推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ONNN)持續(xù)推動(dòng)高性能工業(yè)集成電路(IC)方案的電源管理。最新器件提供高度強(qiáng)固性,，應(yīng)用于寬工作溫度范圍,，性能突出，同時(shí)以極低能耗工作,。

安森美半導(dǎo)體在Electronica 2012上推出的工業(yè)應(yīng)用新產(chǎn)品

安森美半導(dǎo)體在本年度的Electronica展會(huì)上推出NCN5120KNX收發(fā)器,。這高集成度器件支持在雙絞線網(wǎng)絡(luò)總線上發(fā)射及接收數(shù)據(jù)，符合家庭及建筑物自動(dòng)化KNX標(biāo)準(zhǔn),。這收發(fā)器擁有內(nèi)置的20伏(V)穩(wěn)壓器及兩個(gè)高能效直流-直流(DC-DC)轉(zhuǎn)換器。其中第一個(gè)轉(zhuǎn)換器提供3.3 V固定輸出電壓,，而另一個(gè)轉(zhuǎn)換器提供在3.3 V至21 V之間可調(diào)節(jié)的輸出電壓,。此器件非常適合于大功率應(yīng)用，如智能照明系統(tǒng),、通風(fēng)/空調(diào)系統(tǒng),、恒溫系統(tǒng)、煙霧檢測(cè)器及警報(bào)系統(tǒng),。

展會(huì)上還推出NCS37000,、NCS37005和NCS37012接地故障斷路器(GFI)控制器，具備GFI應(yīng)用的相關(guān)信號(hào)處理功能。這些器件支持6.0 V至18 V工作電壓,，能耗僅為5毫瓦(mW),，集成了靈活的電源，包括分流及低壓降(LDO)穩(wěn)壓器,。它們提供差分故障檢測(cè)電路,，包含內(nèi)置接地中性點(diǎn)檢測(cè)功能。安森美半導(dǎo)體專利的故障處理電路能以低匝數(shù)比電流互感器提供高性能,。這些器件兼容于低成本鐵氧體電流互感器,，經(jīng)過(guò)了高度優(yōu)化，用于負(fù)載板斷路器及GFI插座應(yīng)用,。NCS37012結(jié)合了全面的自測(cè)試電路,，符合新興的UL自測(cè)試指令標(biāo)準(zhǔn)。

NCP59300,、NCP5915x,、NCP57152、NCP57302及NCP58302是高精度,、大電流,、極低壓降(VLDO)穩(wěn)壓器，提供極低輸入電壓(1.8 V),、3.0安培(A)輸出電流和低接地電流特性,。NCP59300、NCP5915x和NCP57152在3.0 A負(fù)載電流時(shí)能提供低于300毫伏(mV)的典型壓降,，而NCP57302和NCP58302在同等負(fù)載電流時(shí)分別提供315 mV和370 mV的典型壓降,。這些器件都能承受高達(dá)18 V(最大值)輸入電壓，內(nèi)置過(guò)熱關(guān)閉及反向輸出電流保護(hù)功能,。它們極適合用于工業(yè)電源及流程控制系統(tǒng),，以及數(shù)據(jù)/電信基礎(chǔ)設(shè)施和汽車(chē)模塊。 

安森美半導(dǎo)體的展位還將展示IGBT,。這些器件采用強(qiáng)固及高性價(jià)比的溝槽技術(shù)構(gòu)造,，提供優(yōu)異的性能，用于高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用,。最新器件擴(kuò)充現(xiàn)行產(chǎn)品陣容,，增加了額定電流達(dá)40 A的產(chǎn)品。NGTB40N120FLWG,、NGTB25N120FLWG及NGTB15N120FLWG提供低開(kāi)關(guān)損耗,，包含超快恢復(fù)二極管，使它們非常適合高頻太陽(yáng)能,、不間斷電源(UPS)及逆變焊機(jī)應(yīng)用,。NGTB30N120LWG和NGTB40N120LWG適合于電機(jī)控制變頻應(yīng)用等硬開(kāi)關(guān)應(yīng)用,，而NGTB30N120IHLWG、NGTB40N120IHLWG,、NGTB20N120IHSWG和NGTB30N120IHSWG提供均衡的開(kāi)關(guān)及導(dǎo)電損耗性能,，用于電磁加熱及其它軟開(kāi)關(guān)應(yīng)用，如電火鍋,、電飯煲及微波爐等電器,。

請(qǐng)參觀安森美半導(dǎo)體于11月13日至16日德國(guó)慕尼黑Electronica 2012的展位(A5館225號(hào))。