如何做好IGBT的保護
眾所周知,，IGBT是一種用MOS來控制晶體管的新型電力電子器件,，具有電壓高、電流大,、頻率高,、導(dǎo)通電阻小等特點，被廣泛應(yīng)用在變頻器的逆變電路中,。但由于IGBT的耐過流能力與耐過壓能力較差,，一旦出現(xiàn)意外就會使它損壞。為此,，必須對IGBT進行相關(guān)保護,。一般我們從過流、過壓,、過熱三方面進行IGBT保護電路設(shè)計,。
IGBT承受過電流的時間僅為幾微秒，耐過流量小,，因此使用IGBT首要注意的是過流保護,。那么該如何根據(jù)IGBT的驅(qū)動要求設(shè)計過流保護呢?
IGBT的過流保護可分為兩種情況：(1) 驅(qū)動電路中無保護功能;(2) 驅(qū)動電路中設(shè)有保護功能,。對于第一種情況，我們可以在主電路中要設(shè)置過流檢測器件;針對第二種情況,，由于不同型號的混合驅(qū)動模塊,，其輸出能力、開關(guān)速度與du/dt的承受能力不同,，使用時要根據(jù)實際情況恰當選用,。對于大功率電壓型逆變器新型組合式IGBT過流保護則可以通過封鎖驅(qū)動信號或者減小柵壓來進行保護。
過壓保護則可以從以下幾個方面進行：
●盡可能減少電路中的雜散電感,。
●采用吸收回路,。吸收回路的作用是;當IGBT關(guān)斷時，吸收電感中釋放的能量,，以降低關(guān)斷過電壓,。
●適當增大柵極電阻Rg。
IGBT的過熱保護一般是采用散熱器(包括普通散熱器與熱管散熱器),，并可進行強迫風冷,。
傳統(tǒng)與新型IGBT保護模式對比
在傳統(tǒng)的使用和設(shè)計IGBT的過程中，基本上都是采用粗放式的設(shè)計模式,，所需余量較大,，系統(tǒng)龐大，但仍無法抵抗來自外界的干擾和自身系統(tǒng)引起的各種失效問題,。那么該如何突破傳統(tǒng)的IGBT系統(tǒng)電路保護設(shè)計來解決上述問題呢?
傳統(tǒng)保護模式：
防護方案防止柵極電荷積累及柵源電壓出現(xiàn)尖峰損壞IGBT——可在G極和E極之間設(shè)置一些保護元件,， 如下圖的電阻RGE的作用，是使柵極積累電荷泄放(其阻值可取5kΩ);兩個反向串聯(lián)的穩(wěn)壓二極管V1和V2,，是為了防止柵源電壓尖峰損壞IGBT,。另 外，還有實現(xiàn)控制電路部分與被驅(qū)動的IGBT之間的隔離設(shè)計,，以及設(shè)計適合柵極的驅(qū)動脈沖電路等,。然而即使這樣，在實際使用的工業(yè)環(huán)境中,，以上方案仍然具 有比較高的產(chǎn)品失效率——有時甚至會超出5%,。相關(guān)的實驗數(shù)據(jù)和研究表明：這和瞬態(tài)浪涌、靜電及高頻電子干擾有著緊密的關(guān)系,，而穩(wěn)壓管在此的響應(yīng)時間和耐 電流能力遠遠不足,，從而導(dǎo)致IGBT過熱而損壞。
傳統(tǒng)保護模式和新型保護模式電路對比
新型保護模式：
將傳統(tǒng)的穩(wěn)壓管改為新型的瞬態(tài)抑制二極管(TVS),。一般柵極驅(qū)動電壓約為15V,，可以選型SMBJ15CA。該產(chǎn)品可以通過IEC61000-4-5浪涌測試10/700US 6kV,。
TVS反應(yīng)速度極快(達PS級),，通流能力遠超穩(wěn)壓二極管(可達上千安培),，同時，TVS對靜電具有非常好的抑制效果,。該產(chǎn)品可以通過 IEC61000-4-2接觸放電8kV和空氣放電15kV的放電測試,。
將傳統(tǒng)電阻RG變更為正溫度系數(shù)(PPTC)保險絲。它既具有電阻的效果,，又對溫度比較敏感,。當內(nèi)部電流增加時，其阻抗也在增加,，從而對過流具有非常好的抑制效果。
IGBT的應(yīng)用及設(shè)計
作為電力電子重要大功率主流器件之一,，IGBT已經(jīng)廣泛應(yīng)用于家用電器,、交通運輸、電力工程,、可再生能源和智能電網(wǎng)等領(lǐng)域,。在工業(yè)應(yīng)用方面，如交通控制,、功率變換,、工業(yè)電機、不間斷電源,、風電與太陽能設(shè)備,，以及用于自動控制的變頻器。在消費電子方面,，IGBT用于家用電器,、相機和手機。小編也搜集了幾篇關(guān)于IGBT設(shè)計的文章,，供大家參考：如何設(shè)計精簡,、低成本的保護馬達驅(qū)動器中的IGBT、如何能提高輸出功率密度的短路額定IGBT,、如何用IGBT實現(xiàn)高壓大功率變頻器,、基于IGBT的高能效電源設(shè)計、大功率開關(guān)電源IGBT短路保護的三種設(shè)計方法,。
IGBT產(chǎn)品市場現(xiàn)狀分析
國內(nèi)市場需求急劇上升曾使得IGBT市場一度被看好,。雖然長期來看，IGBT是一個值得期待的市場,，可是到目前為止IGBT的核心技術(shù)和產(chǎn)業(yè)為大多數(shù)歐美IDM半導(dǎo)體廠商所掌控,，本土廠商想要打破國外企業(yè)對國內(nèi)IGBT市場壟斷，還需要很多努力,。并且隨著各國政府都將削減可再生能源及交通等領(lǐng)域的支出,，IGBT市場能否再度增長?根據(jù)最新的調(diào)查報告顯示,，各種IGBT器件和模塊的銷售額在2013年將有一定程度的復(fù)蘇，2014年稍稍減速,，待經(jīng)濟復(fù)蘇并穩(wěn)定后,，從2015年開始將穩(wěn)定增長。雖然2013年IGBT市場增長趨勢有所下降,，但隨著國內(nèi)技術(shù)的進步,，其發(fā)展前景還是十分被看好的。因此才會有許多廠商紛紛推出IGBT產(chǎn)品：東芝公司推出了應(yīng)用于數(shù)碼相機閃光燈的分立式IGBT,，切換時間縮短2/3;IR擴充堅固可靠的600V溝道超高速IGBT系列;英飛凌擴展第三代逆導(dǎo)IGBT產(chǎn)品組合;飛兆用于高功率感應(yīng)加熱應(yīng)用的陽極短路型IGBT;安森美9款高能效溝槽型場截止IGBT,。