某些工業(yè)應(yīng)用要求將一個(gè)三相電源送入一個(gè)小功率的dc/dc轉(zhuǎn)換器,，并可能要處理200V或400V的線間有效電壓。此外,，可能沒有可用的交流中性線,，因此不得不使用線間的電壓鏈路，這意味著更高的輸入電壓,。在單相和雙相之間可能出現(xiàn)電壓故障,，有些應(yīng)用要求電源能在這種問題下繼續(xù)工作,。為應(yīng)付這些問題，可以采用一個(gè)非受控整流器和一只電容,，將三相交流電轉(zhuǎn)換為一個(gè)直流電壓,，但這個(gè)電壓可能高于標(biāo)準(zhǔn)轉(zhuǎn)換器可以支持的最大輸入電壓。要找到一個(gè)可用于這些電壓的dc/dc轉(zhuǎn)換器可能很困難,，這個(gè)電壓一般為564V直流或更高,。

用圖1中的電路可以獲得一個(gè)小于某給定值的直流電壓，該值由R1與R3之比而決定,。以圖中的電阻取值,，當(dāng)線間的三相電壓為400V有效值或更高時(shí)， 得到的這個(gè)電壓約為340V,?？梢詮膬上嗷蛉嚯娭蝎@得這個(gè)值，無論是否有中性線,，也可以取自帶中性線的單相電,。本電路省略了傳統(tǒng)三相整流橋的兩只二極管，并包含了一個(gè)中性線二極管對(duì),，從而在儲(chǔ)能電容C1上獲得低于340V的電壓,，且初始起動(dòng)時(shí)達(dá)到0V(圖2)。如果連接了中性線,，則必須將其接到一個(gè)整流器的雙二極管臂上,，以獲得0V的起動(dòng)電壓；不過,，相線可以隨機(jī)連接,。

IGBT和一只電容,，將電壓降低到標(biāo)準(zhǔn)離線dc/dc轉(zhuǎn)換器范圍內(nèi),。" src="http://files.chinaaet.com/images/2012/06/30/a92ac969-e6de-49fe-aa55-54049788ff81.jpg" />

圖1，三相整流器使用了一只開關(guān)IGBT和一只電容,，將電壓降低到標(biāo)準(zhǔn)離線dc/dc轉(zhuǎn)換器范圍內(nèi),。

圖2,，電路省略了典型三相整流橋的兩只二極管，而加了一個(gè)中性線二極管對(duì)，從而在儲(chǔ)能電容C1上獲得了低于340V的電壓,，在初始起動(dòng)時(shí)達(dá)到0V,。

并聯(lián)穩(wěn)壓器IC1用作比較器。在初始起動(dòng)后,，一旦瞬時(shí)整流電壓VI大于340V,，IC1的基準(zhǔn)-陽極電壓就高于其2.495V的內(nèi)部基準(zhǔn)，將陽極-陰極電壓降低到大約2V,，使Q2關(guān)斷,。當(dāng)整流電壓低于340V時(shí)，IC1不拉入電流,。于是,，Q2因R2偏置而導(dǎo)通，將儲(chǔ)能電容C1和dc/dc轉(zhuǎn)換器負(fù)載連接到整流器上,。

在上電時(shí)，如果C1完全放電,，而整流后的瞬時(shí)交流線電壓大于約50V,，則MOSFET Q1導(dǎo)通，使絕緣柵雙極晶體管Q2保持關(guān)斷,；無充電電流通過電容,。如果瞬時(shí)整流電壓低于儲(chǔ)能電容與50V之和，則Q1關(guān)斷,，Q2導(dǎo)通,，將電容與負(fù)載連接到整流器上。

注意(尤其是在上電時(shí)),，當(dāng)Q2關(guān)斷時(shí),，Q2的VCE=VI-VLOAD值上升到一個(gè)大值，因此R5必須盡可能大,，要承受大約0.5W的功率,。增加R5的值意味著必須增加R4的值，從而使Q1的關(guān)斷更緩慢,，并可能產(chǎn)生起動(dòng)時(shí)的故障,。對(duì)于R4、R5和D8的值,，必須在實(shí)用時(shí)做一個(gè)均衡,。考慮到D8限制了Q1上的最大柵極電壓,，它的齊納電壓必須盡可能接近于閾值電壓,，從而通過R4更快地關(guān)斷。Q1的一個(gè)好的選擇是BS170?？梢栽赒2的集射結(jié)上跨接一個(gè)R6和CS組成的緩沖網(wǎng)絡(luò),，以限制所產(chǎn)生的噪聲。

當(dāng)實(shí)際負(fù)載電壓為340V時(shí),，IC1的基準(zhǔn)電壓大約比其陰極高0.5V,，輸入電壓開始通過集電極結(jié)而導(dǎo)通。必須在0.5V,、45μA時(shí)測(cè)量這個(gè)陰極電壓,，并且如果計(jì)算R1和R3的新值，則必須考慮這個(gè)值,。圖2中的仿真并沒有考慮到這個(gè)輸入泄漏,，開關(guān)為310V。