《電子技術(shù)應(yīng)用》
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IGBT應(yīng)用設(shè)計(jì)全面剖析
摘要: 眾所周知,IGBT是一種用MOS來(lái)控制晶體管的新型電力電子器件,,具有電壓高,、電流大、頻率高,、導(dǎo)通電阻小等特點(diǎn),,被廣泛應(yīng)用在變頻器的逆變電路中。但由于IGBT的耐過(guò)流能力與耐過(guò)壓能力較差,,一旦出現(xiàn)意外就會(huì)使它損壞,。為此,必須對(duì)IGBT進(jìn)行相關(guān)保護(hù),。一般我們從過(guò)流,、過(guò)壓,、過(guò)熱三方面進(jìn)行IGBT保護(hù)電路設(shè)計(jì)。
Abstract:
Key words :

 

如何做好IGBT的保護(hù)

  眾所周知,,IGBT是一種用MOS來(lái)控制晶體管的新型電力電子器件,,具有電壓高、電流大,、頻率高,、導(dǎo)通電阻小等特點(diǎn),被廣泛應(yīng)用在變頻器的逆變電路中,。但由于IGBT的耐過(guò)流能力與耐過(guò)壓能力較差,,一旦出現(xiàn)意外就會(huì)使它損壞。為此,,必須對(duì)IGBT進(jìn)行相關(guān)保護(hù),。一般我們從過(guò)流、過(guò)壓,、過(guò)熱三方面進(jìn)行IGBT保護(hù)電路設(shè)計(jì),。

  IGBT承受過(guò)電流的時(shí)間僅為幾微秒,耐過(guò)流量小,,因此使用IGBT首要注意的是過(guò)流保護(hù),。那么該如何根據(jù)IGBT的驅(qū)動(dòng)要求設(shè)計(jì)過(guò)流保護(hù)呢?

  IGBT的過(guò)流保護(hù)可分為兩種情況:(1) 驅(qū)動(dòng)電路中無(wú)保護(hù)功能;(2) 驅(qū)動(dòng)電路中設(shè)有保護(hù)功能。對(duì)于第一種情況,,我們可以在主電路中要設(shè)置過(guò)流檢測(cè)器件;針對(duì)第二種情況,,由于不同型號(hào)的混合驅(qū)動(dòng)模塊,其輸出能力,、開(kāi)關(guān)速度與du/dt的承受能力不同,,使用時(shí)要根據(jù)實(shí)際情況恰當(dāng)選用。對(duì)于大功率電壓型逆變器新型組合式IGBT過(guò)流保護(hù)則可以通過(guò)封鎖驅(qū)動(dòng)信號(hào)或者減小柵壓來(lái)進(jìn)行保護(hù),。

  過(guò)壓保護(hù)則可以從以下幾個(gè)方面進(jìn)行:

  ●盡可能減少電路中的雜散電感,。

  ●采用吸收回路。吸收回路的作用是;當(dāng)IGBT關(guān)斷時(shí),,吸收電感中釋放的能量,,以降低關(guān)斷過(guò)電壓。

  ●適當(dāng)增大柵極電阻Rg,。

  IGBT的過(guò)熱保護(hù)一般是采用散熱器(包括普通散熱器與熱管散熱器),,并可進(jìn)行強(qiáng)迫風(fēng)冷。

  傳統(tǒng)與新型IGBT保護(hù)模式對(duì)比

  在傳統(tǒng)的使用和設(shè)計(jì)IGBT的過(guò)程中,,基本上都是采用粗放式的設(shè)計(jì)模式,所需余量較大,,系統(tǒng)龐大,,但仍無(wú)法抵抗來(lái)自外界的干擾和自身系統(tǒng)引起的各種失效問(wèn)題,。那么該如何突破傳統(tǒng)的IGBT系統(tǒng)電路保護(hù)設(shè)計(jì)來(lái)解決上述問(wèn)題呢?

  傳統(tǒng)保護(hù)模式:

  防護(hù)方案防止柵極電荷積累及柵源電壓出現(xiàn)尖峰損壞IGBT——可在G極和E極之間設(shè)置一些保護(hù)元件, 如下圖的電阻RGE的作用,,是使柵極積累電荷泄放(其阻值可取5kΩ);兩個(gè)反向串聯(lián)的穩(wěn)壓二極管V1和V2,,是為了防止柵源電壓尖峰損壞IGBT。另 外,,還有實(shí)現(xiàn)控制電路部分與被驅(qū)動(dòng)的IGBT之間的隔離設(shè)計(jì),,以及設(shè)計(jì)適合柵極的驅(qū)動(dòng)脈沖電路等。然而即使這樣,,在實(shí)際使用的工業(yè)環(huán)境中,,以上方案仍然具 有比較高的產(chǎn)品失效率——有時(shí)甚至?xí)?%。相關(guān)的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)和研究表明:這和瞬態(tài)浪涌,、靜電及高頻電子干擾有著緊密的關(guān)系,,而穩(wěn)壓管在此的響應(yīng)時(shí)間和耐 電流能力遠(yuǎn)遠(yuǎn)不足,從而導(dǎo)致IGBT過(guò)熱而損壞,。

