《電子技術(shù)應(yīng)用》
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Vishay發(fā)布業(yè)內(nèi)首款采用熱增強PowerPAK® SC-70封裝的150V N溝道MOSFET

器件的RDS(ON)比前一代器件低53%,，TSOP-6封裝的占位面積小55%
2014-05-09
關(guān)鍵詞： PowerPAK

    日前,，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出業(yè)界首款采用小尺寸,、熱增強型SC-70® 封裝的150V N溝道MOSFET---SiA446DJ,。Vishay Siliconix SiA446DJ的占位面積為2mm x 2mm，在10V下具有業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻,，可通過減少傳導(dǎo)和開關(guān)損耗,，在各種空間受限的應(yīng)用中提高效率。

SiA446DJ適用于隔離式DC/DC轉(zhuǎn)換器里的初級側(cè)開關(guān),、LED背光里的升壓轉(zhuǎn)換器,，以及以太網(wǎng)供電(PoE) 的供電設(shè)備開關(guān)、電信DC/DC磚式電源和便攜式電子設(shè)備里電源管理應(yīng)用的同步整流和負載切換,。對于這些應(yīng)用,，PowerPAK SC-70的占位比3mm x 2.8mm TSOP-6封裝小55%，同時熱阻低40%,。

SiA446DJ采用ThunderFET® 技術(shù)制造,，在10V,、7.5V和6V下的最大導(dǎo)通電阻低至177mΩ、185mΩ和250mΩ,。在10V下,，器件的導(dǎo)通電阻比采用TSOP-6封裝的前一代器件低53%，其典型導(dǎo)通電阻與柵極電荷的乘積即優(yōu)值系數(shù)低54%,，可提高效率,。而且，SiA446DJ的導(dǎo)通電阻比最新的采用3mm x 2.7mm SOT-23封裝的器件低26%,。

SiA446DJ加上此前發(fā)布的PowerPAK SC-70封裝的100V SiA416DJ和PowerPAK SC-75封裝的100V SiB456DK,，拓展了采用小尺寸、熱增強封裝的Vishay中壓MOSFET的產(chǎn)品組合,。器件進行了100%的RG和UIS測試,，符合RoHS，無鹵素,。

相關(guān)資源：

Vishay網(wǎng)站上的產(chǎn)品數(shù)據(jù)表：

http://www.vishay.com/ppg?62925

ThunderFET MOSFET的最新產(chǎn)品列表：

http://www.vishay.com/mosfets/medium-voltage/

在Vishay網(wǎng)站查看分銷商庫存：

http://www.vishay.com/search?query=sia446dj&searchChoice=part&type=inv

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