《電子技術(shù)應(yīng)用》
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閃存新技術(shù)終于接近量產(chǎn)!可變電阻式內(nèi)存可望取代NAND(一)

2010-05-20
作者:——

    “我們2012年將推出64Gbit品并將少量量產(chǎn),,甚至可能推出256Gbit品,。”美國Unity Semiconductor公司設(shè)計(jì)工程副總裁Christophe Chevallier說。

  致力于新存儲(chǔ)器技術(shù)開發(fā)的風(fēng)險(xiǎn)企業(yè)Unity Semiconductor公司,,宣稱已開發(fā)出一種可取代NAND快閃存儲(chǔ)器的技術(shù),,為記憶卡和固態(tài)硬盤(SSD)提供了新的儲(chǔ)存媒介選擇。

  新技術(shù)稱為CMOx,,這種電阻變化式存儲(chǔ)器比NAND快閃存儲(chǔ)器更具成本競(jìng)爭(zhēng)力,,該公司希望利用它來切入現(xiàn)有的龐大存儲(chǔ)器市場(chǎng)。Unity已經(jīng)在于今年2月舉行的國際固態(tài)電路會(huì)議(ISSCC 2010)上提交論文,,并在一次訪談中透露了其未來的計(jì)劃,。
 

成本競(jìng)爭(zhēng)力勝過NAND

  可以說Unity的CMOx象征著新型存儲(chǔ)器將取代閃存儲(chǔ)器和DRAM的(圖1)轉(zhuǎn)折點(diǎn)。此前,,新型存儲(chǔ)器的研發(fā)以存儲(chǔ)器單元等要素技術(shù)層面為中心,,但現(xiàn)在芯片級(jí)樣品已經(jīng)成為可能,甚至可望進(jìn)行大規(guī)模的商業(yè)化部署,。

  一個(gè)例子是采用垂直磁化技術(shù)的自旋注入式MRAM,,這也是首度在ISSCC上揭露的產(chǎn)品。開發(fā)商日本的東芝公司似乎想要充份運(yùn)用垂直磁化技術(shù)的優(yōu)勢(shì),,以取代現(xiàn)有的DRAM。

新興存儲(chǔ)器展現(xiàn)發(fā)展動(dòng)力

    發(fā)展新興存儲(chǔ)器技術(shù)以取代閃存,,已進(jìn)入了一個(gè)嶄新階段,。很明顯地,相變化存儲(chǔ)器亟欲取代NOR閃存,,而取代NAND閃存和DRAM的新興技術(shù)也正在加速發(fā)展,。圖由Nikkei Electronics依東芝提供的資料制成。
 

    相變存儲(chǔ)器(PCM)則是在更早之前就已出現(xiàn)在ISSCC上,,現(xiàn)在也取得了重大的技術(shù)進(jìn)展,。在2010年ISSCC上,瑞士的恆憶公司(Numonyx)發(fā)布了1Gbit的PCM芯片,,其芯片面積只有37.5mm2,,為成為NOR快閃存儲(chǔ)器替代品提供了可能性。該公司的人士表示,,該芯片的規(guī)格是“基于傳統(tǒng)的NOR快閃存儲(chǔ)器規(guī)格,,以位元為寫入單位,。”
 

  如果這些在ISSCC 2010上展示的新興存儲(chǔ)器的潛力與性能得以發(fā)揮,則龐大的存儲(chǔ)器市場(chǎng)的主角會(huì)悄然改換一點(diǎn)也不足為奇,。

  Unity公司制定的計(jì)劃極具野心,,從芯片面積就可明顯看出該公司的目標(biāo)。與在ISSCC上發(fā)表的最新的NAND閃存儲(chǔ)器芯片的每Gbit芯片面積一比較就一清二楚了(圖2),。

圖2 CMOx存儲(chǔ)器旨在取代NAND閃存

    在ISSCC 2010上公布的CMOx存儲(chǔ)器(目標(biāo)規(guī)格),,和在ISSCC 2009中發(fā)表先進(jìn)的NAND閃存的比較。后者包含Hynix的32Gbit元件,、東芝/SanDisk的32Gbit元件,;SanDisk/東芝的64Gbit元件。相較之下,,CMOx存儲(chǔ)器顯然具有優(yōu)勢(shì),。

  2009年,東芝和SanDisk公司在ISSCC上聯(lián)合發(fā)表了一份最高密度的NAND閃存芯片的論文,。這款采用32nm制程技術(shù)的32Gbit芯片采用每單元3位元(3bit/cell)的多位元架構(gòu),,并封裝為一顆面積僅有113mm2的芯片,每Gbit芯片面積僅3.53 mm2,。

    而Unity在ISSCC 2010上所發(fā)表的64Gbit芯片則賦予了存儲(chǔ)器芯片面積全新指標(biāo),,即使采用45nm制程技術(shù),芯片面積僅有123mm2(表1),。這款芯片的每Gbit面積僅有1.92mm2,,大約是上述最先進(jìn)NAND閃存的一半。

 

  如果Unity公司在2012年如期推出256Gbit的芯片,,那么它可望比NAND快閃存儲(chǔ)器更具成本競(jìng)爭(zhēng)力,。Unity規(guī)劃中的256Gbit芯片即使采用45nm技術(shù),面積僅約200mm2,。這意味著將每Gbit的面積大幅削減到0.78mm2,,甚至比現(xiàn)有的64Gbit芯片更小。“CMOx擁有更大的容量,,以及更高的密度”,,該公司解釋道。(未完待續(xù))

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