 

  傳統(tǒng)保護(hù)模式和新型保護(hù)模式電路對(duì)比

  新型保護(hù)模式:

  將傳統(tǒng)的穩(wěn)壓管改為新型的瞬態(tài)抑制二極管(TVS),。一般柵極驅(qū)動(dòng)電壓約為15V,可以選型SMBJ15CA,。該產(chǎn)品可以通過(guò)IEC61000-4-5浪涌測(cè)試10/700US 6kV,。

  TVS反應(yīng)速度極快(達(dá)PS級(jí)),通流能力遠(yuǎn)超穩(wěn)壓二極管(可達(dá)上千安培),,同時(shí),,TVS對(duì)靜電具有非常好的抑制效果。該產(chǎn)品可以通過(guò) IEC61000-4-2接觸放電8kV和空氣放電15kV的放電測(cè)試,。

  將傳統(tǒng)電阻RG變更為正溫度系數(shù)(PPTC)保險(xiǎn)絲,。它既具有電阻的效果,又對(duì)溫度比較敏感,。當(dāng)內(nèi)部電流增加時(shí),,其阻抗也在增加,從而對(duì)過(guò)流具有非常好的抑制效果,。

  IGBT的應(yīng)用及設(shè)計(jì)

  作為電力電子重要大功率主流器件之一,,IGBT已經(jīng)廣泛應(yīng)用于家用電器、交通運(yùn)輸,、電力工程,、可再生能源和智能電網(wǎng)等領(lǐng)域。在工業(yè)應(yīng)用方面,,如交通控制,、功率變換、工業(yè)電機(jī)、不間斷電源,、風(fēng)電與太陽(yáng)能設(shè)備,,以及用于自動(dòng)控制的變頻器。在消費(fèi)電子方面,,IGBT用于家用電器,、相機(jī)和手機(jī)。小編也搜集了幾篇關(guān)于IGBT設(shè)計(jì)的文章,,供大家參考:如何設(shè)計(jì)精簡(jiǎn),、低成本的保護(hù)馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器中的IGBT、如何能提高輸出功率密度的短路額定IGBT,、如何用IGBT實(shí)現(xiàn)高壓大功率變頻器,、基于IGBT的高能效電源設(shè)計(jì)、大功率開(kāi)關(guān)電源IGBT短路保護(hù)的三種設(shè)計(jì)方法,。

  IGBT產(chǎn)品市場(chǎng)現(xiàn)狀分析

  國(guó)內(nèi)市場(chǎng)需求急劇上升曾使得IGBT市場(chǎng)一度被看好,。雖然長(zhǎng)期來(lái)看,IGBT是一個(gè)值得期待的市場(chǎng),,可是到目前為止IGBT的核心技術(shù)和產(chǎn)業(yè)為大多數(shù)歐美IDM半導(dǎo)體廠商所掌控,,本土廠商想要打破國(guó)外企業(yè)對(duì)國(guó)內(nèi)IGBT市場(chǎng)壟斷,還需要很多努力,。并且隨著各國(guó)政府都將削減可再生能源及交通等領(lǐng)域的支出,,IGBT市場(chǎng)能否再度增長(zhǎng)?根據(jù)最新的調(diào)查報(bào)告顯示,各種IGBT器件和模塊的銷售額在2013年將有一定程度的復(fù)蘇,,2014年稍稍減速,,待經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇并穩(wěn)定后,從2015年開(kāi)始將穩(wěn)定增長(zhǎng),。雖然2013年IGBT市場(chǎng)增長(zhǎng)趨勢(shì)有所下降,,但隨著國(guó)內(nèi)技術(shù)的進(jìn)步,其發(fā)展前景還是十分被看好的,。因此才會(huì)有許多廠商紛紛推出IGBT產(chǎn)品:東芝公司推出了應(yīng)用于數(shù)碼相機(jī)閃光燈的分立式IGBT,,切換時(shí)間縮短2/3;IR擴(kuò)充堅(jiān)固可靠的600V溝道超高速IGBT系列;英飛凌擴(kuò)展第三代逆導(dǎo)IGBT產(chǎn)品組合;飛兆用于高功率感應(yīng)加熱應(yīng)用的陽(yáng)極短路型IGBT;安森美9款高能效溝槽型場(chǎng)截止IGBT。

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