《電子技術(shù)應(yīng)用》
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中芯國際推出自主研發(fā)的38納米NAND閃存工藝制程

2014-09-11

 中芯國際集成電路制造有限公司(中芯國際,,紐約證交所股票代碼:SMI,香港聯(lián)交所股票代碼:981)今日宣布38納米 NAND 閃存工藝制程已準(zhǔn)備就緒,,中芯國際憑此成為唯一一家可為客戶生產(chǎn) NAND 產(chǎn)品的代工廠,。該工藝平臺完全由中芯國際自主研發(fā),,可滿足特殊存儲器無晶圓廠客戶對高質(zhì)量,、低密度 NAND 閃存持續(xù)增長的需求,,使中芯國際占據(jù)該領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。

NAND 閃存是近年來發(fā)展最為迅速的非易失性存儲NVM)產(chǎn)品,。38納米 NAND 閃存主要面向嵌入式產(chǎn)品,、移動計算、物聯(lián)網(wǎng)(IoT),、電視及機頂盒等多種大需求量的特殊應(yīng)用領(lǐng)域,??蛻粢部衫么思夹g(shù)帶動串行外設(shè)接口SPINAND 市場的發(fā)展以及不斷增長的 IoT 相關(guān)產(chǎn)品的應(yīng)用,。此次中芯國際成功推出38納米 NAND 閃存技術(shù),能夠幫助客戶滿足中國及全球市場對此技術(shù)的需求。

中芯國際技術(shù)研發(fā)執(zhí)行副總裁李序武博士表示,,此前中芯國際已開發(fā)出一系列從130納米到65納米的特殊 NOR 閃存平臺,。經(jīng)過研發(fā)團隊專注及系統(tǒng)的努力,我們成功推出了38納米 NAND 閃存,,在技術(shù)多元化方面取得重要進展,,也為后續(xù)開發(fā)更先進的2x/1x納米及3D NAND 閃存奠定了穩(wěn)固的基礎(chǔ)。我們將繼續(xù)努力推進 NAND 閃存技術(shù)的開發(fā),,以滿足無晶圓廠客戶對高質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)的要求,。

中芯國際首席執(zhí)行官兼執(zhí)行董事邱慈云博士表示,這一重要里程碑對中芯國際以及特殊存儲器客戶及合作伙伴,,都具有重大的戰(zhàn)略性意義,。對客戶來說,中芯國際顯示了其在非易失性存儲技術(shù)開發(fā)方面的決心和能力,。此外,,還證明中芯國際有足夠的實力在精心選擇的細分市場確立領(lǐng)導(dǎo)地位。

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