日前,，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布,，其Vishay Siliconix SiR662DP TrenchFET® 榮獲專業(yè)媒體《電子技術(shù)應用》(AET)的“中國優(yōu)秀電子產(chǎn)品”獎,。
在采用SO-8或PowerPAK® SO-8封裝的60V器件中,，SiR662DP 60V N溝道功率MOSFET具有業(yè)內(nèi)最低的導通電阻，以及60V器件中最低的導通電阻與柵極電荷乘積優(yōu)值系數(shù)(FOM),。對于設(shè)計者,，更低的MOSFET導通電阻使得傳導損耗更低,，可減少功耗,，尤其是在重負載條件下,。低FOM減少了高頻和開關(guān)應用中的開關(guān)損耗，特別是在輕負載和待機模式下,。器件的高效率使設(shè)計者能夠提高系統(tǒng)的功率密度,，或同時在更綠色的設(shè)計方案中實現(xiàn)更低的能源損耗,。
在兩個月的時間內(nèi),，用戶通過在forexkbc.com投票的方式選出了中國優(yōu)秀電子產(chǎn)品獎的獲獎?wù)摺?18款提名產(chǎn)品中有31款獲獎，SiR662DP榮獲分立元器件類的獎項。
《電子技術(shù)應用》創(chuàng)刊于1975年,，內(nèi)容覆蓋中國的電子,、通信、工業(yè)控制和計算機行業(yè),。這是該雜志第三年評選中國優(yōu)秀電子產(chǎn)品獎,。
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