隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展,，具有高耐壓、大電流,、開關(guān)速度高和低飽和壓降等諸多優(yōu)點(diǎn)的IGBT在機(jī)車牽引,、有源濾波、新能源等電力電子領(lǐng)域有了更為廣泛的應(yīng)用^[1],。而IGBT的驅(qū)動(dòng)與保護(hù)是由IGBT驅(qū)動(dòng)器來完成的,，高性能的驅(qū)動(dòng)器可以讓IGBT工作在較為理想的開關(guān)狀態(tài)，減小開關(guān)損耗,。應(yīng)用在大功率或者環(huán)境復(fù)雜多變場(chǎng)合下的IGBT,，鑒于其特殊性，對(duì)于IGBT驅(qū)動(dòng)器的要求就更為嚴(yán)格,，如需具備瞬間驅(qū)動(dòng)電流大,、可靠性要求高、有完備的保護(hù),、集成度高等特點(diǎn)^[2],。本文介紹了瑞士CONCEPT公司的2SC0535驅(qū)動(dòng)器,，并采用其作為核心部件，設(shè)計(jì)了前級(jí)驅(qū)動(dòng)電路,、后級(jí)功率驅(qū)動(dòng)電路,、故障信號(hào)指示電路。最終用雙脈沖平臺(tái)和3 300 V/1 200 A IGBT進(jìn)行了實(shí)驗(yàn),。實(shí)驗(yàn)證明,，該驅(qū)動(dòng)器具有良好的驅(qū)動(dòng)與保護(hù)功能^[3]。

1 2SC0535簡(jiǎn)介

    2SC0535裝備了CONCEPT公司最新的SCALE-2芯片組^[4],。SCALE-2芯片組是一套專用集成電路（ASIC）,，包含智能門級(jí)驅(qū)動(dòng)所需的大部分功能。該模塊采用變壓器隔離方式,，可以同時(shí)驅(qū)動(dòng)兩個(gè)IGBT模塊,，提供+15 V、-10 V門級(jí)驅(qū)動(dòng)電壓和±35 A的驅(qū)動(dòng)電流,。圖1為2SC0535的功能框圖,，它主要由DC/DC轉(zhuǎn)換電路、輸入處理電路,、驅(qū)動(dòng)輸出及邏輯保護(hù)電路組成^[5],。

    DC/DC轉(zhuǎn)換電路將輸入部分與工作部分進(jìn)行隔離。輸入處理部分由LDI及其外圍電路組成,。由于控制電路產(chǎn)生的PWM信號(hào)不能直接通過脈沖變壓器,，特別是當(dāng)其占空比變化較大時(shí)，最為困難,。而LDI主要是對(duì)于輸入的PWM信號(hào)進(jìn)行編碼,，便于PWM信號(hào)通過脈沖變壓器進(jìn)行傳遞。驅(qū)動(dòng)輸出及其邏輯保護(hù)電路的核心芯片是IGD,。它集合了變壓器接口,、阻斷邏輯生產(chǎn)、狀態(tài)反饋,、過流短路保護(hù),、欠壓檢測(cè)和輸出階段識(shí)別等功能于一身。每一個(gè)IGD用于一個(gè)通道,，主要功能是對(duì)變壓器傳來的信號(hào)進(jìn)行解碼,，并對(duì)PWM信號(hào)進(jìn)行功率放大，對(duì)IGBT過流,、短路及副邊電源欠壓檢測(cè)保護(hù),，向LDI反饋副邊狀態(tài)，以產(chǎn)生短路保護(hù)的響應(yīng)時(shí)間和阻斷時(shí)間等,。

2 驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)

2.1 前級(jí)驅(qū)動(dòng)電路

    由于驅(qū)動(dòng)器放置在IGBT模塊上,，控制器與驅(qū)動(dòng)板之間的邏輯信號(hào)走線相對(duì)較長(zhǎng),，為了提高信號(hào)的抗干擾能力，在驅(qū)動(dòng)信號(hào)送入模塊前,，用光耦進(jìn)行了隔離,，設(shè)計(jì)的前級(jí)驅(qū)動(dòng)電路如圖2所示。當(dāng)有信號(hào)輸入時(shí),，信號(hào)經(jīng)過光耦隔離,、波形整形、鎖死/去鎖死,，最終送入2SC0535模塊,。

