賽普拉斯半導體公司日前宣布,，LSI在其用于高性能服務器,、工作站和外部存儲器的12Gb/s SAS主機總線適配器（HBA）中，選用了賽普拉斯的并行非易失性靜態(tài)隨機存取存儲器（nvSRAM）,。nvSRAM為SAS HBA帶來高速度,、低電壓、無故障的存儲器,，提升了LSI解決方案的性能,。LSI選擇并行nvSRAM的另一個原因是它可工作在不同的電壓下，而且廣受媒體好評,。

LSI近期發(fā)布的LSI® SAS 9300 HBA系列產品是業(yè)界首款用于高性能服務器,、工作站和外部存儲系統(tǒng)的12Gb/s SAS HBA解決方案。該系列的產品可加快存儲速度,，專為諸如交易數據庫,、Web 2.0、數據挖掘,、視頻流媒體及編輯等場合的高性能應用而設計,。

賽普拉斯并行nvSRAM的存取時間可快至25ns,，是市場上最快的異步非易失性RAM。nvSRAM還具有無限次讀寫和恢復和20年的數據保存能力,，對于需要連續(xù)高速數據寫入和絕對非易失性數據安全且無需備用電池的應用,，這一產品是非常理想的選擇。

LSI高級市場總監(jiān)Robin Wagner說：“隨著數據中心對存儲量管理要求的不斷提升,，對12Gb/s SAS的需求隨之增長,。我們曾成功地運用過廣受媒體贊譽的nvSRAM，完全能滿足我們LSI 9300系列產品的嚴苛要求,。并行nvSRAM的靈活性能夠接受3V以下的工作電壓,，從而簡化了產品設計流程，加速我們產品的上市進程,。”

賽普拉斯非易失性產品事業(yè)部高級總監(jiān)Rainer Hoehler說：“我們很高興存儲界的領先者LSI采用我們的并行nvSRAM產品,。這一產品應用于業(yè)界首款12Gb/s解決方案，充分證明了其不同凡響的速度和可靠性,。”

并行nvSRAM系列產品有從256kb到8Mb的多種配置可供選擇,，并可工作在工業(yè)溫度范圍內，擁有業(yè)界標準的封裝方式,，如32-SOIC, 44-TSOPII, 48-SSOP, 48-FBGA 及54-TSOPII等,。欲了解更多關于賽普拉斯nvSRAM產品的信息，敬請訪問如下網址：www.cypress.com/go/NVM,。

賽普拉斯的nvSRAM采用SONOS（氧化硅氮氧化硅）嵌入式非易失性存儲器制造工藝,。nvSRAM非常適合需要高性能和絕對非易失性數據安全的應用，例如RAID系統(tǒng),、PLC,、工業(yè)數據日志、計算和網絡系統(tǒng),、汽車發(fā)動機,、服務器和交換機、航空電子,、軍用系統(tǒng),，以及游戲系統(tǒng)等。

賽普拉斯是SONOS制造工藝的領先者,，其旗艦產品PSoC^®混合信號陣列,、可編程時鐘及其他產品均采用這一工藝制造。SONOS與標準的CMOS技術兼容,，還具有多種優(yōu)勢,，例如長壽命、低功耗和抗輻射,。SONOS技術在賽普拉斯自己的工廠和多個合作伙伴的工廠中同時采用,。與其他基于磁技術的非易失性存儲技術相比,，這一工藝在規(guī)模和可制造性方面擁有顯著的優(yōu)勢。賽普拉斯已發(fā)運了超過10億片采用與nvSRAM中相同的SONOS工藝制造的產品,。