GLOBALFOUNDRIES今日宣布將公司的55納米(nm)低功耗強(qiáng)化型(LPe)制程技術(shù)平臺進(jìn)行了最新技術(shù)強(qiáng)化,推出具備ARM公司合格的下一代存儲器和邏輯IP解決方案的55nmLPe1V,。“55nmLPe1V”是業(yè)內(nèi)首個(gè)且唯一支持ARM1.0/1.2V物理IP庫的強(qiáng)化型制程節(jié)點(diǎn),，使芯片設(shè)計(jì)人員能夠在單一系統(tǒng)級芯片(SoC)中使用單一制程同時(shí)支持兩個(gè)工作電壓,。

GLOBALFOUNDRIES產(chǎn)品營銷副總裁BruceKleinman表示：“‘55nmLPe1V’的核心優(yōu)勢在于，一個(gè)設(shè)計(jì)庫可同時(shí)適用于1.0伏電壓及1.2伏電壓的設(shè)計(jì)環(huán)境,。這意味著設(shè)計(jì)人員可以在該平臺上始終采用同一套設(shè)計(jì)規(guī)則和模型,，無需增加額外光罩層數(shù)或特殊制程，在保證功耗效率和性能優(yōu)化的同時(shí)節(jié)省了成本且提高了設(shè)計(jì)靈活性,。”

基于ARM的1.0V/1.2V標(biāo)準(zhǔn)單元和存儲器編譯器,，GLOBALFOUNDRIES“55nmLPe1V”能夠幫助設(shè)計(jì)人員在速度、功耗和面積設(shè)計(jì)方面獲得優(yōu)化,，特別有利于在設(shè)計(jì)SoC解決方案時(shí)面臨功耗限制的設(shè)計(jì)人員,。

ARM為GLOBALFOUNDRIES先進(jìn)的55納米LPe制程提供了全面的8軌、9軌和12軌庫的硅晶驗(yàn)證平臺,，以及高速,、高密度存儲器編譯器。

ARM公司物理IP部門營銷副總裁JohnHeinlein博士表示：“1伏和1.2伏操作環(huán)境的結(jié)合,，以及對邏輯電平轉(zhuǎn)換的支持,，可以提供低功耗,、高性能和更小芯片面積的完美結(jié)合。與之前的解決方案相比,，雙電壓特性及Artisan下一代存儲器編譯器架構(gòu)減少了至少35%的動態(tài)功耗和靜態(tài)功耗,。”

“55nmLPe1V”尤其適用于大容量、電池供電的移動消費(fèi)設(shè)備以及各種綠色節(jié)能產(chǎn)品,。制程設(shè)計(jì)(PDK)和電子設(shè)計(jì)自動化(EDA)工具包現(xiàn)已面市,，并提供多項(xiàng)目晶圓(MPW)服務(wù)。

Artisan存儲器提供了靈活的生產(chǎn)選擇,，被廣泛應(yīng)用于全世界數(shù)十億產(chǎn)品,。這些下一代存儲器是更廣泛的65納米至20納米Artisan物理IP平臺的組成部分,，其特性包括：可延長電池壽命的低電壓和待機(jī)模式,，可實(shí)現(xiàn)最快處理器速度的超高速緩存，以及可減少低成本SoC設(shè)計(jì)面積的專有設(shè)計(jì)工藝,。