2.2 信號(hào)鎖存指示

    故障輸出端SO1、SO2為集電極開路電路,，外部需要接上拉電阻,。當(dāng)故障發(fā)生時(shí)，相應(yīng)通道的SOx輸出低電平,；否則,，輸出高電平。如果電源欠壓,，電源欠壓檢測(cè)電路也會(huì)輸出低電平,。如圖3所示，當(dāng)有錯(cuò)誤發(fā)生時(shí),，U10A管腳被拉低,，U10C,、U10D輸出由高電平跳變?yōu)榈碗娖?，D觸發(fā)器U9在此刻的下降沿將錯(cuò)誤信號(hào)鎖存住，相應(yīng)的錯(cuò)誤指示燈亮,。此時(shí)由于U10A與U10B的配合,，即使錯(cuò)誤消失，錯(cuò)誤信號(hào)一直被鎖住不變,，直到手動(dòng)按鍵S1才能恢復(fù),。利用撥碼開關(guān)可以實(shí)現(xiàn)信號(hào)的鎖死與去鎖死功能。如果將LOCK端與Key1端接在一起,，則只要有錯(cuò)誤發(fā)生時(shí),，LOCK端的持續(xù)低電平會(huì)將兩路輸入信號(hào)全部封鎖，確保了IGBT的安全運(yùn)行,。如果將unLOCK與Key1連接,，則輸入信號(hào)不會(huì)受到另一路錯(cuò)誤信號(hào)的封鎖，而是被全部送到模塊內(nèi)部,，由模塊判斷并封鎖對(duì)應(yīng)的輸入信號(hào),。

2.3 死區(qū)時(shí)間和工作模式

    2SC0535提供兩種工作模式可供選擇,，即直接模式和半橋模式。對(duì)于直接模式,，將MOD輸入端連接到GND就可以了,。在這種模式下，兩個(gè)通道互不影響,。在半橋拓?fù)渲?，只有?dāng)控制電路產(chǎn)生了足夠的死區(qū)時(shí)間，可以使每個(gè)IGBT都安全工作時(shí),，才能選擇此模式,，因?yàn)閮蓚€(gè)IGBT同時(shí)導(dǎo)通或者重疊導(dǎo)通會(huì)導(dǎo)致直流母線短路。當(dāng)MOD端通過一個(gè)71 kΩ～181 kΩ電阻R_m接到GND后,，則選擇了半橋模式,。參考圖4，在此模式下,，INA作為驅(qū)動(dòng)信號(hào)的輸入端,，而INB則作為信號(hào)的使能端。

    死區(qū)時(shí)間T_d可以通過電阻R_m來設(shè)定,，見式（1）：

2.4 有源鉗位保護(hù)

    有源鉗位電路的目的是鉗位IGBT的集電極電位,，避免關(guān)斷過程中因V_ce過壓而損壞IGBT。如果關(guān)斷時(shí)產(chǎn)生的電壓尖峰太陡,，都會(huì)使IGBT受到威脅,。IGBT在正常情況關(guān)斷時(shí)會(huì)產(chǎn)生一定的電壓尖峰，但是數(shù)值不會(huì)太高,。但在變流器過載或者橋臂短路時(shí)關(guān)斷管子,，產(chǎn)生的電壓尖峰則非常高，此時(shí)IGBT非常容易損壞,。如圖5所示,，其工作原理是：當(dāng)集電極電位過高時(shí)，TVS被擊穿,，電流I_AAC流進(jìn)ASIC(專用集成電路)的ACC單元,。該電流大于40 mA時(shí)，下管MOSFET開始被線性關(guān)斷,；當(dāng)電流大于500 mA時(shí),，下管MOSFET完全關(guān)閉。此時(shí)門極處于開路狀態(tài),，I_z會(huì)向門極電容充電,，使門極電壓從米勒平臺(tái)回到+15 V，從而使關(guān)斷電流變緩慢，達(dá)到電壓鉗位的效果,。這個(gè)電路的特點(diǎn)是TVS的負(fù)載非常小,，TVS的工作點(diǎn)非常接近額定點(diǎn)，鉗位的準(zhǔn)確度及電路的有效性得到大大提高,。在3 300 V的IGBT中,，使用了串聯(lián)8個(gè)300 V的TVS，其中7個(gè)單向,，1個(gè)雙向,，獲得了良好的鉗位效果。

2.5 短路保護(hù)

    IGBT短路保護(hù)的基本工作原理如圖6所示,，電路由一個(gè)比較器和相應(yīng)的電路完成,。

    (1)比較器的反相輸入端，B點(diǎn)為參考電壓值,。具體電壓值為恒流源150 μA乘以R_thx,。

    (2)比較器的同相輸入端，對(duì)于A點(diǎn),，分兩種情況：

    ①如果IGBT正常導(dǎo)通,，則集電極為飽和電壓值，D_m反向截止,，C_a無充電回路,，A點(diǎn)電位穩(wěn)定。

    ②IGBT短路時(shí),，集電極電位升至母線電壓,，此時(shí)電流走向如圖6虛線所示，分為兩路,。由于R_Vce的限流作用,，15 V電源作為負(fù)載源，使得A點(diǎn)電位通過R_m給C_a充電而迅速提高,，最終等于15 V加上D_m和并減去R_m上的壓降,。SCALE-2這種保護(hù)方式比SCALE中的保護(hù)動(dòng)作更快，也更可靠,。這時(shí)集電極電壓的高壓主要承受在R_Vce上。

    2SC0535驅(qū)動(dòng)器的每一個(gè)通道都配有V_ce檢測(cè)電路,。驅(qū)動(dòng)器將會(huì)可靠地進(jìn)行IGBT短路保護(hù),，但是不一定能進(jìn)行過流保護(hù)。過流保護(hù)的時(shí)間優(yōu)先級(jí)較低,，可以通過外電路集中式保護(hù)在控制器中實(shí)現(xiàn),。

