1.IGBT的模型

　　IGBT的模型在教科書上能找到,，其柵極G,，相當(dāng)于一個(gè)數(shù)納法(nF)的小電容(暫時(shí)這樣認(rèn)為)，這與MOS管類似;其集電極C和發(fā)射極E又類似于一只三極管的C,、E極,。因此，它結(jié)合了MOS管和三極管的特點(diǎn)：

　　(1)柵極的絕緣電阻無(wú)窮大,，只要向柵極充入一定的正電荷,，使得柵極電壓大于導(dǎo)通電壓，管子就會(huì)導(dǎo)通,，并且導(dǎo)通程度深,，線性范圍很窄,。這一點(diǎn)類似于MOS管。

　　(2)由于柵極的絕緣電阻無(wú)窮大,，因此電荷能夠一直保存,，即開通后可以一直開通。而且當(dāng)柵極開路時(shí),，也常會(huì)處于開通狀態(tài),。正因?yàn)檫@個(gè)特性，驅(qū)動(dòng)IGBT的電路不需要提供很大的持續(xù)電流,。但這容易引起誤導(dǎo)通,，為了防止誤導(dǎo)通，柵極G和發(fā)射極E之間必須跨接一只電阻,。不少第一次接觸MOS管和IGBT的朋友就是因?yàn)闆](méi)有跨接此電阻而燒了管子,。跨接電阻一般為10k歐/0.25W,。

　　(3)柵極電容的耐壓是有一點(diǎn)限度的,，一般是±20V，當(dāng)超過(guò)此限度,，可能會(huì)燒壞,。因此，柵極要加一對(duì)穩(wěn)壓二極管,，用于吸收過(guò)高的電壓,。穩(wěn)壓二極管一般頭對(duì)頭串聯(lián)，每只是18V/1W,，限制的電壓范圍是±18.7V左右,。

　　(4)輸出極C和E特性類似于三極管，因此具有一定的導(dǎo)通壓降,，而不是像MOS管那樣用導(dǎo)通電阻來(lái)衡量,。導(dǎo)通壓降與導(dǎo)通飽和度有關(guān)，導(dǎo)通飽和度受到柵極電壓的影響,，因此柵極電壓不應(yīng)太低，雖然IGBT在7V就完全能導(dǎo)通,，但標(biāo)準(zhǔn)的柵極驅(qū)動(dòng)電壓是15V,。

　　(5)為了保證柵極驅(qū)動(dòng)不誤動(dòng)作，一般關(guān)閉時(shí)要讓柵極帶有一定的負(fù)電壓,。通常對(duì)于小功率IGBT,，負(fù)電壓應(yīng)在-8V左右。因此,，通常IGBT的標(biāo)準(zhǔn)驅(qū)動(dòng)電壓為-8V,、+15V,。實(shí)際使用時(shí)，如果采用光耦,，例如A3120,，其正壓降約為2.5V，負(fù)壓降幾乎為零,，因此,，為了達(dá)到標(biāo)準(zhǔn)驅(qū)動(dòng)電壓，光耦前端的供電電壓應(yīng)為-8V,、+17.5V,。

　　(6)IGBT的柵極電容是非線性的，在導(dǎo)通電壓和關(guān)斷電壓附近,，其柵極電容相當(dāng)于突然增大數(shù)倍,，需要充入或者吸出較多電荷，因此,，驅(qū)動(dòng)電路的作用主要體現(xiàn)在導(dǎo)通和關(guān)斷的轉(zhuǎn)折點(diǎn)上,，此時(shí)要提供較多電荷，具有較大的驅(qū)動(dòng)電流,，故驅(qū)動(dòng)電路的主要電流是瞬時(shí)電流,，頻率很高，這就要求驅(qū)動(dòng)電路的供電具有極小的高頻內(nèi)阻,。一般要并聯(lián)較大容量的獨(dú)石電容來(lái)提供這些電流,。

　　2. IGBT的基本驅(qū)動(dòng)電路

　　(1)供電采用隔離變壓器，最好采用開關(guān)穩(wěn)壓電源,，上下橋嚴(yán)格隔離,，安全間距1mm/100V，即對(duì)于380V系統(tǒng)要用4mm安全間距,。

　　(2)供電電壓：+17.5V,，-8V，GND,。其中GND接IGBT的E極,。+17.5V和-8V接光耦的8、5腳,。

　　(3)瞬時(shí)電流提供：供電電源上并接1uF/50V獨(dú)石電容若干個(gè),。

　　(4)柵極驅(qū)動(dòng)電阻Rg，采用IGBT資料的推薦值至推薦值的3倍之間,。

　　(5)柵極放電電阻,，10k歐;柵極保護(hù)穩(wěn)壓二極管：18V/1W，頭對(duì)頭串聯(lián)。