《電子技術(shù)應(yīng)用》
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Vishay推出采用PowerPAK® 12128S封裝的-30 V P溝道MOSFET，RDS(ON)達(dá)到業(yè)內(nèi)最低水平,，提高功率密度,，降低便攜式電子設(shè)備功耗

器件占位面積10.89 mm2，RDS（ON）降至3.5 m，F(xiàn)OM降至172 m*nC,，均為業(yè)內(nèi)最佳水平
2020-02-19
來源：Vishay
關(guān)鍵詞： Vishay PowerPAK 電子設(shè)備

　　賓夕法尼亞,、MALVERN—2020年2月11日 —日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE股市代號(hào)：VSH）推出新型-30 V p溝道TrenchFET 第四代功率MOSFET---SiSS05DN,，器件采用熱增強(qiáng)型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK  1212-8S封裝,，10 V條件下導(dǎo)通電阻達(dá)到業(yè)內(nèi)最低的3.5 mW。于此同時(shí),，導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積,，即MOSFET在開關(guān)應(yīng)用的重要優(yōu)值系數(shù)（FOM）為172 mW*nC，達(dá)到同類產(chǎn)品最佳水平,。節(jié)省空間的Vishay Siliconix SiSS05DN專門用來提高功率密度,，占位面積比采用6mm x 5mm封裝的相似導(dǎo)通電阻器件減小65 %。

20200211_SiSS05DN.jpg

　　日前發(fā)布的MOSFET導(dǎo)通電阻比上一代解決方案低26 %,，比市場(chǎng)上排名第二的產(chǎn)品低35 %,，而FOM比緊隨其后的競(jìng)爭(zhēng)器件低15 %。這些業(yè)內(nèi)最佳值降低了導(dǎo)通和開關(guān)損耗,，從而節(jié)省能源并延長(zhǎng)便攜式電子設(shè)備的電池使用壽命,，同時(shí)最大限度降低整個(gè)電源路徑的壓降，以防誤觸發(fā),。器件緊湊的外形便于安裝在PCB面積有限的設(shè)計(jì)中,。

　　行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)面積尺寸的SiSS05DN可直接替代升級(jí)5 V至20 V輸入電源應(yīng)用中的現(xiàn)有器件。該MOSFET適用于適配器和負(fù)載開關(guān),、反向極性保護(hù),、電池供電設(shè)備電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制、電池充電器,、消費(fèi)類電子,、計(jì)算機(jī)、電信設(shè)備等,。

　　器件經(jīng)過100 % RG和UIS測(cè)試,，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，無鹵素,。

　　SiSS05DN現(xiàn)可提供樣品并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),，供貨周期為12周，視市場(chǎng)情況而定,。


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