在“2012年歐洲電力電子,、智能運(yùn)動(dòng),、電能品質(zhì)國(guó)際研討會(huì)與展覽會(huì)”上，英飛凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）推出新的CoolSiCTM 1200V SiC JFET 系列,，該產(chǎn)品系列增強(qiáng)了英飛凌在SiC（碳化硅）產(chǎn)品市場(chǎng)的領(lǐng)先地位,。這個(gè)革命性的新產(chǎn)品系列，立足于英飛凌在SiC技術(shù)開(kāi)發(fā)以及高質(zhì)量,、大批量生產(chǎn)方面十多年的豐富經(jīng)驗(yàn)。
英飛凌科技股份公司高壓功率轉(zhuǎn)換產(chǎn)品部負(fù)責(zé)人Jan-Willem Reynaerts指出：“英飛凌已針對(duì)需要高效電源管理的市場(chǎng)推出了多項(xiàng)突破性技術(shù),。CoolSiCTM 也是一種革命性的創(chuàng)新技術(shù),，可將太陽(yáng)能逆變器的性能提升至新的水平。憑借新型SiC JFET技術(shù),，我們可以幫助客戶開(kāi)發(fā)出更好的氣候保護(hù)解決方案,。”
與IGBT相比，新型CoolSiCTM 1200V SiC JFET大幅度降低了開(kāi)關(guān)損耗,，在不犧牲系統(tǒng)總體效率的情況下,，可以支持更高的開(kāi)關(guān)頻率。這為使用更小的無(wú)源元件創(chuàng)造了條件,，其結(jié)果是縮小客戶設(shè)計(jì)的產(chǎn)品的尺寸,，降低其重量，并壓縮系統(tǒng)成本,。換言之,，設(shè)計(jì)人員可在不增加太陽(yáng)能逆變器體積的情況下，實(shí)現(xiàn)更高的輸出功率,。
為了確保常通型JFET技術(shù)的安全性和易用性,，英飛凌開(kāi)發(fā)出一種被稱為直驅(qū)技術(shù)的概念。在這一概念中,，JFET與外部低壓MOSFET和專用的驅(qū)動(dòng)芯片組合在一起,，確保了安全的系統(tǒng)啟動(dòng)，以及快速可控的開(kāi)關(guān),。
CoolSiCTM JFET集成了一個(gè)體二極管,，其開(kāi)關(guān)性能可媲美外置SiC肖特基勢(shì)壘二極管。這種組合最大限度提高了器件的效率,、可靠性,、安全性和易用性。
供貨和定價(jià)
CoolSiCTM JFET產(chǎn)品和驅(qū)動(dòng)芯片的首批樣品于2012年第二季度供貨。OEM量產(chǎn)預(yù)計(jì)將于2013年上半年開(kāi)始,。IJW120R100T1 （100mOhm）的定價(jià)為每件24.90美元（€18.44）（起訂量為1,000件）,。
如需獲得英飛凌新型CoolSiCTM 1200V SiC JFET 系列的更多信息，敬請(qǐng)登陸www.infineon.com/coolsic,。