    在響應(yīng)時(shí)間內(nèi)，V_ce檢測(cè)電路不起作用。響應(yīng)時(shí)間是指從功率半導(dǎo)體開通后直至驅(qū)動(dòng)器開始檢測(cè)集電極電位所經(jīng)過的時(shí)間,。如圖7所示,，每個(gè)通道的IGBT集電極-發(fā)射極電壓是獨(dú)立檢測(cè)的。在導(dǎo)通狀態(tài)下經(jīng)過響應(yīng)時(shí)間后再檢測(cè)V_ce,，以判斷短路或過流狀況,。如果在響應(yīng)時(shí)間結(jié)束時(shí)，測(cè)得V_ce超出動(dòng)態(tài)閾值V_cethx,，則驅(qū)動(dòng)器判斷為短路或過流,。然后，驅(qū)動(dòng)器關(guān)閉相應(yīng)IGBT,。故障信號(hào)立即傳送到相應(yīng)的SOx輸出端,。該IGBT一直保持關(guān)斷，且SOx一直指示故障,，直至阻斷時(shí)間T_b結(jié)束,。在響應(yīng)時(shí)間區(qū)間外，當(dāng)V_ce超過閾值時(shí),，T_b開始計(jì)時(shí),。設(shè)置R_Vce的電阻值，以使R_Vce流過0.6～1 mA的電流,，但不能超過1 mA,。

2.6 門極鉗位保護(hù)

    IGBT短路時(shí)會(huì)進(jìn)入線性區(qū)，這就意味著在線性區(qū)內(nèi),，門極可以強(qiáng)烈地影響短路電流,。如果門極電壓高于15 V，則短路電流會(huì)沖得很高,，比Datasheet上給定的短路電流倍數(shù)要高很多,，這是很危險(xiǎn)的。在IGBT短路時(shí),，集電極電流I_c急劇增大,，由于IGBT存在米勒效應(yīng)，導(dǎo)致門極電位會(huì)有上升的趨勢(shì),。這種作用是來自集電極的,，并不是來自驅(qū)動(dòng)電路。如果不對(duì)門極電位進(jìn)行鉗位,，短路電流可能會(huì)沖得很高,，IGBT也會(huì)超出短路安全工作(SCSOA),甚至產(chǎn)生閂鎖效應(yīng)，損壞IGBT,。為了保證IGBT短路時(shí),，短路電流不超過規(guī)定范圍,，門極鉗位電路是十分必要的。圖8所示的是基于SCALE-2芯片組的IGBT驅(qū)動(dòng)器門極鉗位電路,。當(dāng)IGBT發(fā)生短路時(shí),，二極管D1會(huì)將門極電位鉗位在15 V，不至于由于IGBT米勒效應(yīng)而使門極電位升高,，造成短路電流劇烈增加,，損壞IGBT。

3 實(shí)驗(yàn)波形

    測(cè)試平臺(tái)原理圖如圖9所示,。配合雙脈沖,，可以方便觀測(cè)IGBT在一個(gè)周期內(nèi)的波形。

    圖10的波形是一個(gè)完整的雙脈沖實(shí)驗(yàn)波形,，母線電壓為1 600 V,。

    圖11是IGBT第一次關(guān)段時(shí)候的波形，可以看出隨著門極電壓從+15 V下降到-10 V,，IGBT的V_ce電壓開始上升,，V_ce上升到1 600 V(峰值1 700 V，與主電路中雜散電感和電流下降速率相關(guān)),，IGBT電流從600 A下降到0,。

    圖12是IGBT第二次開通和關(guān)段的波形，當(dāng)門極電壓從-10 V上升到+15 V,，IGBT的V_ce電壓從1 600 V下降到V_cesat,，IGBT電流從0上升到1 000 A。其中清晰可見二極管反向恢復(fù)電流,。

    考慮到短路試驗(yàn)的危險(xiǎn)性,，將雙脈沖平臺(tái)上管IGBT用一個(gè)很粗的導(dǎo)線短接，而非粗短的銅排,，并用了一個(gè)寬度為11 μs的脈沖進(jìn)行實(shí)驗(yàn),。波形2為母線電壓V_ce，V_ce=1 800 V,。從圖13中可以看出,，由于短接導(dǎo)線的電感量相對(duì)于銅排的大一些，短路電流的上升速率并不是特別大,。從IGBT退飽和到電流被關(guān)斷時(shí)間約為5 μs,，關(guān)斷時(shí)刻短路電流最大值達(dá)到了5.85 kA，電壓尖峰達(dá)到2.65 kV,，有源鉗位動(dòng)作顯著,。

    本文根據(jù)IGBT的特性設(shè)計(jì)了基于2SC0535的驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路。試驗(yàn)證明,，設(shè)計(jì)的驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路性能良好，可在機(jī)車牽引方面得到廣泛的應(yīng)用。

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