GLOBALFOUNDRIES今日宣布將公司的55 奈米(nm) 低功耗強化型(LPe)制程技術平臺進行了最新技術強化, 推出具備ARM公司合格的下一代存儲器和邏輯IP解決方案的55nm LPe 1V ,。“55nm LPe 1V”是業(yè)內(nèi)首個且唯一支持ARM 1.0/1.2V物理IP庫的強化型制程節(jié)點,，使芯片設計人員能夠在單一系統(tǒng)級芯片（SoC）中使用單一制程同時支持兩個工作電壓,。

    GLOBALFOUNDRIES產(chǎn)品營銷副總裁Bruce Kleinman表示：“‘55nm LPe 1V’的核心優(yōu)勢在于,，一個設計庫可同時適用于1.0伏電壓及1.2伏電壓的設計環(huán)境,。這意味著設計人員可以在該平臺上始終采用同一套設計規(guī)則和模型,，無需增加額外光罩層數(shù)或特殊制程，在保證功耗效率和性能優(yōu)化的同時節(jié)省了成本且提高了設計靈活性,。”

    基于ARM的1.0V/1.2V標準單元和存儲器編譯器,，GLOBALFOUNDRIES “55nm LPe 1V”能夠幫助設計人員在速度、功耗和面積設計方面獲得優(yōu)化,，特別有利于在設計SoC解決方案時面臨功耗限制的設計人員,。

   ARM為GLOBALFOUNDRIES先進的55納米LPe制程提供了全面的8軌、9軌和12軌庫的硅晶驗證平臺,，以及高速,、高密度存儲器編譯器。

   ARM公司物理IP部門營銷副總裁John Heinlein博士表示：“1伏和1.2伏操作環(huán)境的結合,，以及對邏輯電平轉換的支持,，可以提供低功耗、高性能和更小芯片面積的完美結合,。與之前的解決方案相比,，雙電壓特性及Artisan下一代存儲器編譯器架構減少了至少35%的動態(tài)功耗和靜態(tài)功耗。”

    “55nm LPe 1V”尤其適用于大容量,、電池供電的移動消費設備以及各種綠色節(jié)能產(chǎn)品,。制程設計(PDK)和電子設計自動化(EDA)工具包現(xiàn)已面市，并提供多項目晶圓(MPW)服務,。

    Artisan存儲器提供了靈活的生產(chǎn)選擇,，被廣泛應用于全世界數(shù)十億產(chǎn)品。這些下一代存儲器是更廣泛的65納米至20納米Artisan物理IP平臺的組成部分,，其特性包括：可延長電池壽命的低電壓和待機模式,，可實現(xiàn)最快處理器速度的超高速緩存，以及可減少低成本SoC設計面積的專有設計工藝,。

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