車DC-DC開關(guān)應(yīng)用的理想選擇,。恩智浦的汽車級功率MOSFET器件還為各類產(chǎn)品帶來真正的邏輯電平變體,,這是一項將基準(zhǔn)導(dǎo)通電阻性能與閾值電壓容限相結(jié)合的重要功能,可確保MOSFET器件在高溫下的正??刂?。
恩智浦半導(dǎo)體產(chǎn)品市場經(jīng)理Ian Kennedy表示,“我們的Trench 6汽車級功率MOSFET器件可以為車內(nèi)幾乎每個MOSFET插口提供經(jīng)過優(yōu)化的,、可靠性能極高的解決方案,。廣泛嚴(yán)格的測試表明,Trench 6的構(gòu)架極其簡單,,且在近兩年的標(biāo)準(zhǔn)MOSFET市場業(yè)績驕人,,一定可以滿足延長汽車壽命所需的品質(zhì)和可靠性要求。”
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恩智浦半導(dǎo)體NXP Semiconductors N.V. (Nasdaq: NXPI) 以其領(lǐng)先的射頻,、模擬,、電源管理、接口,、安全和數(shù)字處理方面的專長,,提供高性能混合信號(High Performance Mixed Signal)和標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品解決方案,。這些創(chuàng)新的產(chǎn)品和解決方案可廣泛應(yīng)用于汽車,、智能識別、無線基礎(chǔ)設(shè)施,、照明,、工業(yè)、移動,、消費和計算等領(lǐng)域,。公司在全球逾25個國家都設(shè)有業(yè)務(wù)執(zhí)行機構(gòu),2011年公司營業(yè)額達(dá)到42億美元,。更多恩智浦相關(guān)信息,,請登錄公司官方網(wǎng)站http://cn.nxp.com/查詢。